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1. 发明申请

WO2008081717A1 ＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、並びにランプ审中-公开
标题翻译：生产III族氮化物半导体层，III类氮化物半导体发光器件和灯的方法
公开(公告)号：WO2008081717A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/JP2007/074411
申请日：2007-12-19
申请人：昭和電工株式会社 , 篠原裕直 , 酒井浩光
发明人：篠原裕直 , 酒井浩光
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205
CPC分类号： H01L21/02658 , H01L21/0254 , H01L33/007 , H01L33/0075 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　本発明の目的は、内部量子効率および光取り出し効率に優れた発光素子の形成に好適に使用できる結晶性に優れたＩＩＩ族窒化物半導体層の得られる製造方法を提供することである。本発明によれば、基板１０１上に単結晶のＩＩＩ族窒化物半導体層１０３を形成するＩＩＩ族窒化物半導体層の製造方法において、基板１０１の（０００１）Ｃ面上に前記Ｃ面に非平行の表面１２ｃからなる複数の凸部１２を形成することにより、前記基板１０１上に前記Ｃ面からなる平面１１と前記凸部１２とからなる上面１０を形成する基板加工工程と、前記上面１０上に前記ＩＩＩ族窒化物半導体層１０３をエピタキシャル成長させて、前記凸部１２を前記ＩＩＩ族窒化物半導体層１０３で埋めるエピ工程とを備えるＩＩＩ族窒化物半導体層１０３の製造方法とする。
摘要翻译：公开了一种制备具有优异结晶度的III族氮化物半导体层的方法，该方法可适用于形成具有优异的内量子效率和光提取效率的发光器件。具体公开的是在基板（101）上制造单晶III族氮化物半导体层（103）的方法，其包括基板处理步骤，其中由不与（0001）平行的表面12c组成的多个突出部分（12）在（0001）C面上形成基板（101）的C面，由此形成由（0001）C面和凸部（...）构成的平面（11）构成的上表面（10） 12）; 以及用于在上表面（10）上外延生长III族氮化物半导体层（103）的外延步骤，从而将突出部分（12）嵌入III族氮化物半导体层（103）中。

2. 发明申请

WO2007111255A1 ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子、ＩＩＩ族窒化物半導体発光素子の製造方法及びランプ审中-公开
标题翻译： III族氮化物半导体发光器件，制造III族氮化物半导体发光器件的方法和灯
公开(公告)号：WO2007111255A1
公开(公告)日：2007-10-04
申请号：PCT/JP2007/056044
申请日：2007-03-23
申请人：昭和電工株式会社 , 三木久幸 , 酒井浩光
发明人：三木久幸 , 酒井浩光
IPC分类号： H01L33/00 , H01L21/205
CPC分类号： H01L33/02 , H01L21/02381 , H01L21/02458 , H01L21/02507 , H01L21/0254 , H01L21/02573 , H01L21/0262 , H01L33/007 , H01L33/025 , H01L33/04 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/73265 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
摘要：駆動電圧が低く、かつ発光効率の優れた両面電極タイプのＩＩＩ族窒化物半導体発光素子が提供される。そのようなＩＩＩ族窒化物半導体発光素子は、半導体積層構造が、高濃度の不純物原子を含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる高濃度層３ｂと、高濃度層３ｂよりも低濃度の不純物原子を含むＩＩＩ族窒化物半導体からなる低濃度層３ａとからなる不純物層３０と、ＩＩＩ族窒化物半導体層２とを少なくとも備えたものであり、ＩＩＩ族窒化物半導体層２上には低濃度層３ａと高濃度層３ｂとがこの順で連続して形成されているＩＩＩ族窒化物半導体発光素子とする。
摘要翻译：公开了具有低驱动电压和优异的发光效率的双面电极III族氮化物半导体发光器件。具体公开了一种III族氮化物半导体发光器件，其至少包括杂质层（30），其半导体多层结构由具有高浓度杂质的III族氮化物半导体构成的高浓度层（3b）构成原子和由具有比高浓度层（3b）低的杂质原子浓度的III族氮化物半导体构成的低浓度层（3a）和III族氮化物半导体层（2）。在III族氮化物半导体发光器件中，依次在III族氮化物半导体层（2）上依次形成低浓度层（3a）和高浓度层（3b）。

3. 发明申请

WO2008087930A1 ＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子及びその製造方法、ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子及びその製造方法、並びにランプ审中-公开
标题翻译： III型氮化物半导体元件及其制造方法，III型氮化物半导体发光元件及其制造方法及灯
公开(公告)号：WO2008087930A1
公开(公告)日：2008-07-24
申请号：PCT/JP2008/050336
申请日：2008-01-15
申请人：昭和電工株式会社 , 加治亘章 , 横山泰典 , 酒井浩光
发明人：加治亘章 , 横山泰典 , 酒井浩光
IPC分类号： H01L33/00 , C23C14/06 , C23C16/34 , H01L21/203 , H01S5/323 , H01L21/205
CPC分类号： C23C16/34 , B82Y20/00 , C23C14/0617 , C23C14/0641 , C23C16/303 , H01L21/0237 , H01L21/0242 , H01L21/02433 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02576 , H01L21/02579 , H01L21/0262 , H01L21/02631 , H01L33/007 , H01L33/12 , H01L33/16 , H01L2224/32245 , H01L2224/45144 , H01L2224/48091 , H01L2224/48247 , H01L2224/48257 , H01L2224/49107 , H01L2224/73265 , H01L2924/181 , H01S5/0213 , H01S5/3202 , H01S5/34333 , H01L2924/00014 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要：　本発明のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子は、基板と、前記基板上に設けられた中間層と、前記中間層上に設けられ、（０００２）面のロッキングカーブ半価幅が１００ａｒｃｓｅｃ以下であり、かつ（１０‐１０）面のロッキングカーブ半価幅が３００ａｒｃｓｅｃ以下である下地層とを備える。また、本発明のＩＩＩ族窒化物化合物半導体素子の製造方法は前記中間層をスパッタ法で形成する工程を有する。
摘要翻译： III族氮化物化合物半导体元件设置有基板; 布置在所述基板上的中间层; 和基底层，其布置在中间层上，并且具有100arcsec以下的（0002）平面摇摆曲线半值宽度和300arcsec以下的（10-10）面摆动曲线半值宽度。此外，III族氮化物化合物半导体元件的制造方法具有通过溅射法形成中间层的工序。

4. 发明申请

WO2008041586A1 ＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプ审中-公开
标题翻译：制备III族氮化物半导体发光器件的方法，III类氮化物半导体发光器件和灯
公开(公告)号：WO2008041586A1
公开(公告)日：2008-04-10
申请号：PCT/JP2007/068690
申请日：2007-09-26
申请人：昭和電工株式会社 , 横山泰典 , 酒井浩光 , 三木久幸
发明人：横山泰典 , 酒井浩光 , 三木久幸
IPC分类号： H01L33/00
CPC分类号： H01L33/007 , B82Y20/00 , C30B25/183 , C30B29/403 , H01L21/0237 , H01L21/02458 , H01L21/0254 , H01L21/02631 , H01L21/02658 , H01L2924/0002 , H01S5/0213 , H01S5/34333 , H01S2301/173 , H01L2924/00
摘要：　生産性に優れるとともに、優れた発光特性を備えたＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法、及びＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子、並びにランプが提供される。そのようなＩＩＩ族窒化物化合物半導体発光素子の製造方法は、基板１１上に、少なくともＩＩＩ族窒化物化合物からなる中間層１２を積層し、該中間層１２上に、下地層１４ａを備えるｎ型半導体層１４、発光層１５、及びｐ型半導体層１６を順次積層する方法であり、基板１１に対してプラズマ処理を行う前処理工程と、該前処理工程に次いで、基板１１上に中間層１２をスパッタ法によって成膜するスパッタ工程を備えている。
摘要翻译：公开了一种具有优异的发光特性，优异的生产率的III族氮化物化合物半导体发光元件的制造方法。还公开了III族氮化物化合物半导体发光器件和灯。具体公开了一种III族氮化物化合物半导体发光器件的制造方法，其中，在基板（11）上配置由至少III族氮化物化合物构成的中间层（12），然后将n型半导体顺序地在中间层（12）上布置包括基底层（14a），发光层（15）和p型半导体层（16）的层（14）。该方法包括用于等离子体处理衬底（11）的预处理步骤和在用于通过溅射法在衬底（11）上形成中间层（12）的预处理步骤之后的溅射步骤。

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