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1. 发明申请

WO2007023746A1 半導体ウェハ用搬送トレイ审中-公开
标题翻译： SEMICONDUCTOR WAFER TRANSFER TRAY
公开(公告)号：WO2007023746A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/JP2006/316259
申请日：2006-08-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 上郡明子 , 八壁正巳 , 百留孝憲 , 林聖人
发明人：上郡明子 , 八壁正巳 , 百留孝憲 , 林聖人
IPC分类号： H01L21/673
CPC分类号： H01L21/6838
摘要： Provided is a semiconductor wafer transfer tray which can stably transfer a semiconductor wafer whereupon a MEMS device is formed. On a front plane of the semiconductor wafer transfer tray, a shift preventing mechanism for preventing the semiconductor wafer from shifting is provided. The tray is also provided with a base bottom section having a rear plane to be sucked by vacuum for transfer. The base bottom section is provided with a penetrating section (4) arranged in a peripheral region. At the time of transfer, the semiconductor wafer is sucked by vacuum together with the base bottom section through the penetrating section (4).
摘要翻译：提供一种可稳定地转移半导体晶片的半导体晶片转移托盘，从而形成MEMS器件。在半导体晶片传送托盘的前平面上，设置防止半导体晶片移动的偏移防止机构。托盘还设置有底部底部，该底部底部具有用于传送的真空吸入的后平面。底部底部设置有布置在周边区域中的穿透部分（4）。在转印时，半导体晶片通过穿透部分（4）与基底部分一起通过真空抽吸。

2. 发明申请

WO2003023417A1 センサ容量検出装置及びセンサ容量検出方法审中-公开
标题翻译：传感器容量传感装置和传感器容量传感方法
公开(公告)号：WO2003023417A1
公开(公告)日：2003-03-20
申请号：PCT/JP2002/009083
申请日：2002-09-06
申请人：住友金属工業株式会社 , 八壁正巳
发明人：八壁正巳
IPC分类号： G01R27/26
CPC分类号： G01R27/2605 , G01D5/24 , G01N27/228 , H04R3/007
摘要： A capacitor C and an impedance converter Hiz are inserted in series in a feedback circuit of a first calculation amplifier OP1. An electrode P1 of a capacitor sensor is connected via a signal line L to a connection point between the capacitor and the converter. The signal line L is connected to a predetermined reference potential via a resistor R3 having a high resistance. When the capacitor is inserted into the feedback circuit, the signal line is in a floating state and the circuit operation becomes unstable. However, the signal line L is fixed to a predetermined potential via the high resistor R3 and accordingly, the operation is stabilized. It is also possible to constitute the impedance converter by a voltage follower whose output is connected to the resistor R3.
摘要翻译：电容器C和阻抗转换器Hiz串联插入第一计算放大器OP1的反馈电路中。电容传感器的电极P1通过信号线L连接到电容器和转换器之间的连接点。信号线L通过具有高电阻的电阻器R3连接到预定的参考电位。当电容器插入反馈电路时，信号线处于浮置状态，电路操作变得不稳定。然而，信号线L经由高电阻R3被固定到预定电位，因此操作稳定。也可以通过电压跟随器构成阻抗变换器，该电压跟随器的输出端连接到电阻器R3。

3. 发明申请

WO2008081706A1 圧力波発生装置及びその温度調整方法审中-公开
标题翻译：压力波发生器及其温度控制方法
公开(公告)号：WO2008081706A1
公开(公告)日：2008-07-10
申请号：PCT/JP2007/074248
申请日：2007-12-17
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 国立大学法人東京農工大学 , 林聖人 , 八壁正巳 , 越田信義
发明人：林聖人 , 八壁正巳 , 越田信義
IPC分类号： B06B1/02
CPC分类号： G10K15/04
摘要：　圧力波発生装置（１）は、熱伝導性の基板（２）と、基板（２）の一方の主面に形成された断熱層（３）と、断熱層（３）の上に形成された絶縁体層（５）と、絶縁体層（５）の上に形成され、交流成分を含む電流が印加されて発熱する発熱体（４）と、を備える。断熱層（３）は、ナノ結晶シリコンである。絶縁体層（５）は、窒化珪素（Ｓｉ 3 Ｎ 4 ）、２酸化珪素（ＳｉＯ 2 ）、酸化アルミニウム（Ａｌ 2 Ｏ 3 ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、ダイヤモンド結晶炭素（Ｃ）、窒化アルミニウム（ＡｌＮ）又は炭化珪素（ＳｉＣ）のいずれか１つを含んで形成される。発熱体４は、例えば、金（Ａｕ）又はタングステン（Ｗ）を含んで形成される。
摘要翻译：公开了一种压力波发生器（1），其包括导热基板（2），形成在所述基板（2）的一个主表面上的绝热层（3），形成在所述绝热层上的绝缘层（5） 3）和形成在绝缘层（5）上的发热体（4），并且当施加包含交替分量的电流时产生热量。隔热层（3）由纳米晶硅构成。绝缘层（5）形成为包含氮化硅（Si 3 N 4 N 4），二氧化硅（SiO 2）2，铝氧化物（Al 2 O 3 O 3），氧化镁（MgO），金刚石结晶碳（C），氮化铝（AlN）和碳化硅（SiC）。发热体（4）形成为容纳例如金（Au）或钨（W）。

4. 发明申请

WO2007015506A1 微小構造体の検査装置、検査方法および検査プログラム审中-公开
标题翻译：分钟结构检查装置，检查方法和检查程序
公开(公告)号：WO2007015506A1
公开(公告)日：2007-02-08
申请号：PCT/JP2006/315277
申请日：2006-08-02
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 八壁正巳
发明人：八壁正巳
IPC分类号： G01P21/00 , H01L21/027
CPC分类号： G01P15/123 , B81B2201/0257 , B81C99/005 , G01P15/18 , G01P2015/0842
摘要：　簡易な方式で微小な可動部を有する微小構造体を精度よく検査する検査装置、検査方法および検査プログラムを提供する。テスト音波を入力して、テスト音波の入力に応答したセンサ出力電圧振幅の周波数特性を解析する。予め想定される使用条件等からデバイスに要求される最大周波数および最小周波数を算出し、その周波数帯域の中で望ましい特性が検出することができるかを判定する。具体的には、所定の周波数帯域において、応答特性がしきい値である最小特性レベルを越えているか否かに基づいて、良品もしくは不良品であると判定する。
摘要翻译：提供了一种检查装置，检查方法和检查程序，用于通过简单的方法精确地检查具有可移动部分的微小结构。输入测试声波，分析响应于测试声波的输入的传感器输出电压幅度的频率特性。从估计使用条件计算设备的最大频率和最小频率，并且判断是否可以检测到频带中的期望特性。更具体地，根据预定频带中的响应特性是否超过最小特征电平作为阈值，判断装置是好还是坏。

5. 发明申请

WO2006106876A1 微小構造体のプローブカード、微小構造体の検査装置、検査方法およびコンピュータプログラム审中-公开
标题翻译：微结构探针卡和微结构检测器件，方法和计算机程序
公开(公告)号：WO2006106876A1
公开(公告)日：2006-10-12
申请号：PCT/JP2006/306745
申请日：2006-03-30
申请人：株式会社オクテック , 東京エレクトロン株式会社 , 奥村勝弥 , 八壁正巳 , 池内直樹
发明人：奥村勝弥 , 八壁正巳 , 池内直樹
IPC分类号： G01R1/073 , G01P21/00 , G01C9/06
CPC分类号： G01C19/56 , B81C99/005 , G01P15/123 , G01P15/18 , G01P21/00 , G01P2015/084 , G01P2015/0842
摘要：　プローブあるいは検査用電極を傷つける事無く、また、プローブと検査用電極との接触とにおいて針圧の影響を抑制することにより、精度の高い検査を実行する、可動部を有する微小構造体のための検査方法を提供する。　微小構造体の検査を行なう場合には、まず、一対のプローブ（２）を各電極パッド（ＰＤ）に接触させた後、リレー（３０）を介して一対のプローブ（２）とフリッティング用電源（５０）とを接続する。次に、フリッティング用電源（５０）から一対のプローブ（２）に一方のプローブ（２）に対して電圧を印加する。そして、徐々に昇圧すると、フリッティング現象により一対のプローブ（２）間の酸化膜を破って一対のプローブ（２）間で電流が流れ、プローブ（２）と電極パッド（ＰＤ）間で電気的に導通する。次いで、リレー（３０）を介して一対のプローブ（２）をフリッティング用電源（５０）から測定部（４０）側に切り替えて測定部（４０）と電気的に結合させる。
摘要翻译：一种用于通过减小当探针与检查电极接触时针压的影响而高精度地检查具有可移动部件的微结构的方法，而不损坏探针或检查电极。为了检查微结构，一对探针（2）与电极焊盘（PD）接触，并且一对探针（2）通过继电器（30）连接到飞行电源（50）。从飞溅电源（50）向一个探针（2）施加电压。随着电压逐渐升高，由于闪络现象，电流通过探针（2）的氧化膜制动，并从一个探针（2）流到另一个（2），以在探针（2）之间建立电连接，和电极垫（PD）。电源从飞溅电源（50）切换到测量单元（40），以通过继电器（30）将探针（2）电连接到测量单元（40）。

6. 发明申请

WO2005083764A1 半導体装置の製造方法および半導体装置审中-公开
标题翻译：半导体器件和半导体器件的生产方法
公开(公告)号：WO2005083764A1
公开(公告)日：2005-09-09
申请号：PCT/JP2005/003301
申请日：2005-02-28
申请人：東京エレクトロン株式会社 , ホシデン株式会社 , 加川健一 , 八壁正巳 , 佐伯真一 , 大辻貴久
发明人：加川健一 , 八壁正巳 , 佐伯真一 , 大辻貴久
IPC分类号： H01L21/301
CPC分类号： B81C1/00 , G01D5/24 , H01L29/84 , H04R19/04 , H04R31/00
摘要：　センサ素子１１の酸化膜２は矩形の基板１上に形成され、酸化膜２上には振動板３が形成され、振動板３上には固定部４が形成されていて、固定部４上には基板１に対向するように背電極５が形成され、固定部４によって、基板１と背電極５との間に間隙領域６が形成されており、固定部４上に形成された背電極５の周囲を囲むように矩形の突堤部１２が、センサ素子１１と辺との間に位置するように形成されている。突堤部１２によりダイシング時に生じる異物１０４が半導体素子１１内に入り込むのを阻止できる。
摘要翻译：传感器元件（11）的氧化膜（2）形成在矩形基板（1）上，在氧化膜（2）上形成隔膜（3），在隔膜（3）上形成固定单元），在固定单元（4）上以与基板（1）相对的方式形成背面电极（5），在基板（1）和背面电极（5）之间形成间隙区域（6）固定单元（4）和矩形喷射（12）形成为位于传感器元件（11）和侧面之间，以围绕形成在定影单元（4）上的背面电极（5）。喷射（12）可以防止在切割时产生的异物（104）侵入半导体元件（11）。

7. 发明申请

WO2005079112A1 容量検知型センサ素子审中-公开
标题翻译：容量检测型传感器元件
公开(公告)号：WO2005079112A1
公开(公告)日：2005-08-25
申请号：PCT/JP2005/002172
申请日：2005-02-14
申请人：東京エレクトロン株式会社 , ホシデン株式会社 , 加川健一 , 八壁正巳 , 佐伯真一 , 大辻貴久
发明人：加川健一 , 八壁正巳 , 佐伯真一 , 大辻貴久
IPC分类号： H04R19/04
CPC分类号： H04R19/005 , H04R19/04
摘要：　相互に対向して設けられた、矩形状の振動板１１と平面状の背電極１２とを含む容量検知型センサ素子１０は、振動板１１の各辺に隣接して設けられ、振動板１１に隣接する側に所定の長さの辺を有する固定部１４を含む。背電極１２は、固定部１４によって振動板１１との間に空間１３を有した状態で支持される。背電極１２の、固定部１４によって支持されない、隣接する固定部間は直線であり、全体として８角形状である。
摘要翻译：容量检测型传感器元件（10）包括彼此相对布置的矩形膜片（11）和平坦的后部电极（12）。容量检测型传感器元件（10）还包括固定部分（14），每个固定部分（14）被布置成邻近隔膜（11）并具有与隔膜（11）相邻的一侧具有预定长度的一侧。后电极（12）由固定部分（14）支撑，以在后电极（12）和隔膜（11）之间形成空间（13）。后电极（12）整体上是在固定部分（14）不支撑的相邻固定部分之间具有直线的整体。

8. 发明申请

WO2005015246A1 容量検出回路及び容量検出方法审中-公开
标题翻译：电容确定电路和电容测定方法
公开(公告)号：WO2005015246A1
公开(公告)日：2005-02-17
申请号：PCT/JP2004/011577
申请日：2004-08-05
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 八壁正巳
发明人：八壁正巳
IPC分类号： G01R27/26
CPC分类号： H04R3/00
摘要：入力保護回路を備え、かつ、高い感度をもつ容量検出回路を提供する。容量型センサＣｓの容量を検出する容量検出回路（２０）であって、容量型センサ（Ｃｓ）に信号線（１３）を介して接続される電圧増幅率が１のバッファアンプ（１２）と、信号線（１３）と正電源（＋Ｖｄｄ）との間に直列に接続されたダイオード（Ｄｐ１）及び（Ｄｐ２）と、信号線（１３）と負電源（−Ｖｄｄ）との間に直列に接続されたダイオード（Ｄｍ１）及び（Ｄｍ２）とを含み、バッファアンプ（１２）の出力端子が、ダイオード（Ｄｐ１）とダイオード（Ｄｐ２）との接続点（２１ａ）、及び、ダイオード（Ｄｍ１）とダイオード（Ｄｍ２）との接続点（２１ｂ）に接続されている。
摘要翻译：具有输入保护电路并具有高灵敏度的电容确定电路。一种用于确定电容传感器（Cs）的电容的电容确定电路（20），包括经由信号线（13）连接到电容传感器（Cs）并且具有1的电压放大比的缓冲放大器（12）连接在信号线（13）和正电源（+ Vdd）之间的二极管（Dp1，Dp2）; 和串联连接在信号线（13）和负电源（-Vdd）之间的二极管（Dm1，Dm2），其中缓冲放大器（12）的输出端连接到二极管（Dp1 ，Dp2）和二极管（Dm1，Dm2）的结（21b）。

9. 发明申请

WO2006004128A1 貫通基板およびインターポーザ、ならびに貫通基板の製造方法审中-公开
标题翻译：通过基板和间隔器，以及通过基板制造的方法
公开(公告)号：WO2006004128A1
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/JP2005/012425
申请日：2005-07-05
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 八壁正巳 , 加川健一 , 星野智久
发明人：八壁正巳 , 加川健一 , 星野智久
IPC分类号： H01L21/3205
CPC分类号： H01L21/486 , H01L21/76898 , H01L23/147 , H01L23/481 , H01L23/49827 , H01L23/552 , H01L2223/6622 , H01L2924/0002 , H05K1/0222 , H05K1/0306 , H05K3/423 , H05K2201/09809 , H05K2203/0733 , Y10T29/49165 , H01L2924/00
摘要：【解決手段】　貫通基板は、表面１１と裏面１２とを貫通する貫通孔１９を有するシリコン基板１０と、貫通孔１９の内壁面に沿って設けられた、シリコン酸化膜１３と、シリコン酸化膜１３の内壁面に形成されたＺｎおよびＣｕの層１４，１５と、ＺｎおよびＣｕの層１４，１５の内壁面に沿って、間に絶縁層１６を介して、Ｃｕのシード層１７から成長されたＣｕのメッキ層１８とを有する。その結果、クロストークによるノイズを排除できる貫通電極を提供できる。
摘要翻译：一种贯穿基板，包括具有贯通前表面（11）和后表面（12）的通孔（19）的硅基板（10），沿着贯通孔的内壁表面设置的氧化硅膜（13）分别形成在氧化硅膜（13）的内壁面上的包含Zn和Cu的层（14,15），以及从Cu种子生长的Cu镀层（18）层（17）分别经由它们之间的绝缘层（16）沿着包括Zn和Cu的层（14,15）的内壁表面。上述通过基板可以提供能够避免由于串扰引起的噪声的通孔电极。

10. 发明申请

WO2006004127A1 インターポーザおよびインターポーザの製造方法审中-公开
标题翻译：中间件和间接产生方法
公开(公告)号：WO2006004127A1
公开(公告)日：2006-01-12
申请号：PCT/JP2005/012424
申请日：2005-07-05
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 加川健一 , 星野智久 , 八壁正巳
发明人：加川健一 , 星野智久 , 八壁正巳
IPC分类号： H01L23/32
CPC分类号： H01L23/49827 , H01L21/486 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要：　インターポーザの製造方法においては、基板１０の裏面１２側の貫通孔１３の開口部にシード層１４を形成し、そのシード層１４を基にメッキ用電極層１５を形成し、そこから、基板１０の表面１１側にメッキ層１６を形成して貫通孔１３を埋める。その結果、製造工程が簡単で、かつ貫通孔の内部に巣が生じない、インターポーザの製造方法を提供できる。
摘要翻译：一种中介层的制造方法，其特征在于，在基板（10）的背面（12）侧的贯通孔（13）的开口部形成种子层（14），形成电镀电极层（15）种子层（14）的基础，在基板（10）的面（11）侧形成镀层（16）以填充通孔（13）。结果，可以提供一种中间体制造方法，其中生产过程容易，并且在通孔中不产生气孔。

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