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1. 发明申请

WO2007097207A1 検査方法、検査装置及び制御プログラム审中-公开
标题翻译：检查方法，检查设备和控制程序
公开(公告)号：WO2007097207A1
公开(公告)日：2007-08-30
申请号：PCT/JP2007/052318
申请日：2007-02-09
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 百留孝憲
发明人：百留孝憲
IPC分类号： H01L21/66 , G01R31/28
CPC分类号： G01R31/2891
摘要：　先端部に凹凸を形成したプローブ４ａ、４ｂを検査対象物であるデバイスＤの電極Ｐに所定針圧で接触させ、機械的に電極Ｐ上の絶縁膜Ｏに損傷を与え、電極Ｐとプローブ４ａ，４ｂとの間の電気抵抗値を第１の所定値以下とする。次に、フリッティングを行い、電気的に電極Ｐ上の絶縁膜Ｏに損傷を与え、電極Ｐとプローブ４ａ，４ｂとの間の電気抵抗値を第１の所定値より小さな第２の所定値以下とする。
摘要翻译：在前端具有不平坦部分的探针（4a，4b）与设备（D）的电极（P）（即被检查物体）以规定的针压接触，并且将绝缘膜（O ）在机械损坏。因此，允许电极（P）和探针（4a，4b）之间的电阻为第一规定值以下。然后，电极（P）上的绝缘膜（O）通过烧结而被电损坏，并且电极（P）和探针（4a，4b）之间的电阻值被允许为不是的第二规定值超过第一规定值。

2. 发明申请

WO2007023746A1 半導体ウェハ用搬送トレイ审中-公开
标题翻译： SEMICONDUCTOR WAFER TRANSFER TRAY
公开(公告)号：WO2007023746A1
公开(公告)日：2007-03-01
申请号：PCT/JP2006/316259
申请日：2006-08-18
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 上郡明子 , 八壁正巳 , 百留孝憲 , 林聖人
发明人：上郡明子 , 八壁正巳 , 百留孝憲 , 林聖人
IPC分类号： H01L21/673
CPC分类号： H01L21/6838
摘要： Provided is a semiconductor wafer transfer tray which can stably transfer a semiconductor wafer whereupon a MEMS device is formed. On a front plane of the semiconductor wafer transfer tray, a shift preventing mechanism for preventing the semiconductor wafer from shifting is provided. The tray is also provided with a base bottom section having a rear plane to be sucked by vacuum for transfer. The base bottom section is provided with a penetrating section (4) arranged in a peripheral region. At the time of transfer, the semiconductor wafer is sucked by vacuum together with the base bottom section through the penetrating section (4).
摘要翻译：提供一种可稳定地转移半导体晶片的半导体晶片转移托盘，从而形成MEMS器件。在半导体晶片传送托盘的前平面上，设置防止半导体晶片移动的偏移防止机构。托盘还设置有底部底部，该底部底部具有用于传送的真空吸入的后平面。底部底部设置有布置在周边区域中的穿透部分（4）。在转印时，半导体晶片通过穿透部分（4）与基底部分一起通过真空抽吸。

3. 发明申请

WO2004066378A1 光学的測長器を備えたプローブ装置及びプローブ検査方法审中-公开
标题翻译：具有光学长度测量装置的探头装置和检测探头的方法
公开(公告)号：WO2004066378A1
公开(公告)日：2004-08-05
申请号：PCT/JP2004/000309
申请日：2004-01-16
申请人：東京エレクトロン株式会社 , 小松茂和 , 百留孝憲 , 茶谷博美 , 林尚久 , 茂野幸英
发明人：小松茂和 , 百留孝憲 , 茶谷博美 , 林尚久 , 茂野幸英
IPC分类号： H01L21/66
CPC分类号： G01R31/2891 , G01R31/2887
摘要：ウェハ状基板Ｗの上に形成された被検査体の電気的特性検査を行う、制御位置計測手段を備えたプローブ装置（１００）を提供する。このプローブ装置は、プローバ室（２９）と、該プローバ室内に配置され、被検査体を載置するための載置台（６）と、該載置台をＸ，Ｙ，Ｚ及びθ方向に移動する移動機構（１６）と、複数のプローブ（２６）を有し、該載置台と対向して配置されるプローブカード（１４）と、第１の光学的測長器（４ａ，４ｂ）を具備し、該第１の光学的測長器は該載置台に載置された被検査体の表面に光を照射し、その反射光に基づいて該被検査体のＺ軸方向の位置を測定する。また、第２の光学的測長器（５ａ，５ｂ）を具備することができる。
摘要翻译：一种具有控制位置测量装置的探针装置（100），用于检查在晶片状衬底（W）上形成的待检查物体的电特性。所述探针装置具有探测室（29），设置在所述探测室中并且待检测物体放置在其上的放置基座（6），用于在X，Y中移动所述放置基座的移动机构，Z和θ方向，以及探针（26）。探针装置还具有与放置基座相对设置的探针卡（14）和第一光学长度测量装置（4a，4b）。第一光学长度测量装置将光照射到放置在放置基座上的被检查物体的表面，并且基于从物体反射的光测量物体的Z轴方向上的位置。探针装置还可以具有第二光学长度测量装置（5a，5b）。

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