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    • 8. 发明授权
    • Pattern forming method
    • 图案形成方法
    • US09371427B2
    • 2016-06-21
    • US14636034
    • 2015-03-02
    • KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
    • Katsutoshi KobayashiYusuke KasaharaHiroki YonemitsuHitoshi KubotaAyako Kawanishi
    • C23F1/00C08J7/00B81C1/00C23F4/00
    • C23F1/00B81C1/00396C23F4/00G03F7/0002
    • A pattern is formed by forming a first pattern on a first film, forming a block copolymer layer including a first block chain and a second block chain on the first pattern, forming a second pattern, forming a second film on the second pattern, selectively removing the second film until the second pattern is exposed, forming a third pattern, and processing the first film using the third pattern as a mask. The second pattern is formed by microphase-separating the block copolymer layer, and removing the first block chain or the second block chain. The second film is formed by applying a material having an etch rate that is less than an etch rate of a material of the first pattern and the second pattern. The third pattern is formed by selectively removing the second pattern and the first pattern using the second film as a mask.
    • 通过在第一膜上形成第一图案形成图案,在第一图案上形成包含第一嵌段链和第二嵌段链的嵌段共聚物层,形成第二图案,在第二图案上形成第二膜,选择性地除去 直到第二图案曝光的第二膜,形成第三图案,并且使用第三图案作为掩模来处理第一膜。 第二图案通过微相分离嵌段共聚物层并除去第一嵌段链或第二嵌段链形成。 通过施加具有小于第一图案和第二图案的材料的蚀刻速率的蚀刻速率的材料来形成第二膜。 通过使用第二膜作为掩模选择性地去除第二图案和第一图案来形成第三图案。