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1. 发明授权

US09183903B2 Reading memory data 有权
标题翻译：读取内存数据
公开(公告)号：US09183903B2
公开(公告)日：2015-11-10
申请号：US14276648
申请日：2014-05-13
申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
发明人： Jui-Jen Wu , Shao-Yu Chou
IPC分类号： G11C7/12 , G11C7/04 , G11C7/14 , G11C11/412 , G11C11/419 , G11C19/06 , G11C11/08
CPC分类号： G11C7/12 , G11C7/04 , G11C7/14 , G11C11/08 , G11C11/412 , G11C11/419 , G11C19/06
摘要： A circuit includes one or more memory cells, a data line associated with the one or more memory cells, one or more reference cells, a reference data line associated with the one or more reference cells, a first circuit coupled to the reference data line and the data line, and a second circuit. The first circuit is configured to output a first logical value based on a voltage level of the data line upon occurrence of a voltage level of the reference data line reaching a trip point. The second circuit is configured to output a second logical value based on the voltage level on the data line prior to the occurrence of the voltage level of the reference data line reaching the trip point, and to output the first logical value after the occurrence of the voltage level of the reference data line reaching the trip point.
摘要翻译：电路包括一个或多个存储器单元，与一个或多个存储器单元相关联的数据线，一个或多个参考单元，与一个或多个参考单元相关联的参考数据线，耦合到参考数据线的第一电路和数据线和第二电路。第一电路被配置为当基准数据线的电压电平达到跳变点时，基于数据线的电压电平输出第一逻辑值。第二电路被配置为基于在到达跳变点的参考数据线的电压电平发生之前的数据线上的电压电平输出第二逻辑值，并且在发生之后输出第一逻辑值参考数据线的电压电平达到跳变点。

2. 发明申请

US20140247672A1 READING MEMORY DATA 审中-公开
标题翻译：读取存储器数据
公开(公告)号：US20140247672A1
公开(公告)日：2014-09-04
申请号：US14276648
申请日：2014-05-13
申请人： TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING COMPANY, LTD.
发明人： Jui-Jen WU , Shao-Yu CHOU
IPC分类号： G11C7/12
CPC分类号： G11C7/12 , G11C7/04 , G11C7/14 , G11C11/08 , G11C11/412 , G11C11/419 , G11C19/06
摘要： A circuit includes one or more memory cells, a data line associated with the one or more memory cells, one or more reference cells, a reference data line associated with the one or more reference cells, a first circuit coupled to the reference data line and the data line, and a second circuit. The first circuit is configured to output a first logical value based on a voltage level of the data line upon occurrence of a voltage level of the reference data line reaching a trip point. The second circuit is configured to output a second logical value based on the voltage level on the data line prior to the occurrence of the voltage level of the reference data line reaching the trip point, and to output the first logical value after the occurrence of the voltage level of the reference data line reaching the trip point.
摘要翻译：电路包括一个或多个存储器单元，与一个或多个存储器单元相关联的数据线，一个或多个参考单元，与一个或多个参考单元相关联的参考数据线，耦合到参考数据线的第一电路和数据线和第二电路。第一电路被配置为当基准数据线的电压电平达到跳变点时，基于数据线的电压电平输出第一逻辑值。第二电路被配置为基于在到达跳变点的参考数据线的电压电平发生之前的数据线上的电压电平输出第二逻辑值，并且在发生之后输出第一逻辑值参考数据线的电压电平达到跳变点。

3. 发明授权

US3566461A Method of making a magnetic circuit element 失效
标题翻译：制造磁电元件的方法
公开(公告)号：US3566461A
公开(公告)日：1971-03-02
申请号：US3566461D
申请日：1968-07-02
申请人： CSF
发明人： CARBONEL MICHEL
IPC分类号： G11C5/02 , G11C11/08 , H01F10/06 , H01F7/06
CPC分类号： G11C11/08 , G11C5/02 , H01F10/06 , Y10T29/49069
摘要： A method for manufacturing integrated circuit elements, including a ferromagnetic plate with an aperture through which extend the associated conductors, comprises essentially the steps of depositing copper on the two sides of the plate, forming holes in the sandwich thus obtained, electrodepositing, with the copper as an anode, a conductor along a pattern alternately extending on the two sides of the said plate, and through said holes; forming the aperture in the plate; removing the remaining copper and inserting between the plate and the conductor an insulating material.

4. 发明授权

US3434129A Magnetic transfluxor matrix information storage device 失效
标题翻译：磁传感器矩阵信息存储设备
公开(公告)号：US3434129A
公开(公告)日：1969-03-18
申请号：US3434129D
申请日：1968-02-14
申请人： OLIVETTI GENERAL ELECTRIC SPA
发明人： CANEPA MICHELE
IPC分类号： G11C11/08 , G11C17/02 , G11B5/30
CPC分类号： G11C11/08 , G11C17/02

5. 发明授权

US3292166A Multi-aperture core coincidence memory 失效
标题翻译：多孔核心巧合记忆
公开(公告)号：US3292166A
公开(公告)日：1966-12-13
申请号：US29400463
申请日：1963-07-10
申请人： MOTOROLA INC
发明人： NESS BRADFORD O VAN , BUEHRLE WILLIAM B
IPC分类号： G11C11/08
CPC分类号： G11C11/08

6. 发明授权

US3249923A Information handling apparatus 失效
公开(公告)号：US3249923A
公开(公告)日：1966-05-03
申请号：US24383662
申请日：1962-12-11
申请人： RCA CORP
发明人： SIMSHAUSER ELVIN D
IPC分类号： G11C11/08 , H03K17/80
CPC分类号： G11C11/08 , H03K17/80

7. 发明授权

US3192512A Nondestructive readout permalloy transfluxor memory system 失效
标题翻译：非破坏性读出坡莫合金转速记忆体系统
公开(公告)号：US3192512A
公开(公告)日：1965-06-29
申请号：US20686462
申请日：1962-07-02
申请人： SPERRY RAND CORP
发明人： KORKOWSKI VINCENT J
IPC分类号： G11C11/08
CPC分类号： G11C11/08

8. 发明授权

US3102328A Method of packaging and interconnecting circuit components 失效
标题翻译：封装和互连电路元件的方法
公开(公告)号：US3102328A
公开(公告)日：1963-09-03
申请号：US83666759
申请日：1959-08-28
申请人： IBM
发明人： SCHULTZ FREDERICK A , NOELL NEWTON G
IPC分类号： G11C5/08 , G11C7/02 , G11C11/08
CPC分类号： G11C5/08 , G11C11/08 , Y10T29/49069

9. 发明授权

US3078447A Coincident flux memory device 失效
标题翻译：重合通量记忆装置
公开(公告)号：US3078447A
公开(公告)日：1963-02-19
申请号：US9992361
申请日：1961-03-31
申请人： BELL TELEPHONE LABOR INC
发明人： KETCHLEDGE RAYMOND W
IPC分类号： G11C11/06 , G11C11/08
CPC分类号： G11C11/06 , G11C11/08

10. 发明授权

US3077584A Magnetic memory technique 失效
标题翻译：磁记忆技术
公开(公告)号：US3077584A
公开(公告)日：1963-02-12
申请号：US76281258
申请日：1958-09-23
申请人： IBM
发明人： ESCHENFELDER ANDREW H
IPC分类号： G11C7/00 , G11C7/04 , G11C11/08
CPC分类号： G11C7/00 , G11C11/08

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