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    • 3. 发明授权
    • Method and apparatus for cleaning low K dielectric and metal wafer surfaces
    • 用于清洁低K电介质和金属晶片表面的方法和设备
    • US06277203B1
    • 2001-08-21
    • US09197348
    • 1998-11-20
    • Linda JiangDiane J. Hymes
    • Linda JiangDiane J. Hymes
    • C23G102
    • H01L21/0206B08B1/04B08B3/08H01L21/02063H01L21/02074H01L21/67046Y10S134/902
    • Provided is a method for cleaning hydrophobic surfaces, such as low K dielectric organic or inorganic surfaces as well as metallization surfaces of a semiconductor wafer. The method includes: (a) applying a surfactant solution to the surface; (c) scrubbing the surface; and (c) spin-rinsing the surface of the substrate using de-ionized water to complete a removal of any contaminants from the surface. If needed, the surfactant solution can be mixed with a chemical enhancer, and the scrubbing can be performed in a brush system. The brush system may be configured to apply DI water using a through the brush (TTB) technique. The surfactant solution can be applied either using a drip technique or using the TTB technique.
    • 提供了用于清洁疏水性表面的方法,例如低K介电有机或无机表面以及半导体晶片的金属化表面。 该方法包括:(a)将表面活性剂溶液施用于表面; (c)擦洗表面; 和(c)使用去离子水旋转漂洗基材的表面以完成从表面去除任何污染物。 如果需要,表面活性剂溶液可以与化学增强剂混合,并且洗刷可以在刷系统中进行。 刷系统可以被配置为使用通过刷(TTB)技术来施加去离子水。 表面活性剂溶液可以使用滴灌技术或使用TTB技术来应用。