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1. 发明授权

US09500946B2 Sidewall spacer patterning method using gas cluster ion beam 有权
标题翻译：采用气体簇离子束的侧壁间隔图案化方法
公开(公告)号：US09500946B2
公开(公告)日：2016-11-22
申请号：US14661411
申请日：2015-03-18
申请人： TEL Epion Inc.
发明人： Soo Doo Chae , Youngdon Chang , Il-seok Song , Noel Russell
IPC分类号： H01L21/302 , G03F7/00 , H01L21/308 , C23F4/00
CPC分类号： G03F7/00 , C23F4/00 , G03F7/40 , H01L21/3086
摘要： A method for patterning a substrate is described. The method includes receiving a substrate having a patterned layer, wherein the patterned layer defines a first mandrel pattern, and wherein a first material layer of a first composition is conformally deposited over the first mandrel pattern. The method further includes partially removing the first material layer using a first gas cluster ion beam (GCIB) etching process to expose a top surface of the first mandrel pattern, open a portion of the first material layer at a bottom region adjacent a feature of the first mandrel pattern, and retain a remaining portion of the first material layer on sidewalls of the first mandrel pattern; and selectively removing the first mandrel pattern using one or more etching processes to leave a second mandrel pattern comprising the remaining portion of the first material layer that remained on the sidewalls of the first mandrel pattern.
摘要翻译：描述了用于图案化衬底的方法。该方法包括接收具有图案化层的衬底，其中图案化层限定第一心轴图案，并且其中第一组合物的第一材料层共形沉积在第一心轴图案上。该方法还包括使用第一气体簇离子束（GCIB）蚀刻工艺部分地去除第一材料层，以暴露第一心轴图案的顶表面，在邻近第一心轴图案的特征的底部区域处打开第一材料层的一部分第一心轴图案，并且将第一材料层的剩余部分保持在第一心轴图案的侧壁上; 以及使用一个或多个蚀刻工艺选择性地去除所述第一心轴图案以留下第二心轴图案，所述第二心轴图案包括残留在所述第一心轴图案的侧壁上的所述第一材料层的剩余部分。

2. 发明申请

US20160222521A1 SIDEWALL SPACER PATTERNING METHOD USING GAS CLUSTER ION BEAM 有权
标题翻译：使用气体聚束离子束的平台间隔图案方法
公开(公告)号：US20160222521A1
公开(公告)日：2016-08-04
申请号：US14661411
申请日：2015-03-18
申请人： TEL Epion Inc.
发明人： Soo Doo Chae , Youngdon Chang , Il-seok Song , Noel Russell
IPC分类号： C23F1/00
CPC分类号： G03F7/00 , C23F4/00 , G03F7/40 , H01L21/3086
摘要： A method for patterning a substrate is described. The method includes receiving a substrate having a patterned layer, wherein the patterned layer defines a first mandrel pattern, and wherein a first material layer of a first composition is conformally deposited over the first mandrel pattern. The method further includes partially removing the first material layer using a first gas cluster ion beam (GCIB) etching process to expose a top surface of the first mandrel pattern, open a portion of the first material layer at a bottom region adjacent a feature of the first mandrel pattern, and retain a remaining portion of the first material layer on sidewalls of the first mandrel pattern; and selectively removing the first mandrel pattern using one or more etching processes to leave a second mandrel pattern comprising the remaining portion of the first material layer that remained on the sidewalls of the first mandrel pattern.
摘要翻译：描述了用于图案化衬底的方法。该方法包括接收具有图案化层的衬底，其中图案化层限定第一心轴图案，并且其中第一组合物的第一材料层共形沉积在第一心轴图案上。该方法还包括使用第一气体簇离子束（GCIB）蚀刻工艺部分地去除第一材料层，以暴露第一心轴图案的顶表面，在邻近第一心轴图案的特征的底部区域处打开第一材料层的一部分第一心轴图案，并且将第一材料层的剩余部分保持在第一心轴图案的侧壁上; 以及使用一个或多个蚀刻工艺选择性地去除所述第一心轴图案以留下第二心轴图案，所述第二心轴图案包括残留在所述第一心轴图案的侧壁上的所述第一材料层的剩余部分。

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