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1. 发明申请

US20060040208A1 Chemical amplification resist composition and pattern-forming method using the same 失效
标题翻译：化学放大抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
公开(公告)号：US20060040208A1
公开(公告)日：2006-02-23
申请号：US11206220
申请日：2005-08-18
申请人： Shinji Tarutani , Hyou Takahashi , Kenji Wada
发明人： Shinji Tarutani , Hyou Takahashi , Kenji Wada
IPC分类号： G03C1/76
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392
摘要： A chemical amplification resist composition comprising (A) a resin increasing the solubility in an alkali developer by the action of an acid, (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic ray or radiation, (C) a compound having a fluorine atom and a hydroxyl group, and a pKa value of from 4 to 15, and (D) a solvent, and a pattern-forming method using the same.
摘要翻译：一种化学放大抗蚀剂组合物，其包含（A）通过酸的作用增加在碱性显影剂中的溶解度的树脂，（B）在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物，（C）具有氟原子和羟基，pKa值为4〜15，和（D）溶剂，以及使用其的图案形成方法。

2. 发明授权

US07425404B2 Chemical amplification resist composition and pattern-forming method using the same 失效
标题翻译：化学放大抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
公开(公告)号：US07425404B2
公开(公告)日：2008-09-16
申请号：US11206220
申请日：2005-08-18
申请人： Shinji Tarutani , Hyou Takahashi , Kenji Wada
发明人： Shinji Tarutani , Hyou Takahashi , Kenji Wada
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/038
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392
摘要： A chemical amplification resist composition comprising (A) a resin increasing the solubility in an alkali developer by the action of an acid, (B) a compound capable of generating an acid upon irradiation with actinic ray or radiation, (C) a compound having a fluorine atom and a hydroxyl group, and a pKa value of from 4 to 15, and (D) a solvent, and a pattern-forming method using the same.
摘要翻译：一种化学放大抗蚀剂组合物，其包含（A）通过酸的作用增加在碱性显影剂中的溶解度的树脂，（B）在用光化射线或辐射照射时能够产生酸的化合物，（C）具有氟原子和羟基，pKa值为4〜15，和（D）溶剂，以及使用其的图案形成方法。

3. 发明授权

US07914965B2 Resist composition and method of pattern formation with the same 有权
标题翻译：抗蚀剂的组成和图案形成方法相同
公开(公告)号：US07914965B2
公开(公告)日：2011-03-29
申请号：US11229518
申请日：2005-09-20
申请人： Hyou Takahashi , Kenji Wada
发明人： Hyou Takahashi , Kenji Wada
IPC分类号： G03F7/038 , G03F7/039 , G03F7/30
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/116
摘要： A resist composition comprises (A) a compound having a molecular weight of 3,000 or lower which has in its molecule a structure having two or more monovalent anions and a structure having two or more monovalent cations.
摘要翻译：抗蚀剂组合物包含（A）分子量为3,000以下的化合物，其分子中具有两个以上一价阴离子的结构和具有两个以上一价阳离子的结构。

4. 发明申请

US20060068320A1 Resist composition and method of pattern formation with the same 有权
标题翻译：抗蚀剂组成和图案形成方法相同
公开(公告)号：US20060068320A1
公开(公告)日：2006-03-30
申请号：US11229518
申请日：2005-09-20
申请人： Hyou Takahashi , Kenji Wada
发明人： Hyou Takahashi , Kenji Wada
IPC分类号： G03C1/76
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/038 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , Y10S430/116
摘要： A resist composition comprises (A) a compound having a molecular weight of 3,000 or lower which has in its molecule a structure having two or more monovalent anions and a structure having two or more monovalent cations.
摘要翻译：抗蚀剂组合物包含（A）分子量为3,000以下的化合物，其分子中具有两个以上一价阴离子的结构和具有两个以上一价阳离子的结构。

5. 发明授权

US07105273B2 Positive resist composition 有权
标题翻译：正抗蚀剂组成
公开(公告)号：US07105273B2
公开(公告)日：2006-09-12
申请号：US10634954
申请日：2003-08-06
申请人： Shoichiro Yasunami , Hyou Takahashi , Kazuyoshi Mizutani
发明人： Shoichiro Yasunami , Hyou Takahashi , Kazuyoshi Mizutani
IPC分类号： G03F7/04
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： A positive resist composition of the present invention achieving significant performance improvements in high energy-beam lithography, which comprises a phenolic polymer having a property of being insoluble or hardly soluble in an aqueous alkali solution and becoming soluble in an aqueous alkali solution by the action of an acid, in which the phenolic polymer includes a repeating unit containing at least one selected from the group consisting of an acetal-protected phenolic hydroxyl group, a ketal-protected phenolic hydroxyl group, a tertiary ester-protected carboxyl group and a tetrahydropyranyl-protected carboxyl group; and a compound having a phenacylsulfonium structure and capable of generating an acid upon irradiation with one of actinic rays and radiation.
摘要翻译：本发明的正型抗蚀剂组合物在高能束光刻中获得显着性能改进，其包括具有不溶性或几乎不溶于碱性水溶液的性质的酚醛聚合物，并且通过作用于碱性溶液一种酸，其中酚类聚合物包括含有选自缩醛保护的酚羟基，缩酮保护的酚羟基，叔酯保护的羧基和四氢吡喃基保护的羧基中的至少一种的重复单元羧基; 和具有苯甲酰甲基锍结构并能够在用光化射线和辐射之一照射时产生酸的化合物。

6. 发明申请

US20050079441A1 Positive resist composition and pattern forming method using the same 审中-公开
标题翻译：正型抗蚀剂组合物和使用其的图案形成方法
公开(公告)号：US20050079441A1
公开(公告)日：2005-04-14
申请号：US10958346
申请日：2004-10-06
申请人： Hyou Takahashi
发明人： Hyou Takahashi
IPC分类号： G03F7/039 , G03C1/73 , G03C1/76 , G03F7/004 , H01L21/027
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0395 , G03F7/0397
摘要： A positive resist composition comprising: (A) a resin which increases a solubility of the resin (A) in an alkali developer by an action of an acid; (B-1) a triarylsulfonium salt having a fluorine atom in a cation part of the triarylsulfonium salt, wherein the triarylsulfonium salt generates one of: an aliphatic sulfonic acid having a fluorine atom; and an aromatic sulfonic acid having a fluorine atom upon irradiation with one of an actinic ray and a radiation; (C) a nitrogen-containing basic compound; and (D) an organic solvent, and pattern forming method using the same.
摘要翻译：一种正型抗蚀剂组合物，其包含：（A）通过酸的作用增加树脂（A）在碱性显影剂中的溶解度的树脂; （B-1）在三芳基锍盐的阳离子部分具有氟原子的三芳基锍盐，其中所述三芳基锍盐产生以下物质之一：具有氟原子的脂族磺酸; 以及在用光化射线和辐射之一照射时具有氟原子的芳香族磺酸; （C）含氮碱性化合物; 和（D）有机溶剂，以及使用其的图案形成方法。

7. 发明授权

US09052594B2 Positive photosensitive composition and method of forming pattern using the same 有权
标题翻译：正光敏组合物及使用其形成图案的方法
公开(公告)号：US09052594B2
公开(公告)日：2015-06-09
申请号：US13293290
申请日：2011-11-10
申请人： Hyou Takahashi , Naoya Sugimoto , Kunihiko Kodama , Kei Yamamoto
发明人： Hyou Takahashi , Naoya Sugimoto , Kunihiko Kodama , Kei Yamamoto
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/26 , G03F7/039 , G03F7/38
CPC分类号： G03F7/0397 , C08F224/00 , G03F7/26 , G03F7/38 , Y10S430/106 , Y10S430/111
摘要： A positive photosensitive composition includes: a resin (A) whose dissolution rate in an alkaline developing solution increases by the action of an acid, the resin (A) containing an acid decomposable repeating unit represented by a general formula (I) and an acid nondecomposable repeating unit represented by a general formula (II); and a compound (B) capable of generating an acid upon irradiation with one of active rays and radiations: wherein Xa1 represents one of a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, and a halogen atom, A1 represents one of a single bond and a divalent connecting group, ALG represents an acid leaving hydrocarbon group, Xa2 represents one of a hydrogen atom, an alkyl group, a cyano group, and a halogen atom, A2 represents one of a single bond and a divalent connecting group, and ACG represents an acid nonleaving hydrocarbon group.
摘要翻译：正型感光性组合物包括：通过酸的作用使碱性显影液中的溶解速度增加的树脂（A），含有由通式（I）表示的酸分解性重复单元的树脂（A）和不分解酸由通式（II）表示的重复单元; 以及能够在照射活性射线和辐射之一时产生酸的化合物（B）：其中Xa1表示氢原子，烷基，氰基和卤素原子中的一个，A1表示单键和二价连接基团，ALG表示离去烃基的酸，Xa2表示氢原子，烷基，氰基和卤素原子中的一个，A2表示单键和二价连接基团之一，ACG 代表无酸的酸性烃基。

8. 发明授权

US07326516B2 Resist composition for immersion exposure and pattern formation method using the same 有权
标题翻译：用于浸渍曝光的抗蚀组合物和使用其的图案形成方法
公开(公告)号：US07326516B2
公开(公告)日：2008-02-05
申请号：US11050721
申请日：2005-02-07
申请人： Fumiyuki Nishiyama , Hyou Takahashi
发明人： Fumiyuki Nishiyama , Hyou Takahashi
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/00
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0048 , G03F7/0395 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： A resist composition for immersion, comprises: (A) a resin of which solubility in an alkali developer increases under an action of an acid; (B) a photoacid generator; and (C) a mixed solvent containing an alkylene glycol alkyl ether carboxylate and a propylene glycol monomethyl ether.
摘要翻译：用于浸渍的抗蚀剂组合物包括：（A）在酸的作用下在碱性显影剂中的溶解度增加的树脂; （B）光致酸发生器; 和（C）含有亚烷基二醇烷基醚羧酸酯和丙二醇单甲基醚的混合溶剂。

9. 发明授权

US07083892B2 Resist composition 有权
公开(公告)号：US07083892B2
公开(公告)日：2006-08-01
申请号：US10606845
申请日：2003-06-27
申请人： Hyou Takahashi , Shoichiro Yasunami , Kazuyoshi Mizutani
发明人： Hyou Takahashi , Shoichiro Yasunami , Kazuyoshi Mizutani
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0382 , G03F7/0045 , G03F7/0392
摘要： The resist composition of the present invention, ensuring excellent pattern profile and excellent isolation performance for use in the pattern formation by the irradiation of actinic rays or radiation, particularly, electron beam, X ray or EUV light, which comprising (A) a compound having a specific partial structure and a counter ion, the compound generating an acid upon irradiation of actinic rays or radiation.

10. 发明授权

US06902862B2 Resist composition 失效
标题翻译：抗蚀组成
公开(公告)号：US06902862B2
公开(公告)日：2005-06-07
申请号：US10654942
申请日：2003-09-05
申请人： Hyou Takahashi , Kazuyoshi Mizutani , Shoichiro Yasunami
发明人： Hyou Takahashi , Kazuyoshi Mizutani , Shoichiro Yasunami
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/038 , G03F7/039 , H01L21/027 , G03C5/00
CPC分类号： G03F7/038 , G03F7/0045 , G03F7/0382 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , Y10S430/115
摘要： A negative type resist composition comprising: (A1) a compound generating a sulfonic acid upon irradiation with actinic rays or a radiation and having the specific formula, (A2) a compound generating a sulfonic acid upon irradiation with actinic rays or a radiation and having the specific structure, (B) an alkali-soluble resin, and (C) a crosslinking agent capable of carrying out an addition reaction with the alkali-soluble resin which is the component (B) by the action of an acid.
摘要翻译：一种负型抗蚀剂组合物，其包含：（A1）在用光化射线或辐射照射时产生磺酸的化合物，并具有下列特定结构式：（A2）在用光化射线或辐射照射时产生磺酸的化合物，并具有特定结构，（B）碱溶性树脂，（C）能够通过酸作为成分（B）的碱溶性树脂进行加成反应的交联剂。

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