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    • 2. 发明授权
      US09102901B2 Methods and compositions for removal of metal hardmasks 有权
    • Methods and compositions for removal of metal hardmasks
    • 用于去除金属硬掩模的方法和组合物
    • US09102901B2
    • 2015-08-11
    • US13786834
    • 2013-03-06
    • Rohm and Haas Electronic Materials LLC
    • Deyan Wang , Martin W. Bayes , Peter Trefonas , Kathleen M. O'connell
    • C11D3/04 , C11D11/00
    • C11D3/046 , C09K13/00 , C09K13/08 , C11D11/0047 , H01L21/0332 , H01L21/32134
    • The invention provides a process for removing a film from a substrate, said process comprising applying a composition to the film, and wherein the composition comprises at least the following: a) water; and b) at least one compound selected from the following compounds (i-v): i) NR4HF2 (Formula 1), wherein R═H, alkyl, substituted alkyl, ii) NR4F (Formula 2), wherein R═H, alkyl, substituted alkyl, iii) HF (hydrofluoric acid), iv) H2SiF6 (hexafluorosilicic acid), or v) combinations thereof. The invention also provides a composition comprising at least the following: a) water; and b) at least one compound selected from the following compounds (i-v): i) NR4HF2 (Formula 1), wherein R═H, alkyl, substituted alkyl, ii) NR4F (Formula 2), wherein R═H, alkyl, substituted alkyl, iii) HF (hydrofluoric acid), iv) H2SiF6 (hexafluorosilicic acid), or v) combinations thereof.
    • 本发明提供了一种从基材中除去膜的方法，所述方法包括将组合物施加到膜上，并且其中所述组合物至少包含以下物质：a）水; 和b）至少一种选自以下化合物（iv）的化合物：i）NR 4 HF 2（式1），其中R = H，烷基，取代的烷基，ii）NR 4 F（式2），其中R = H，烷基， 烷基，iii）HF（氢氟酸），iv）H 2 SiF 6（六氟硅酸）或v）其组合。 本发明还提供至少包含以下物质的组合物：a）水; 和b）至少一种选自以下化合物（iv）的化合物：i）NR 4 HF 2（式1），其中R = H，烷基，取代的烷基，ii）NR 4 F（式2），其中R = H，烷基， 烷基，iii）HF（氢氟酸），iv）H 2 SiF 6（六氟硅酸）或v）其组合。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 4. 发明申请
      US20140179582A1 METHODS AND COMPOSITIONS FOR REMOVAL OF METAL HARDMASKS 有权
    • METHODS AND COMPOSITIONS FOR REMOVAL OF METAL HARDMASKS
    • 用于去除金属硬质合金的方法和组合物
    • US20140179582A1
    • 2014-06-26
    • US13786834
    • 2013-03-06
    • ROHM AND HAAS ELECTRONIC MATERIALS LLC
    • Deyan Wang , Martin W. Bayes , Peter Trefonas , Kathleen M. O'connell
    • C11D3/04 , C11D7/10
    • C11D3/046 , C09K13/00 , C09K13/08 , C11D11/0047 , H01L21/0332 , H01L21/32134
    • The invention provides a process for removing a film from a substrate, said process comprising applying a composition to the film, and wherein the composition comprises at least the following: a) water; and b) at least one compound selected from the following compounds (i-v): i) NR4HF2 (Formula 1), wherein R═H, alkyl, substituted alkyl, ii) NR4F (Formula 2), wherein R═H, alkyl, substituted alkyl, iii) HF (hydrofluoric acid), iv) H2SiF6 (hexafluorosilicic acid), or v) combinations thereof. The invention also provides a composition comprising at least the following: a) water; and b) at least one compound selected from the following compounds (i-v): i) NR4HF2 (Formula 1), wherein R═H, alkyl, substituted alkyl, ii) NR4F (Formula 2), wherein R═H, alkyl, substituted alkyl, iii) HF (hydrofluoric acid), iv) H2SiF6 (hexafluorosilicic acid), or v) combinations thereof.
    • 本发明提供了一种从基材中除去膜的方法，所述方法包括将组合物施加到膜上，并且其中所述组合物至少包含以下物质：a）水; 和b）至少一种选自以下化合物（iv）的化合物：i）NR 4 HF 2（式1），其中R = H，烷基，取代的烷基，ii）NR 4 F（式2），其中R = H，烷基， 烷基，iii）HF（氢氟酸），iv）H 2 SiF 6（六氟硅酸）或v）其组合。 本发明还提供至少包含以下物质的组合物：a）水; 和b）至少一种选自以下化合物（iv）的化合物：i）NR 4 HF 2（式1），其中R = H，烷基，取代的烷基，ii）NR 4 F（式2），其中R = H，烷基， 烷基，iii）HF（氢氟酸），iv）H 2 SiF 6（六氟硅酸）或v）其组合。
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