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    • 8. 发明授权
    • Gas sensor
    • 气体传感器
    • US5824271A
    • 1998-10-20
    • US809264
    • 1997-03-13
    • Joachim FrankMaximilian FleischerHans Meixner
    • Joachim FrankMaximilian FleischerHans Meixner
    • G01N27/12G01N33/00G01N27/403
    • G01N33/0031G01N27/12Y10T436/205831Y10T436/208339Y10T436/214
    • A substrate carrying a first electrode and a second electrode, the first and second electrodes being disposed adjacent to one another, the first electrode being disposed between the substrate and a gas-sensitive component, the gas sensitive component comprising an n-type semiconductor, the gas-sensitive component having a resistance that is gas-dependent and temperature-dependent, and the second electrode being disposed between the substrate and a non-gas-sensitive component, the non-gas-sensitive component comprising a n-type semiconductor and a p-type semiconductor, the non-gas-sensitive component having a resistance that is temperature-dependent and that is not gas-dependent and wherein the n-type semiconductor of the non-gas-sensitive component is Ga.sub.2 O.sub.3 and the p-type semiconductor of the non-gas-sensitive component is ZrO.sub.2.
    • PCT No.PCT / DE95 / 01242 Sec。 371日期1997年3月13日 102(e)1997年3月13日PCT PCT 1995年9月11日PCT公布。 出版物WO96 / 0871200 日期1996年3月21日具有第一电极和第二电极的基板,第一和第二电极彼此相邻配置,第一电极设置在基板和气体敏感部件之间,气体敏感元件包括n 所述气敏元件具有气体依赖性和温度依赖性的电阻,所述第二电极设置在所述基板和非气体敏感性部件之间,所述非气敏元件包括n型半导体 型半导体和p型半导体,非气敏元件具有温度依赖性且不依赖于气体的电阻,其中非气敏元件的n型半导体为Ga 2 O 3, 非气敏组分的p型半导体是ZrO 2。