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1. 发明授权

US09176553B2 Semiconductor device employing DVFS function 有权
标题翻译：采用DVFS功能的半导体器件
公开(公告)号：US09176553B2
公开(公告)日：2015-11-03
申请号：US13942141
申请日：2013-07-15
申请人： PS4 LUXCO S.A.R.L.
发明人： Kazuhiko Kajigaya , Takamasa Suzuki
IPC分类号： G11C7/00 , G06F1/26 , G06F1/32
CPC分类号： G11C11/4076 , G06F1/26 , G06F1/3275 , G11C11/4091 , G11C11/4096 , Y02D10/13 , Y02D10/14
摘要： Disclosed herein is a device that includes: a memory cell array including a plurality of memory cells, the memory cell array operates on a first internal voltage; a peripheral circuit accessing selected one or ones of the memory cells, the peripheral circuit operates on a second internal voltage; a first internal voltage generation circuit that supplies the first internal voltage to the memory cell array; and a second internal voltage generation circuit that supplies the second internal voltage to the peripheral circuit. The second internal voltage generation circuit sets the second internal voltage to a first voltage value in a first mode, and to a second voltage value that is different from the first voltage value in a second mode. The first internal voltage generation circuit sets the first internal voltage to a third voltage value in both the first and second modes.
摘要翻译：这里公开了一种装置，其包括：包括多个存储单元的存储单元阵列，所述存储单元阵列在第一内部电压上工作; 外围电路访问所选择的一个或多个存储单元，外围电路工作在第二内部电压上; 将第一内部电压提供给存储单元阵列的第一内部电压产生电路; 以及将第二内部电压提供给外围电路的第二内部电压产生电路。第二内部电压产生电路将第二内部电压设置为第一模式中的第一电压值，并将第二内部电压设置为与第二模式中的第一电压值不同的第二电压值。第一内部电压产生电路将第一内部电压设置为第一和第二模式中的第三电压值。

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