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    • 7. 发明授权
    • Semiconductor laser device having an SBR structure
    • 具有SBR结构的半导体激光器件
    • US06424668B1
    • 2002-07-23
    • US09351803
    • 1999-07-13
    • Minoru Murayama
    • Minoru Murayama
    • H01S500
    • H01S5/2231H01S5/2004H01S5/32325
    • A semiconductor laser device includes a substrate formed of GaAs. A lower electrode is formed on an underside of this substrate. Formed, on a top surface of the substrate, are a lower cladding layer, an active layer and a first upper cladding layer. A ridge including a second upper cladding layer is formed on the first upper cladding layer. A current restricting layer is formed in a manner of clamping this ridge from both sides. A contact layer is formed on the ridge and current restricting layer. A third upper cladding layer is formed between the ridge and current restricting layer and the contact layer.
    • 半导体激光器件包括由GaAs形成的衬底。 在该基板的下侧形成下电极。 在基板的上表面上形成有下包层,有源层和第一上包层。 在第一上包层上形成包括第二上覆层的脊。 电流限制层以从两侧夹持该脊的方式形成。 接触层形成在脊和电流限制层上。 在脊和电流限制层和接触层之间形成第三上覆层。