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1. 发明申请

US20110123936A1 RESIST PATTERN COATING AGENT AND RESIST PATTERN-FORMING METHOD 审中-公开
标题翻译：电阻图案涂料和电阻图案形成方法
公开(公告)号：US20110123936A1
公开(公告)日：2011-05-26
申请号：US13022560
申请日：2011-02-07
申请人： Masafumi HORI , Michihiro Mita , Kouichi Fujiwara , Katsuhiko Hieda , Yoshikazu Yamaguchi , Tomohiro Kakizawa
发明人： Masafumi HORI , Michihiro Mita , Kouichi Fujiwara , Katsuhiko Hieda , Yoshikazu Yamaguchi , Tomohiro Kakizawa
IPC分类号： G03F7/20 , C08L61/28 , C08L33/26 , C08L41/00
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/0035 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041
摘要： A resist pattern coating agent includes a hydroxyl group-containing resin, a solvent, and at least two compounds including at least two groups shown by a following formula (1), compounds including a group shown by a following formula (2), and compounds including a group shown by a following formula (4).
摘要翻译：抗蚀剂图案涂布剂包括含羟基的树脂，溶剂和至少两种包含由下式（1）表示的至少两个基团的化合物，包括由下式（2）表示的基团的化合物和化合物包括由下式（4）表示的组。

2. 发明申请

US20110223544A1 RESIST PATTERN COATING AGENT AND RESIST PATTERN FORMING METHOD USING THE SAME 审中-公开
标题翻译：电阻图案涂层剂和抗蚀剂图案形成方法
公开(公告)号：US20110223544A1
公开(公告)日：2011-09-15
申请号：US13089323
申请日：2011-04-19
申请人： Yuji YADA , Yusuke Anno , Tomohiro Kakizawa , Masafumi Hori , Michihiro Mita , Goji Wakamatsu
发明人： Yuji YADA , Yusuke Anno , Tomohiro Kakizawa , Masafumi Hori , Michihiro Mita , Goji Wakamatsu
IPC分类号： G03F7/20 , C08K5/05
CPC分类号： H01L21/0273 , G03F7/0035 , G03F7/0037 , G03F7/40
摘要： A resist pattern coating agent includes a hydroxyl group-containing resin and a solvent. The solvent includes an alcohol shown by a following formula (1) in an amount of about 30 mass % or more, R—OH (1) wherein R represents a branched alkyl group having 3 to 10 carbon atoms. The resist pattern coating agent is used in a resist pattern-forming method. The method includes forming a first resist pattern on a substrate using a first radiation-sensitive resin composition. The first resist pattern is treated with the resist pattern coating agent. A second resist pattern is formed on the substrate treated with the resist pattern coating agent using a second radiation-sensitive resin composition.
摘要翻译：抗蚀剂图案涂布剂包括含羟基的树脂和溶剂。溶剂包括由下式（1）表示的醇，其量为约30质量％以上，R-OH（1）其中R表示碳原子数为3〜10的支链烷基。抗蚀剂图案涂布剂以抗蚀剂图案形成方法使用。该方法包括使用第一辐射敏感树脂组合物在基底上形成第一抗蚀剂图案。用抗蚀剂图案涂布剂处理第一抗蚀剂图案。使用第二辐射敏感性树脂组合物在由抗蚀剂图案涂布剂处理的基材上形成第二抗蚀剂图案。

3. 发明授权

US08765355B2 Radiation sensitive resin composition, method for forming a pattern, polymer and compound 有权
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物，形成图案的方法，聚合物和化合物
公开(公告)号：US08765355B2
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：US13459023
申请日：2012-04-27
申请人： Takakazu Kimoto , Mitsuo Sato , Yusuke Asano , Tomohiro Kakizawa
发明人： Takakazu Kimoto , Mitsuo Sato , Yusuke Asano , Tomohiro Kakizawa
IPC分类号： G03F7/039 , G03F7/30 , C08F12/20
CPC分类号： C08K5/375 , C08K5/205 , C08L101/02 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/38 , H01L21/027
摘要： A radiation sensitive resin composition includes a first polymer having a group represented by a following formula (1), and a radiation sensitive acid generator. n is an integer of 2 to 4. X represents a single bond or a bivalent organic group. A represents a (n+1) valent linking group. Each Q independently represents a group that includes an alkali-dissociable group.
摘要翻译：辐射敏感性树脂组合物包括具有由下式（1）表示的基团的第一聚合物和辐射敏感性酸发生剂。 n为2〜4的整数.X表示单键或二价有机基团。 A表示（n + 1）价连接基团。每个Q独立地表示包括碱解离基团的基团。

4. 发明申请

US20120156621A1 RADIATION-SENSITIVE RESIN COMPOSITION 审中-公开
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物
公开(公告)号：US20120156621A1
公开(公告)日：2012-06-21
申请号：US13403036
申请日：2012-02-23
申请人： Atsushi NAKAMURA , Tsutomu Shimokawa , Junichi Takahashi , Takayoshi Abe , Tomoki Nagai , Tomohiro Kakizawa
发明人： Atsushi NAKAMURA , Tsutomu Shimokawa , Junichi Takahashi , Takayoshi Abe , Tomoki Nagai , Tomohiro Kakizawa
IPC分类号： G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/40 , H01L21/0273 , Y10S430/106
摘要： A radiation-sensitive resin composition includes a resin including a repeating unit shown by a following general formula (1), a photoacid generator and a photodisintegrating base shown by a following general formula (8). R2 represents a hydrogen atom or a methyl group, and each of R2s individually represents a monovalent alicyclic hydrocarbon group having 4 to 20 carbon atoms or a derivative thereof, a linear or branched alkyl group having 1 to 4 carbon atoms, or the like. Each of R18 to R20 individually represents a hydrogen atom, an alkyl group, an alkoxy group, a hydroxyl group or a halogen atom, and Z− represents OH−, R—COO−, R—SO3− or an anion shown by a following formula (10), wherein R represents an alkyl group, an aryl group or an alkaryl group.
摘要翻译：辐射敏感性树脂组合物包括含有下列通式（1）表示的重复单元的树脂，光致酸产生剂和由以下通式（8）表示的光致聚合碱。 R2表示氢原子或甲基，R2各自表示碳原子数为4〜20的一价脂环式烃基或其衍生物，碳原子数为1〜4的直链或支链烷基等。 R 18〜R 20各自独立地表示氢原子，烷基，烷氧基，羟基或卤素原子，Z-表示OH-，R-COO-，R-SO 3 - 或下述式（10），其中R表示烷基，芳基或烷芳基。

5. 发明申请

US20120276482A1 RADIATION SENSITIVE RESIN COMPOSITION, METHOD FOR FORMING A PATTERN, POLYMER AND COMPOUND 有权
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物，形成图案，聚合物和化合物的方法
公开(公告)号：US20120276482A1
公开(公告)日：2012-11-01
申请号：US13459023
申请日：2012-04-27
申请人： Takakazu Kimoto , Mitsuo Sato , Yusuke Asano , Tomohiro Kakizawa
发明人： Takakazu Kimoto , Mitsuo Sato , Yusuke Asano , Tomohiro Kakizawa
IPC分类号： C07C69/604 , G03F7/20 , C07D307/93 , C07C69/753 , C07C69/54 , G03F7/004 , C08F214/18
CPC分类号： C08K5/375 , C08K5/205 , C08L101/02 , G03F7/0046 , G03F7/039 , G03F7/0392 , G03F7/0397 , G03F7/2041 , G03F7/38 , H01L21/027
摘要： A radiation sensitive resin composition includes a first polymer having a group represented by a following formula (1), and a radiation sensitive acid generator. n is an integer of 2 to 4. X represents a single bond or a bivalent organic group. A represents a (n+1) valent linking group. Each Q independently represents a group that includes an alkali-dissociable group.
摘要翻译：辐射敏感性树脂组合物包括具有由下式（1）表示的基团的第一聚合物和辐射敏感性酸发生剂。 n为2〜4的整数.X表示单键或二价有机基团。 A表示（n + 1）价连接基团。每个Q独立地表示包括碱解离基团的基团。

6. 发明申请

US20120244478A1 RESIST PATTERN FORMATION METHOD 审中-公开
标题翻译：电阻图案形成方法
公开(公告)号：US20120244478A1
公开(公告)日：2012-09-27
申请号：US13489683
申请日：2012-06-06
申请人： Atsushi Nakamura , Tomoki Nagai , Takayoshi Abe , Tomohiro Kakizawa
发明人： Atsushi Nakamura , Tomoki Nagai , Takayoshi Abe , Tomohiro Kakizawa
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70466 , G03F7/0035 , G03F7/0392 , G03F7/40 , H01L21/0274
摘要： A resist pattern formation method includes providing a first positive-tone radiation-sensitive resin composition on a substrate to form a first resist layer. The first resist layer is selectively exposed and developed to form a first resist pattern. The first resist pattern is coated with a resist pattern insolubilizing resin composition which comprises a resin and an alcohol solvent, the resin having a hydroxyl group. The resist pattern insolubilizing resin composition is baked or cured with UV to insolubilize the first resist pattern in a developer and in a second positive-tone radiation-sensitive resin composition. The resist pattern insolubilizing resin composition is developed to form an insolubilized resist pattern. The second positive-tone radiation-sensitive resin composition is provided on the insolubilized resist pattern to form a second resist layer. The second resist layer is selectively exposed and developed to form a second resist pattern.
摘要翻译：抗蚀剂图案形成方法包括在基板上提供第一正色散辐射敏感树脂组合物以形成第一抗蚀剂层。第一抗蚀剂层被选择性地曝光和显影以形成第一抗蚀剂图案。第一抗蚀剂图案涂覆有抗蚀剂图案不溶化树脂组合物，其包含树脂和醇溶剂，该树脂具有羟基。抗蚀剂图案不溶化树脂组合物用UV烘烤或固化，以使显影剂中的第一抗蚀图案和第二正色辐射敏感树脂组合物不溶化。抗蚀剂图案不溶化树脂组合物被显影以形成不溶的抗蚀剂图案。在不溶解的抗蚀剂图案上设置第二正色辐射敏感性树脂组合物以形成第二抗蚀剂层。第二抗蚀剂层被选择性地曝光和显影以形成第二抗蚀剂图案。

7. 发明申请

US20100323292A1 RESIST PATTERN FORMATION METHOD, AND RESIN COMPOSITION CAPABLE OF INSOLUBILIZING RESIST PATTERN 审中-公开
标题翻译：耐蚀图案形成方法和可剥离抗蚀剂图案的树脂组合物
公开(公告)号：US20100323292A1
公开(公告)日：2010-12-23
申请号：US12526045
申请日：2008-03-11
申请人： Atsushi Nakamura , Tomoki Nagai , Takayoshi Abe , Tomohiro Kakizawa
发明人： Atsushi Nakamura , Tomoki Nagai , Takayoshi Abe , Tomohiro Kakizawa
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/70466 , G03F7/0035 , G03F7/0392 , G03F7/40 , H01L21/0274
摘要： A resist pattern formation method includes (1) a step of forming a first resist pattern which includes forming a first resist layer on a substrate, selectively exposing the first resist layer to radiation through a mask, and developing the exposed first resist layer, (2) a step of insolubilizing the first resist pattern by coating the first resist pattern with a resist pattern insolubilizing resin composition, baking or curing with UV, and developing the resist pattern insolubilizing resin composition, (3) a step of forming a second resist layer on the insolubilized resist pattern and selectively exposing the second resist layer to radiation through a mask, and (4) a step of developing the exposed second resist layer to form a second resist pattern.
摘要翻译：抗蚀剂图案形成方法包括：（1）形成第一抗蚀剂图案的步骤，该第一抗蚀剂图案包括在基板上形成第一抗蚀剂层，通过掩模选择性地将第一抗蚀剂层暴露于辐射，以及使曝光的第一抗蚀剂层显影）通过用抗蚀剂图案不溶化树脂组合物涂布第一抗蚀剂图案，用UV烘烤或固化并使抗蚀剂图案不溶化树脂组合物显影来使第一抗蚀剂图案不溶化的步骤，（3）形成第二抗蚀剂层的步骤所述不溶化抗蚀剂图案并且通过掩模选择性地暴露所述第二抗蚀剂层以及（4）使所述暴露的第二抗蚀剂层显影以形成第二抗蚀剂图案的步骤。

8. 发明申请

US20100190104A1 METHOD FOR PATTERN FORMATION AND RESIN COMPOSITION FOR USE IN THE METHOD 有权
标题翻译：方法中使用的图案形成方法和树脂组合物
公开(公告)号：US20100190104A1
公开(公告)日：2010-07-29
申请号：US12601011
申请日：2008-05-21
申请人： Atsushi Nakamura , Tsutomu Shimokawa , Junichi Takahashi , Takayoshi Abe , Tomoki Nagai , Tomohiro Kakizawa
发明人： Atsushi Nakamura , Tsutomu Shimokawa , Junichi Takahashi , Takayoshi Abe , Tomoki Nagai , Tomohiro Kakizawa
IPC分类号： G03F7/20 , G03F7/004
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/40 , H01L21/0273 , Y10S430/106
摘要： A pattern forming method includes (1) selectively exposing a first resist layer, and developing the exposed first resist layer to form a first pattern, (2) applying a resin composition containing a hydroxyl group-containing resin and a solvent to the first pattern, baking the applied resin composition, and developing the baked resin composition to form a second pattern, the hydroxyl group-containing resin becoming insoluble or scarcely soluble in a developer when baked, and (3) totally or selectively exposing the second pattern to make the second pattern partly soluble in the developer, and developing the exposed second pattern to form a third pattern in which at least a hole or a groove is formed in the second pattern.
摘要翻译：图案形成方法包括：（1）选择性地暴露第一抗蚀剂层，以及使曝光的第一抗蚀剂层显影以形成第一图案;（2）将含有羟基的树脂和溶剂的树脂组合物施加到第一图案，烘烤所施加的树脂组合物，并显影所述烘焙的树脂组合物以形成第二图案，所述含羟基的树脂在烘烤时变得不溶或几乎不溶于显影剂，以及（3）全部或选择性地暴露所述第二图案以制备第二图案图案部分地溶解在显影剂中，并且显影第二图案以形成第三图案，其中至少在第二图案中形成孔或凹槽。

9. 发明授权

US08758978B2 Radiation-sensitive resin composition, resist pattern formation method, and polymer 有权
标题翻译：辐射敏感性树脂组合物，抗蚀剂图案形成方法和聚合物
公开(公告)号：US08758978B2
公开(公告)日：2014-06-24
申请号：US13417335
申请日：2012-03-12
申请人： Mitsuo Satou , Tomohiro Kakizawa
发明人： Mitsuo Satou , Tomohiro Kakizawa
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/40 , C08F18/20 , C08F26/00
CPC分类号： C08F20/34 , G03F7/0046 , G03F7/0397 , G03F7/11 , G03F7/2041
摘要： A radiation-sensitive resin composition includes a first polymer, a second polymer and a radiation-sensitive acid generator. The first polymer includes a repeating unit (I) shown by the following general formula (1), a fluorine atom in a molecule of the first polymer. The second a polymer includes an acid-labile group, and is insoluble or scarcely soluble in an alkali. R1 represents a hydrogen atom or the like, each of X1 and R2 represents a single bond or the like, R3 represents a hydrogen atom or the like, and R4 represents an acid-labile group.
摘要翻译：辐射敏感性树脂组合物包括第一聚合物，第二聚合物和辐射敏感酸产生剂。第一聚合物包括由以下通式（1）表示的重复单元（I），第一聚合物分子中的氟原子。第二种聚合物包括酸不稳定基团，并且不溶或几乎不溶于碱。 R1表示氢原子等，X1和R2各自表示单键等，R3表示氢原子等，R4表示酸不稳定基。

10. 发明授权

US08211624B2 Method for pattern formation and resin composition for use in the method 有权
标题翻译：用于图案形成的方法和用于该方法的树脂组合物
公开(公告)号：US08211624B2
公开(公告)日：2012-07-03
申请号：US12601011
申请日：2008-05-21
申请人： Atsushi Nakamura , Tsutomu Shimokawa , Junichi Takahashi , Takayoshi Abe , Tomoki Nagai , Tomohiro Kakizawa
发明人： Atsushi Nakamura , Tsutomu Shimokawa , Junichi Takahashi , Takayoshi Abe , Tomoki Nagai , Tomohiro Kakizawa
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/004 , G03F7/20 , G03F7/26 , G03F7/40
CPC分类号： G03F7/0392 , G03F7/0035 , G03F7/0397 , G03F7/40 , H01L21/0273 , Y10S430/106
摘要： A pattern forming method includes (1) selectively exposing a first resist layer, and developing the exposed first resist layer to form a first pattern, (2) applying a resin composition containing a hydroxyl group-containing resin and a solvent to the first pattern, baking the applied resin composition, and developing the baked resin composition to form a second pattern, the hydroxyl group-containing resin becoming insoluble or scarcely soluble in a developer when baked, and (3) totally or selectively exposing the second pattern to make the second pattern partly soluble in the developer, and developing the exposed second pattern to form a third pattern in which at least a hole or a groove is formed in the second pattern.
摘要翻译：图案形成方法包括：（1）选择性地暴露第一抗蚀剂层，以及使曝光的第一抗蚀剂层显影以形成第一图案;（2）将含有羟基的树脂和溶剂的树脂组合物施加到第一图案，烘烤所施加的树脂组合物，并显影所述烘焙的树脂组合物以形成第二图案，所述含羟基的树脂在烘烤时变得不溶或几乎不溶于显影剂，以及（3）全部或选择性地暴露所述第二图案以制备第二图案图案部分地溶解在显影剂中，并且显影第二图案以形成第三图案，其中至少在第二图案中形成孔或凹槽。

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