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1. 发明授权

US06211090B1 Method of fabricating flux concentrating layer for use with magnetoresistive random access memories 有权
标题翻译：制造用于磁阻随机存取存储器的磁通集中层的方法
公开(公告)号：US06211090B1
公开(公告)日：2001-04-03
申请号：US09528971
申请日：2000-03-21
申请人： Mark Durlam , Eugene Youjun Chen , Saied N. Tehrani , Jon Michael Slaughter , Gloria Kerszykowski , Kelly Wayne Kyler
发明人： Mark Durlam , Eugene Youjun Chen , Saied N. Tehrani , Jon Michael Slaughter , Gloria Kerszykowski , Kelly Wayne Kyler
IPC分类号： H01L2100
CPC分类号： H01L27/222 , B82Y10/00
摘要： A method of fabricating a flux concentrator for use in magnetic memory devices including the steps of providing at least one magnetic memory bit (10) and forming proximate thereto a material stack defining a copper (Cu) damascene bit line (56) including a flux concentrating layer (52). The method includes the steps of depositing a bottom dielectric layer (32), an optional etch stop (34) layer, and a top dielectric layer (36) proximate the magnetic memory bit (10). A trench (38) is etched in the top dielectric layer (36) and the bottom dielectric layer (32). A first barrier layer (42) is deposited in the trench (38). Next, a metal system (29) is deposited on a surface of the first barrier layer (42). The metal system (29) includes a copper (Cu) seed material (44), and a plated copper (Cu) material (46), a first outside barrier layer (50), a flux concentrating layer (52), and a second outside barrier layer (54). The metal system (29) is patterned and etched to define a copper (Cu) damascene bit line (56).
摘要翻译：一种制造用于磁存储器件的通量集中器的方法，包括以下步骤：提供至少一个磁存储器位（10），并在其附近形成限定铜（Cu）镶嵌位线（56）的材料堆，所述铜（Cu）镶嵌位线包括通量集中层（52）。该方法包括以下步骤：沉积底部电介质层（32），可选的蚀刻停止层（34）层和靠近磁存储器位（10）的顶部电介质层（36）。在顶部电介质层（36）和底部电介质层（32）中蚀刻沟槽（38）。第一阻挡层（42）沉积在沟槽（38）中。接下来，金属系统（29）沉积在第一阻挡层（42）的表面上。金属系统（29）包括铜（Cu）种子材料（44）和镀铜（Cu）材料（46），第一外部阻挡层（50），集流层（52）和第二外部阻挡层（54）。金属系统（29）被图案化和蚀刻以限定铜（Cu）镶嵌位线（56）。

2. 发明授权

US06233172B1 Magnetic element with dual magnetic states and fabrication method thereof 有权
标题翻译：具有双磁状态的磁性元件及其制造方法
公开(公告)号：US06233172B1
公开(公告)日：2001-05-15
申请号：US09464807
申请日：1999-12-17
申请人： Eugene Youjun Chen , Jon Michael Slaughter , Mark Durlam , Mark DeHerrera , Saied N. Tehrani
发明人： Eugene Youjun Chen , Jon Michael Slaughter , Mark Durlam , Mark DeHerrera , Saied N. Tehrani
IPC分类号： G11C1115
CPC分类号： H01F10/3254 , B82Y25/00 , G11C11/16 , H01F10/3272
摘要： An improved and novel magnetic element (10; 10′; 50; 50′; 80) including a plurality of thin film layers wherein the bit end magneto-static demagnetizing fields cancel the total positive coupling of the structure to obtain dual magnetic states in a zero external field. Additionally disclosed is a method of fabricating a magnetic element (10) by providing a plurality of thin film layers wherein the bit end magneto-static demagnetizing fields of the thin film layers cancel the total positive coupling of the structure to obtain dual magnetic states in a zero external field.
摘要翻译：包括多个薄膜层的改进和新颖的磁性元件（10; 10'; 50; 50'; 80），其中所述位端磁静电消磁场抵消所述结构的总正耦合以获得双重磁状态零外场。另外公开了一种通过提供多个薄膜层来制造磁性元件（10）的方法，其中薄膜层的位端磁静电消磁场抵消该结构的总正耦合以获得双重磁状态零外场。

3. 发明授权

US06376260B1 Magnetic element with improved field response and fabricating method thereof 有权
标题翻译：具有改善的场响应的磁性元件及其制造方法
公开(公告)号：US06376260B1
公开(公告)日：2002-04-23
申请号：US09825705
申请日：2001-04-05
申请人： Eugene Youjun Chen , Jon Michael Slaughter , Jing Shi
发明人： Eugene Youjun Chen , Jon Michael Slaughter , Jing Shi
IPC分类号： H01L2100
CPC分类号： H01F41/307 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01L43/08
摘要： An improved and novel fabrication method for a magnetic element, and more particularly a magnetic element (10) including a first electrode (14) , a second electrode (18) and a spacer layer (16). The first electrode (14) includes a fixed ferromagnetic layer (26) having a thickness t1. A second electrode (18) is included and comprises a free ferromagnetic layer (28) having a thickness t2. A spacer layer (16) is located between the fixed ferromagnetic layer (26) and the free ferromagnetic (28) layer, the spacer layer (16) having a thickness t3, where 0.25t3
摘要翻译：一种用于磁性元件的改进和新颖的制造方法，更具体地，包括第一电极（14），第二电极（18）和间隔层（16）的磁性元件（10）。第一电极（14）包括具有厚度t1的固定铁磁层（26）。包括第二电极（18）并且包括具有厚度t2的自由铁磁层（28）。间隔层（16）位于固定铁磁层（26）和自由铁磁层（28）之间，隔离层（16）的厚度为t3，其中0.25t3

4. 发明授权

US06292389B1 Magnetic element with improved field response and fabricating method thereof 有权
标题翻译：具有改善的场响应的磁性元件及其制造方法
公开(公告)号：US06292389B1
公开(公告)日：2001-09-18
申请号：US09356864
申请日：1999-07-19
申请人： Eugene Youjun Chen , Jon Michael Slaughter , Jing Shi
发明人： Eugene Youjun Chen , Jon Michael Slaughter , Jing Shi
IPC分类号： H01L2976
CPC分类号： H01F41/307 , B82Y10/00 , B82Y25/00 , B82Y40/00 , H01F10/3268 , H01F10/3272 , H01L43/08
摘要： An improved and novel fabrication method for a magnetic element, and more particularly a magnetic element (10) including a first electrode (14), a second electrode (18) and a spacer layer (16). The first electrode (14) includes a fixed ferromagnetic layer (26) having a thickness t1. A second electrode (18) is included and comprises a free ferromagnetic layer (28) having a thickness t2. A spacer layer (16) is located between the fixed ferromagnetic layer (26) and the free ferromagnetic (28) layer, the spacer layer (16) having a thickness t3, where 0.25t3
摘要翻译：一种用于磁性元件的改进和新颖的制造方法，更具体地，包括第一电极（14），第二电极（18）和间隔层（16）的磁性元件（10）。第一电极（14）包括具有厚度t1的固定铁磁层（26）。包括第二电极（18）并且包括具有厚度t2的自由铁磁层（28）。间隔层（16）位于固定铁磁层（26）和自由铁磁层（28）之间，隔离层（16）的厚度为t3，其中0.25t3

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