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热词
    • 1. 发明申请
    • METHOD OF FORMING SEMICONDUCTOR DEVICE
    • 形成半导体器件的方法
    • US20120064709A1
    • 2012-03-15
    • US13216051
    • 2011-08-23
    • Kyung-Yub JEONKyoung-Sub ShinJun-Ho YoonJe-Woo Han
    • Kyung-Yub JEONKyoung-Sub ShinJun-Ho YoonJe-Woo Han
    • H01L21/28
    • H01L21/28273H01L21/823456H01L27/11519H01L27/11521H01L29/66825
    • Provided is a method of forming a semiconductor device. The method may include forming a first insulating layer on a semiconductor substrate. A first polycrystalline silicon layer may be formed on the first insulating layer. A second insulating layer may be formed on the first polycrystalline silicon layer. A second polycrystalline silicon layer may be formed on the second insulating layer. A mask pattern may be formed on the second polycrystalline silicon layer. The second polycrystalline silicon layer may be patterned using the mask pattern as an etch mask to form a second polycrystalline silicon pattern exposing a portion of the second insulating to layer. A sidewall of the second polycrystalline silicon pattern may include a first amorphous region. The first amorphous region may be crystallized by a first recrystallization process. The exposed portion of the second insulating layer may be removed to form a second insulating pattern exposing a portion of the first polycrystalline silicon layer. The exposed portion of the first polycrystalline silicon layer may be removed to form a first polycrystalline silicon pattern exposing a portion of the first insulating layer. The exposed portion of the first insulating layer may be removed to form a first insulating pattern exposing a portion of the semiconductor substrate.
    • 提供一种形成半导体器件的方法。 该方法可以包括在半导体衬底上形成第一绝缘层。 可以在第一绝缘层上形成第一多晶硅层。 可以在第一多晶硅层上形成第二绝缘层。 可以在第二绝缘层上形成第二多晶硅层。 可以在第二多晶硅层上形成掩模图案。 可以使用掩模图案作为蚀刻掩模来图案化第二多晶硅层,以形成暴露第二绝缘层的一部分的第二多晶硅图案。 第二多晶硅图案的侧壁可以包括第一非晶区域。 第一非晶区域可以通过第一次重结晶过程结晶。 可以去除第二绝缘层的暴露部分以形成露出第一多晶硅层的一部分的第二绝缘图案。 可以去除第一多晶硅层的暴露部分以形成露出第一绝缘层的一部分的第一多晶硅图案。 可以去除第一绝缘层的暴露部分以形成露出半导体衬底的一部分的第一绝缘图案。
    • 2. 发明授权
    • Method of forming semiconductor device
    • 半导体器件形成方法
    • US08563371B2
    • 2013-10-22
    • US13216051
    • 2011-08-23
    • Kyung-Yub JeonKyoung-Sub ShinJun-Ho YoonJe-Woo Han
    • Kyung-Yub JeonKyoung-Sub ShinJun-Ho YoonJe-Woo Han
    • H01L21/84H01L21/00H01L21/8238H01L21/461H01L21/302
    • H01L21/28273H01L21/823456H01L27/11519H01L27/11521H01L29/66825
    • Provided is a method of forming a semiconductor device. The method may include forming a first insulating layer on a semiconductor substrate. A first polycrystalline silicon layer may be formed on the first insulating layer. A second insulating layer may be formed on the first polycrystalline silicon layer. A second polycrystalline silicon layer may be formed on the second insulating layer. A mask pattern may be formed on the second polycrystalline silicon layer. The second polycrystalline silicon layer may be patterned using the mask pattern as an etch mask to form a second polycrystalline silicon pattern exposing a portion of the second insulating layer. A sidewall of the second polycrystalline silicon pattern may include a first amorphous region. The first amorphous region may be crystallized by a first recrystallization process. The exposed portion of the second insulating layer may be removed to form a second insulating pattern exposing a portion of the first polycrystalline silicon layer. The exposed portion of the first polycrystalline silicon layer may be removed to form a first polycrystalline silicon pattern exposing a portion of the first insulating layer. The exposed portion of the first insulating layer may be removed to form a first insulating pattern exposing a portion of the semiconductor substrate.
    • 提供一种形成半导体器件的方法。 该方法可以包括在半导体衬底上形成第一绝缘层。 可以在第一绝缘层上形成第一多晶硅层。 可以在第一多晶硅层上形成第二绝缘层。 可以在第二绝缘层上形成第二多晶硅层。 可以在第二多晶硅层上形成掩模图案。 可以使用掩模图案作为蚀刻掩模来图案化第二多晶硅层,以形成露出第二绝缘层的一部分的第二多晶硅图案。 第二多晶硅图案的侧壁可以包括第一非晶区域。 第一非晶区域可以通过第一次重结晶过程结晶。 可以去除第二绝缘层的暴露部分以形成露出第一多晶硅层的一部分的第二绝缘图案。 可以去除第一多晶硅层的暴露部分以形成露出第一绝缘层的一部分的第一多晶硅图案。 可以去除第一绝缘层的暴露部分以形成露出半导体衬底的一部分的第一绝缘图案。