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1. 发明授权

US5729020A Hybrid type infrared detector 失效
标题翻译：混合型红外探测器
公开(公告)号：US5729020A
公开(公告)日：1998-03-17
申请号：US697447
申请日：1996-08-23
申请人： Keiichi Matsushita , Keitaro Shigenaka , Katsuyoshi Fukuda
发明人： Keiichi Matsushita , Keitaro Shigenaka , Katsuyoshi Fukuda
IPC分类号： H01L27/14 , H01L27/146 , H01L31/10 , H01L33/00
CPC分类号： H01L27/1465
摘要： The hybrid type infrared detector includes a plurality of photodiodes constructed by p-n junctions made of compound semiconductor material on a silicon substrate, a signal processing portion formed on another substrate, and a connecting member for electrically connecting the plurality of photodiodes with the signal processing portion, and for injecting carriers generated by the photodiodes into the signal processing portion, and is characterized in that partitioning portions are formed along the cleavage plane of the compound semiconductor material.
摘要翻译：混合型红外线检测器包括由硅衬底上的由化合物半导体材料制成的pn结构成的多个光电二极管，形成在另一衬底上的信号处理部分和用于将多个光电二极管与信号处理部分电连接的连接部件，并且用于将由光电二极管产生的载流子注入到信号处理部分中，并且其特征在于沿着化合物半导体材料的解理面形成分隔部分。

2. 发明授权

US5641973A Semiconductor piezoelectric photoelectric converting device and imaging device using such semiconductor photoelectric converting device 失效
标题翻译：半导体压电光电转换装置及使用该半导体光电转换装置的成像装置
公开(公告)号：US5641973A
公开(公告)日：1997-06-24
申请号：US527582
申请日：1995-09-13
申请人： Keitaro Shigenaka , Keiichi Matsushita , Katsuyoshi Fukuda
发明人： Keitaro Shigenaka , Keiichi Matsushita , Katsuyoshi Fukuda
IPC分类号： H01L27/14 , H01L27/148 , H01L31/032 , H01L31/00
CPC分类号： H01L37/00 , H01L27/148 , H01L31/032
摘要： A semiconductor photoelectric converting device and an imaging device using such semiconductor photoelectric converting devices are provided according to the present invention, the semiconductor photoelectric converting device including an electric charge transfer area provided in a surface portion of a semiconductor substrate and a light-receiving area formed of a piezoelectric material, electrically connected to the electric charge transfer area and provided in contact with the semiconductor substrate, in which electric charges generated by a piezoelectric effect produced by a strain resulting from heat evolved upon the falling of light onto the light-receiving area are conducted to the charge transfer area.
摘要翻译：根据本发明，提供一种半导体光电转换装置和使用这种半导体光电转换装置的成像装置，该半导体光电转换装置包括设置在半导体基板的表面部分中的电荷转移区域和形成的光接收区域压电材料电连接到电荷转移区域并且与半导体衬底接触地提供，其中由通过由光产生的应变产生的压电效应产生的电荷在光入射到光接收区域被传送到电荷转移区域。

3. 发明授权

US08178899B2 Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device 失效
标题翻译：半导体器件的半导体器件和制造方法
公开(公告)号：US08178899B2
公开(公告)日：2012-05-15
申请号：US12270236
申请日：2008-11-13
申请人： Keiichi Matsushita
发明人： Keiichi Matsushita
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/7785
摘要： A semiconductor device and a fabrication method of the semiconductor device, the semiconductor device including: a substrate; a nitride based compound semiconductor layer placed on the substrate and doped with a first transition metal atom; an aluminum gallium nitride layer (AlxGa1−xN) (where 0.1
摘要翻译：半导体器件和半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括：衬底; 放置在基板上并掺杂有第一过渡金属原子的氮化物基化合物半导体层; 置于氮化物基化合物半导体层上的氮化镓铝层（Al x Ga 1-x N）（其中，0.1 <= x <= 1）放置在氮化铝镓层（Al x Ga 1-x N）（其中0.1 <= x <= 1）上并掺杂有第二过渡金属原子的氮化物基化合物半导体层; 放置在掺杂有第二过渡金属原子的氮化物基化合物半导体层上的氮化镓铝层（Al y Ga 1-y N）（其中0.1 <= y <= 1）以及放置在氮化铝镓层（Al y Ga 1-y N）上（其中0.1≤y≤1）的栅电极，源电极和漏电极。因此，压电电荷失活，泄漏电流和电流崩溃减少，通过获得高电阻率半导体层可以提高高频特性，并且可以获得稳定的高频性能。

4. 发明授权

US08154079B2 Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device 有权
标题翻译：半导体器件的半导体器件和制造方法
公开(公告)号：US08154079B2
公开(公告)日：2012-04-10
申请号：US12300795
申请日：2007-11-28
申请人： Keiichi Matsushita , Kazutaka Takagi , Naotaka Tomita
发明人： Keiichi Matsushita , Kazutaka Takagi , Naotaka Tomita
IPC分类号： H01L31/113
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L27/0251 , H01L27/0629 , H01L29/2003 , H01L29/402 , H01L29/41725
摘要： A semiconductor device, which can prevent an element breakdown by alleviating of electric field concentrations, and can also prevent reduction of gain, includes: a source electrode formed on a semiconductor layer; a drain electrode formed on the semiconductor layer; a gate electrode formed between the source electrode and the drain electrode; an insulating film formed on the semiconductor layer and the gate electrode; a field plate electrode formed on the insulating film; and a resistor for connecting the field plate electrode and the source electrode.
摘要翻译：可以通过减少电场浓度来防止元件击穿并且还可以防止增益的降低的半导体器件包括：形成在半导体层上的源电极; 形成在半导体层上的漏电极; 形成在源电极和漏电极之间的栅电极; 形成在所述半导体层和所述栅电极上的绝缘膜; 形成在绝缘膜上的场板电极; 以及用于连接场板电极和源电极的电阻器。

5. 发明授权

US07915747B2 Substrate for forming semiconductor layer including alignment marks 有权
标题翻译：用于形成包括对准标记的半导体层的基板
公开(公告)号：US07915747B2
公开(公告)日：2011-03-29
申请号：US11475167
申请日：2006-06-27
申请人： Keiichi Matsushita
发明人： Keiichi Matsushita
IPC分类号： H01L23/544
CPC分类号： H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
摘要： A substrate for forming a semiconductor layer includes a plurality of linear convexes or grooves on a surface of the substrate by crystal growth. The plurality of linear convexes or grooves are formed along a direction of a cleavage plane of the semiconductor layer.
摘要翻译：用于形成半导体层的衬底包括通过晶体生长在衬底的表面上的多个线性凸起或凹槽。沿着半导体层的解理面的方向形成多个线状凸部或沟槽。

6. 发明申请

US20060292833A1 Substrate for forming semiconductor layer 有权
标题翻译：用于形成半导体层的基板
公开(公告)号：US20060292833A1
公开(公告)日：2006-12-28
申请号：US11475167
申请日：2006-06-27
申请人： Keiichi Matsushita
发明人： Keiichi Matsushita
IPC分类号： H01L21/00 , H01L21/20
CPC分类号： H01L21/02378 , H01L21/0242 , H01L21/0243 , H01L21/0254 , H01L21/02609 , H01L29/045 , H01L29/2003 , H01L29/66462 , H01L29/7787
摘要： A substrate for forming a semiconductor layer includes a plurality of linear convexes or grooves on a surface of the substrate by crystal growth. The plurality of linear convexes or grooves are formed along a direction of a cleavage plane of the semiconductor layer.
摘要翻译：用于形成半导体层的衬底包括通过晶体生长在衬底的表面上的多个线性凸起或凹槽。沿着半导体层的解理面的方向形成多个线状凸部或沟槽。

7. 发明授权

US08614460B2 Semiconductor device and fabrication method of the semiconductor device 失效
标题翻译：半导体器件的半导体器件和制造方法
公开(公告)号：US08614460B2
公开(公告)日：2013-12-24
申请号：US13360986
申请日：2012-01-30
申请人： Keiichi Matsushita
发明人： Keiichi Matsushita
IPC分类号： H01L29/778
CPC分类号： H01L29/1029 , H01L29/2003 , H01L29/207 , H01L29/7785
摘要： A semiconductor device and a fabrication method of the semiconductor device, the semiconductor device including: a substrate; a nitride based compound semiconductor layer placed on the substrate and doped with a first transition metal atom; an aluminum gallium nitride layer (AlxGa1-xN) (where 0.1
摘要翻译：半导体器件和半导体器件的制造方法，所述半导体器件包括：衬底; 放置在基板上并掺杂有第一过渡金属原子的氮化物基化合物半导体层; 置于氮化物基化合物半导体层上的氮化镓铝层（Al x Ga 1-x N）（其中，0.1 <= x <= 1）放置在氮化铝镓层（Al x Ga 1-x N）（其中0.1 <= x <= 1）上并掺杂有第二过渡金属原子的氮化物基化合物半导体层; 放置在掺杂有第二过渡金属原子的氮化物基化合物半导体层上的氮化镓铝层（Al y Ga 1-y N）（其中0.1 <= y <= 1）以及放置在氮化铝镓层（Al y Ga 1-y N）上（其中0.1≤y≤1）的栅电极，源电极和漏电极。

8. 发明授权

US08482354B2 Power amplifying device and coupled power amplifying device 有权
标题翻译：功率放大装置及耦合功率放大装置
公开(公告)号：US08482354B2
公开(公告)日：2013-07-09
申请号：US13192751
申请日：2011-07-28
申请人： Keiichi Matsushita
发明人： Keiichi Matsushita
IPC分类号： H03F3/18
CPC分类号： H01L23/4824 , H01L23/4821 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： A power amplifying device includes earth parts which are connected with via holes for grounding, source electrode earth conductors which connect the earth parts, source electrodes which are coupled to the source electrode earth conductors, an inner source electrode which is not in contact with the source electrode earth conductors, a drain electrode, a gate electrode and an air bridge which directly connects the inner source electrode and earth parts.
摘要翻译：功率放大装置包括与接地用通孔连接的接地部，将接地部连接的源电极接地导体，与源电极接地导体连接的源极，不与源接触的内部电极电极接地导体，漏电极，栅电极和直接连接内源电极和接地部分的空气桥。

9. 发明授权

US08445341B2 Semiconductor device and fabrication method for the same 失效
标题翻译：半导体器件及其制造方法相同
公开(公告)号：US08445341B2
公开(公告)日：2013-05-21
申请号：US13355777
申请日：2012-01-23
申请人： Keiichi Matsushita
发明人： Keiichi Matsushita
IPC分类号： H01L21/338
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/42316
摘要： A semiconductor device includes a substrate; a nitride based compound semiconductor layer placed on the substrate; an active area which is placed on the nitride based compound semiconductor layer, and is composed of an aluminum gallium nitride layer (AlxGa1-xN) (where 0.1
摘要翻译：半导体器件包括衬底; 位于基板上的氮化物系化合物半导体层; 放置在氮化物系化合物半导体层上的有源区，由氮化镓铝层（Al x Ga 1-x N）（其中，0.1 <= x <= 1）构成。隔离区域，其相互地执行有源区域的隔离; 已经被放置在由隔离区域包围的有源区域上的栅电极，源电极和漏极电极; 以及通过蚀刻用于栅电极下方的有源区的一部分而形成的沟槽区域。半导体器件是高可靠性，高性能和高功率的，并且还提供了该半导体器件的制造方法。

10. 发明授权

US08133776B2 Semiconductor device and fabrication method for the same 失效
标题翻译：半导体器件及其制造方法相同
公开(公告)号：US08133776B2
公开(公告)日：2012-03-13
申请号：US12417156
申请日：2009-04-02
申请人： Keiichi Matsushita
发明人： Keiichi Matsushita
IPC分类号： H01L21/336
CPC分类号： H01L29/7787 , H01L29/0657 , H01L29/2003 , H01L29/42316
摘要： A semiconductor device includes a substrate; a nitride based compound semiconductor layer placed on the substrate; an active area which is placed on the nitride based compound semiconductor layer, and is composed of an aluminum gallium nitride layer (AlxGa1-xN) (where 0.1
摘要翻译：半导体器件包括衬底; 位于基板上的氮化物系化合物半导体层; 放置在氮化物系化合物半导体层上的有源区，由氮化镓铝层（Al x Ga 1-x N）（其中，0.1 <= x <= 1）构成。隔离区域，其相互地执行有源区域的隔离; 已经被放置在由隔离区域包围的有源区域上的栅电极，源电极和漏极电极; 以及通过蚀刻用于栅电极下方的有源区的一部分而形成的沟槽区域。半导体器件是高度可靠的，高性能的和高功率的，并且还提供了该半导体器件的制造方法。

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