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    • 2. 发明申请
    • Method of manufacturing a memory device
    • 制造存储器件的方法
    • US20080014729A1
    • 2008-01-17
    • US11820516
    • 2007-06-20
    • Woong LeeJung-Geun JeeHyoeng-Ki KimJung-Hyun ParkHo-Min SonWon-Jun Jang
    • Woong LeeJung-Geun JeeHyoeng-Ki KimJung-Hyun ParkHo-Min SonWon-Jun Jang
    • H01L21/3205
    • H01L29/40114
    • In a method of manufacturing a memory device, a tunnel insulation layer and a floating gate layer are formed on a semiconductor substrate. A top surface of the floating gate layer is converted into a first nitride layer by a first nitridation treatment process. The first nitride layer is converted into a first oxynitride layer by a radical oxidation process. A lower oxide layer is formed on the first oxynitride layer by an LPCVD process. A second nitride layer and an upper oxide layer are formed on the lower oxide layer. A conductive layer is formed on the upper oxide layer. Thus, a multi-layered dielectric layer including the first oxynitride layer, the lower oxide layer, the second nitride layer, the upper oxide layer and the densified second oxynitride layer may have an increased capacitance without having degenerated leakage current characteristics.
    • 在制造存储器件的方法中,在半导体衬底上形成隧道绝缘层和浮栅层。 通过第一氮化处理工艺将浮栅层的顶表面转化为第一氮化物层。 第一氮化物层通过自由基氧化法转化为第一氮氧化物层。 通过LPCVD工艺在第一氮氧化物层上形成低氧化物层。 第二氮化物层和上氧化物层形成在低氧化物层上。 导电层形成在上氧化物层上。 因此,包括第一氧氮化物层,下氧化物层,第二氮化物层,上氧化物层和致密化的第二氧氮化物层的多层电介质层可以具有增加的电容而不具有退化的漏电流特性。