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    • 5. 发明申请
    • METHOD FABRICATING NONVOLATILE MEMORY DEVICE
    • 方法制造非易失性存储器件
    • US20100159675A1
    • 2010-06-24
    • US12644224
    • 2009-12-22
    • Ji-Hyun JEONGJae-Hee OHJae-Hyun PARK
    • Ji-Hyun JEONGJae-Hee OHJae-Hyun PARK
    • H01L21/28
    • H01L45/06G11C13/0004H01L27/2409H01L27/2463H01L45/1233H01L45/1273H01L45/144H01L45/148H01L45/1683
    • A method of fabricating a nonvolatile memory device includes; forming a first sacrificial layer pattern including a first open area that extends in a first direction on a lower dielectric layer, forming a pre-lower dielectric layer pattern including a recess that extends in the first direction using the first sacrificial layer pattern, forming a second sacrificial layer pattern including a second open area that extends in a second direction on the pre-lower dielectric layer pattern and the first sacrificial layer pattern, wherein the second open area intersects the first open area, forming a lower dielectric layer pattern including contact holes spaced apart in the recess using the first sacrificial layer pattern and second sacrificial layer pattern, wherein the contact holes extend to a bottom of the lower dielectric layer pattern, and forming a bottom electrode in the contact hole.
    • 一种制造非易失性存储器件的方法包括: 形成第一牺牲层图案,所述第一牺牲层图案包括在下电介质层上沿第一方向延伸的第一开口区域,形成包括使用所述第一牺牲层图案沿所述第一方向延伸的凹部的预下介电层图案,形成第二牺牲层图案 牺牲层图案包括在预下电介质层图案和第一牺牲层图案上沿第二方向延伸的第二开口区域,其中第二开口区域与第一开放区域相交,形成包括间隔开的接触孔的下介电层图案 在使用第一牺牲层图案和第二牺牲层图案的凹部中分开,其中接触孔延伸到下介电层图案的底部,并且在接触孔中形成底部电极。