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    • 6. 发明申请
    • Microporous Tectosilicate and Method for the Production Thereof
    • 微孔硅酸铜及其生产方法
    • US20080000354A1
    • 2008-01-03
    • US11578286
    • 2005-04-13
    • Ulrich MullerGerald LippertJames BrownHermann GiesBernd MarlerNadine StroterYingxia Wang
    • Ulrich MullerGerald LippertJames BrownHermann GiesBernd MarlerNadine StroterYingxia Wang
    • C01B33/20B01D53/02B01J37/00B29C69/02
    • C01B33/20C01B39/02C01B39/04
    • The present invention relates to a tectosilicate having an X-ray diffraction pattern in which at least the following reflections occur: Intensity (%)Diffraction angle 2θ/° [Cu K(alpha 1)] 100 9.8-10.2 24-3411.0-11.4  9-1915.5-15.9 12-2219.4-19.6 19-2919.6-19.8 100% relating to the intensity of the maximum peak in the X-ray diffraction pattern.
    • 本发明涉及至少具有以下反射的X射线衍射图案的片状硅酸盐:
      < /> 强度(%) 衍射角2θ/°[Cu K(alpha 1)] 100 10.2 24-34 11.0-11.4 9-19 15.5-15.9 19-22-19.6 > 表> 与X射线衍射图中的最大峰的强度有关的100%。