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    • 5. 发明授权
      US08213215B2 Resistive sense memory calibration for self-reference read method 有权
    • Resistive sense memory calibration for self-reference read method
    • 电阻式记忆校准用于自参考读取方法
    • US08213215B2
    • 2012-07-03
    • US13015085
    • 2011-01-27
    • Yiran Chen , Hai Li , Wenzhong Zhu , Xiaobin Wang , Henry Huang , Hongyue Liu
    • Yiran Chen , Hai Li , Wenzhong Zhu , Xiaobin Wang , Henry Huang , Hongyue Liu
    • G11C11/00 , G11C5/14 , G11C7/06
    • G11C13/004 , G11C11/1673 , G11C27/02 , G11C2013/0057 , G11C2207/2254
    • Resistive memory calibration for self-reference read methods are described. One method of self-reference reading a resistive memory unit includes setting a plurality of resistive memory units to a first resistive data state. The resistive memory units forms a memory array. Reading a sensed resistive data state for each resistive memory unit by applying a first read current and a second read current through each resistive memory unit and then comparing voltages formed by the first read current and the second read current to determine the sensed resistive data state for each resistive memory unit. Then the method includes adjusting the first or the second read current, read voltages, or storage device capacitance for each resistive memory unit where the sensed resistive data state was not the same as the first resistive data state until the sensed resistive data state is the same as the first resistive data state.
    • 描述了自参考读取方法的电阻记忆校准。 读取电阻性存储器单元的一种自参考方法包括将多个电阻存储器单元设置为第一电阻数据状态。 电阻存储器单元形成存储器阵列。 通过施加第一读取电流和第二读取电流通过每个电阻性存储器单元，然后比较由第一读取电流和第二读取电流形成的电压，来为每个电阻性存储器单元读取感测的电阻数据状态，以确定感测的电阻数据状态 每个电阻存储器单元。 然后，该方法包括调整每个电阻性存储器单元的第一或第二读取电流，读取电压或存储器件电容，其中感测的电阻数据状态与第一电阻数据状态不同，直到感测的电阻数据状态相同 作为第一电阻数据状态。
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    • 6. 发明申请
      US20120147665A1 Predictive Thermal Preconditioning and Timing Control for Non-Volatile Memory Cells 有权
    • Predictive Thermal Preconditioning and Timing Control for Non-Volatile Memory Cells
    • 非易失性记忆体的预测热预处理和时序控制
    • US20120147665A1
    • 2012-06-14
    • US13400515
    • 2012-02-20
    • Yiran Chen , Hai Li , Harry Hongyue Liu , Dimitar V. Dimitrov , Alan Xuguang Wang , Xiaobin Wang
    • Yiran Chen , Hai Li , Harry Hongyue Liu , Dimitar V. Dimitrov , Alan Xuguang Wang , Xiaobin Wang
    • G11C11/16 , G11C7/00
    • G11C11/1675 , G11C11/1659
    • Method and apparatus for using thermal preconditioning to write data to a non-volatile memory cell. In accordance with some embodiments, a semiconductor memory has an array of non-volatile memory cells, and a control circuit which stores a first write command from a host to write data to said array. A write circuit flows a write current through an unconditioned first selected cell having a first block address associated with the first write command to write the first selected cell to a selected data state, and concurrently passes a thermal preconditioning current through a second selected cell having a second block address associated with the first block address. The write circuit further passes a thermal preconditioning current through a third selected cell having a third block address associated with the second block address in response to receipt by the control circuit of a second write command from the host associated with the second block address.
    • 使用热预处理将数据写入非易失性存储单元的方法和装置。 根据一些实施例，半导体存储器具有非易失性存储器单元的阵列，以及存储来自主机的第一写命令以将数据写入所述阵列的控制电路。 写入电路通过具有与第一写入命令相关联的第一块地址的无条件的第一选定单元流动写入电流，以将第一选定单元写入所选择的数据状态，并且同时通过热预处理电流通过具有 与第一块地址相关联的第二块地址。 响应于控制电路接收到与第二块地址相关联的主机的第二写入命令，写入电路进一步传递热预处理电流通过具有与第二块地址相关联的第三块地址的第三选定单元。
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    • 7. 发明授权
      US08199563B2 Transmission gate-based spin-transfer torque memory unit 有权
    • Transmission gate-based spin-transfer torque memory unit
    • 基于传输栅极的自旋转移转矩存储单元
    • US08199563B2
    • 2012-06-12
    • US13149136
    • 2011-05-31
    • Yiran Chen , Hai Li , Hongyue Liu , Yong Lu , Yang Li
    • Yiran Chen , Hai Li , Hongyue Liu , Yong Lu , Yang Li
    • G11C11/00
    • G11C11/1657 , G11C11/1659 , G11C11/1675 , Y10S977/935
    • A transmission gate-based spin-transfer torque memory unit is described. The memory unit includes a magnetic tunnel junction data cell electrically coupled to a bit line and a source line. A NMOS transistor is in parallel electrical connection with a PMOS transistor and they are electrically connected with the source line and the magnetic tunnel junction data cell. The magnetic tunnel junction data cell is configured to switch between a high resistance state and a low resistance state by passing a polarized write current through the magnetic tunnel junction data cell. The PMOS transistor and the NMOS transistor are separately addressable so that a first write current in a first direction flows through the PMOS transistor and a second write current in a second direction flows through the NMOS transistor.
    • 描述基于传输门的自旋转移转矩存储单元。 存储单元包括电耦合到位线和源极线的磁性隧道结数据单元。 NMOS晶体管与PMOS晶体管并联电连接，并且它们与源极线和磁性隧道结数据单元电连接。 磁隧道结数据单元被配置为通过使极化写入电流通过磁性隧道结数据单元在高电阻状态和低电阻状态之间切换。 PMOS晶体管和NMOS晶体管可单独寻址，使得第一方向上的第一写入电流流过PMOS晶体管，并且第二方向的第二写入电流流过NMOS晶体管。
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    • 9. 发明申请
      US20120106241A1 SPIN-TRANSFER TORQUE MEMORY SELF-REFERENCE READ METHOD 有权
    • SPIN-TRANSFER TORQUE MEMORY SELF-REFERENCE READ METHOD
    • 旋转转矩记忆自参考读取方法
    • US20120106241A1
    • 2012-05-03
    • US13349052
    • 2012-01-12
    • Hai Li , Yiran Chen , Hongyue Liu , Kang Yong Kim , Dimitar V. Dimitrov , Henry F. Huang
    • Hai Li , Yiran Chen , Hongyue Liu , Kang Yong Kim , Dimitar V. Dimitrov , Henry F. Huang
    • G11C11/02
    • G11C11/1673 , G11C7/06 , G11C7/065 , G11C29/02 , G11C29/021 , G11C29/028 , G11C2029/5006 , Y10S977/933
    • A spin-transfer torque memory apparatus and self-reference read schemes are described. One method of self-reference reading a spin-transfer torque memory unit includes applying a first read current through a magnetic tunnel junction data cell and forming a first bit line read voltage, the magnetic tunnel junction data cell having a first resistance state and storing the first bit line read voltage in a first voltage storage device. Then applying a low resistance state polarized write current through the magnetic tunnel junction data cell, forming a low second resistance state magnetic tunnel junction data cell. A second read current is applied through the low second resistance state magnetic tunnel junction data cell to forming a second bit line read voltage. The second bit line read voltage is stored in a second voltage storage device. The method also includes comparing the first bit line read voltage with the second bit line read voltage to determine whether the first resistance state of the magnetic tunnel junction data cell was a high resistance state or low resistance state.
    • 描述了自旋转移力矩存储装置和自参考读取方案。 读取自旋传递转矩存储单元的一种自参考方法包括：通过磁性隧道结数据单元施加第一读取电流并形成第一位线读取电压，所述磁性隧道结数据单元具有第一电阻状态并存储 第一电压存储装置中的第一位线读取电压。 然后通过磁性隧道结数据单元施加低电阻状态的极化写入电流，形成低的第二电阻状态磁隧道结数据单元。 第二读取电流通过低的第二电阻状态磁隧道结数据单元施加以形成第二位线读取电压。 第二位线读取电压被存储在第二电压存储装置中。 该方法还包括将第一位线读取电压与第二位线读取电压进行比较，以确定磁性隧道结数据单元的第一电阻状态是高电阻状态还是低电阻状态。
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