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    • 1. 发明授权
      US07183220B1 Plasma etching methods 有权
    • Plasma etching methods
    • 等离子体蚀刻方法
    • US07183220B1
    • 2007-02-27
    • US09677478
    • 2000-10-02
    • Guy T. Blalock , David S. Becker , Kevin G. Donohoe
    • Guy T. Blalock , David S. Becker , Kevin G. Donohoe
    • H01L21/302
    • H01J37/32862 , H01L21/31116
    • A plasma etching method includes forming a polymer comprising carbon and a halogen over at least some internal surfaces of a plasma etch chamber. After forming the polymer, plasma etching is conducted using a gas which is effective to etch polymer from chamber internal surfaces. In one implementation, the gas has a hydrogen component effective to form a gaseous hydrogen halide from halogen liberated from the polymer. In one implementation, the gas comprises a carbon component effective to getter the halogen from the etched polymer. In another implementation, a plasma etching method includes positioning a semiconductor wafer on a wafer receiver within a plasma etch chamber. First plasma etching of material on the semiconductor wafer occurs with a gas comprising carbon and a halogen. A polymer comprising carbon and the halogen forms over at least some internal surfaces of the plasma etch chamber during the first plasma etching. After the first plasma etching and with the wafer on the wafer receiver, second plasma etching is conducted using a gas effective to etch polymer from chamber internal surfaces and getter halogen liberated from the polymer to restrict further etching of the material on the semiconductor wafer during the second plasma etching. The first and second plasma etchings are ideally conducted at subatmospheric pressure with the wafer remaining in situ on the receiver intermediate the first and second etchings, and with the chamber maintained at some subatmospheric pressure at all time intermediate the first and second plasma etchings.
    • 等离子体蚀刻方法包括在等离子体蚀刻室的至少一些内表面上形成包含碳和卤素的聚合物。 在形成聚合物之后，使用有效地从室内表面蚀刻聚合物的气体进行等离子体蚀刻。 在一个实施方案中，气体具有有效地从从聚合物释放的卤素形成气态卤化氢的氢组分。 在一个实施方案中，气体包括有效地从蚀刻的聚合物中吸收卤素的碳组分。 在另一个实施方案中，等离子体蚀刻方法包括将半导体晶片定位在等离子体蚀刻室内的晶片接收器上。 半导体晶片上的材料的等离子体蚀刻首先用包含碳和卤素的气体进行。 在第一等离子体蚀刻期间，包含碳和卤素的聚合物在等离子体蚀刻室的至少一些内表面上形成。 在第一等离子体蚀刻和晶片接收器上的晶片之后，使用有效地从腔室内表面蚀刻聚合物的气体和从聚合物释放的吸气剂卤素来进行第二等离子体蚀刻，以限制在半导体晶片期间进一步蚀刻半导体晶片上的材料 第二等离子体蚀刻。 第一和第二等离子体蚀刻理想地在低于大气压的压力下进行，晶片在接收器上原位保留在第一和第二蚀刻物的中间，并且室在所有时间保持在一些低于大气压的压力下，介于第一和第二等离子体蚀刻之间。
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    • 2. 发明授权
      US06277759B1 Plasma etching methods 有权
    • Plasma etching methods
    • 等离子体蚀刻方法
    • US06277759B1
    • 2001-08-21
    • US09141775
    • 1998-08-27
    • Guy T. Blalock , David S. Becker , Kevin G. Donohoe
    • Guy T. Blalock , David S. Becker , Kevin G. Donohoe
    • H01L213065
    • H01J37/32862 , H01L21/31116
    • A plasma etching method includes forming a polymer comprising carbon and a halogen over at least some internal surfaces of a plasma etch chamber. After forming the polymer, plasma etching is conducted using a gas which is effective to etch polymer from chamber internal surfaces. In one implementation, the gas has a hydrogen component effective to form a gaseous hydrogen halide from halogen liberated from the polymer. In one implementation, the gas comprises a carbon component effective to getter the halogen from the etched polymer. In another implementation, a plasma etching method includes positioning a semiconductor wafer on a wafer receiver within a plasma etch chamber. First plasma etching of material on the semiconductor wafer occurs with a gas comprising carbon and a halogen. A polymer comprising carbon and the halogen forms over at least some internal surfaces of the plasma etch chamber during the first plasma etching. After the first plasma etching and with the wafer on the wafer receiver, second plasma etching is conducted using a gas effective to etch polymer from chamber internal surfaces and getter halogen liberated from the polymer to restrict further etching of the material on the semiconductor wafer during the second plasma etching. The first and second plasma etchings are ideally conducted at subatmospheric pressure with the wafer remaining in situ on the receiver intermediate the first and second etchings, and with the chamber maintained at some subatmospheric pressure at all time intermediate the first and second plasma etchings.
    • 等离子体蚀刻方法包括在等离子体蚀刻室的至少一些内表面上形成包含碳和卤素的聚合物。 在形成聚合物之后，使用有效地从室内表面蚀刻聚合物的气体进行等离子体蚀刻。 在一个实施方案中，气体具有有效地从从聚合物释放的卤素形成气态卤化氢的氢组分。 在一个实施方案中，气体包括有效地从蚀刻的聚合物中吸收卤素的碳组分。 在另一个实施方案中，等离子体蚀刻方法包括将半导体晶片定位在等离子体蚀刻室内的晶片接收器上。 半导体晶片上的材料的等离子体蚀刻首先用包含碳和卤素的气体进行。 在第一等离子体蚀刻期间，包含碳和卤素的聚合物在等离子体蚀刻室的至少一些内表面上形成。 在第一等离子体蚀刻和晶片接收器上的晶片之后，使用有效地从腔室内表面蚀刻聚合物的气体和从聚合物释放的吸气剂卤素来进行第二等离子体蚀刻，以限制在半导体晶片期间进一步蚀刻半导体晶片上的材料 第二等离子体蚀刻。 第一和第二等离子体蚀刻理想地在低于大气压的压力下进行，晶片在接收器上原位保留在第一和第二蚀刻物的中间，并且室在所有时间保持在一些低于大气压的压力下，介于第一和第二等离子体蚀刻之间。
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    • 3. 发明授权
      US06516742B1 Apparatus for improved low pressure inductively coupled high density plasma reactor 失效
    • Apparatus for improved low pressure inductively coupled high density plasma reactor
    • 用于改进的低压感应耦合高密度等离子体反应器的装置
    • US06516742B1
    • 2003-02-11
    • US09031400
    • 1998-02-26
    • Guy T. Blalock , Kevin G. Donohoe
    • Guy T. Blalock , Kevin G. Donohoe
    • C23C1600
    • H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32183 , H05H1/46
    • A plasma reactor comprises an electromagnetic energy source coupled to a radiator through first and second variable impedance networks. The plasma reactor includes a chamber having a dielectric window that is proximate to the radiator. A shield is positioned between the radiator and the dielectric window. The shield substantially covers a surface of the radiator near the dielectric window. A portion of the radiator that is not covered by the shield is proximate to a conductive wall of the chamber. Plasma reactor operation includes the following steps. A plasma is ignited in a chamber with substantially capacitive electric energy coupled from the radiator. A variable impedance network is tuned so that the capacitive electric energy coupled into the chamber is diminished. The plasma is then powered with substantially magnetic energy.
    • 等离子体反应器包括通过第一和第二可变阻抗网络耦合到散热器的电磁能量源。 等离子体反应器包括具有靠近散热器的电介质窗口的室。 屏蔽件位于散热器和电介质窗口之间。 屏蔽件基本上覆盖在电介质窗口附近的散热器的表面。 辐射体未被屏蔽物覆盖的部分靠近腔室的导电壁。 等离子体反应器操作包括以下步骤。 等离子体在具有从散热器耦合的基本上电容的电能的室中点燃。 调整可变阻抗网络，使得耦合到腔室中的电容性电能减弱。 然后等离子体用大体上的磁能驱动。
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    • 9. 发明授权
      US06939813B2 Apparatus for improved low pressure inductively coupled high density plasma reactor 失效
    • Apparatus for improved low pressure inductively coupled high density plasma reactor
    • 用于改进的低压感应耦合高密度等离子体反应器的装置
    • US06939813B2
    • 2005-09-06
    • US10263624
    • 2002-10-03
    • Guy T. Blalock , Kevin G. Donohoe
    • Guy T. Blalock , Kevin G. Donohoe
    • C23C16/505 , H01J37/32 , H01L21/205 , H01L21/302 , H01L21/3065 , H05H1/46 , H01L21/31
    • H01J37/32091 , H01J37/321 , H01J37/32183 , H05H1/46
    • A plasma reactor comprises an electromagnetic energy source coupled to a radiator through first and second variable impedance networks. The plasma reactor includes a chamber having a dielectric window that is proximate to the radiator. A shield is positioned between the radiator and the dielectric window. The shield substantially covers a surface of the radiator near the dielectric window. A portion of the radiator that is not covered by the shield is proximate to a conductive wall of the chamber. Plasma reactor operation includes the following steps. A plasma is ignited in a chamber with substantially capacitive electric energy coupled from the radiator. A variable impedance network is tuned so that the capacitive electric energy coupled into the chamber is diminished. The plasma is then powered with substantially magnetic energy.
    • 等离子体反应器包括通过第一和第二可变阻抗网络耦合到散热器的电磁能量源。 等离子体反应器包括具有靠近散热器的电介质窗口的室。 屏蔽件位于散热器和电介质窗口之间。 屏蔽件基本上覆盖在电介质窗口附近的散热器的表面。 辐射体未被屏蔽物覆盖的部分靠近腔室的导电壁。 等离子体反应器操作包括以下步骤。 等离子体在具有从散热器耦合的基本上电容的电能的室中点燃。 调整可变阻抗网络，使得耦合到腔室中的电容性电能减弱。 然后等离子体用大体上的磁能驱动。
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