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    • 5. 发明授权
      US5159423A Self-aligned, planar heterojunction bipolar transistor 失效
    • Self-aligned, planar heterojunction bipolar transistor
    • 自对准平面异质结双极晶体管
    • US5159423A
    • 1992-10-27
    • US702211
    • 1991-05-17
    • Marion D. Clark , William E. Stanchina , K. Vaidyanathan
    • Marion D. Clark , William E. Stanchina , K. Vaidyanathan
    • H01L21/28 , H01L21/331 , H01L29/737
    • H01L29/66318 , H01L21/28 , H01L29/7371
    • A heterojunction bipolar transistor (HBT) is formed with self-aligned base-emitter and base-collector junctions by forming a two-level mask over a doped base layer, sequentially forming openings in registration through the two mask layers, and using the opening in one mask layer to define the collector region and the opening in the other mask layer to define the emitter. A buried conductive layer formed by a dopant implant establishes an electrical contact to the collector region, and connects to the surface via another conductive implant that extends through a lateral extension of the collector region. The collector region itself is formed by a dopant implant, while the active base region which forms junctions with the emitter and collector is thinner than the remainder of the base layer; the latter feature reduces the resistivity associated with connections to lateral base contacts. Parasitic capacitances are minimized when the collector and buried conductive layers are implanted into a semi-insulating substrate such that only the active junction regions overlap.
    • 异质结双极晶体管（HBT）通过在掺杂的基底层上形成二级掩模而顺序地形成通过两个掩模层配准的开口，并且使用开口 一个掩模层，以限定集电极区域和另一个掩模层中的开口以限定发射极。 由掺杂剂注入形成的掩埋导电层建立与集电极区的电接触，并通过延伸通过集电极区的横向延伸的另一个导电注入连接到表面。 集电极区域本身由掺杂剂注入形成，而与发射极和集电极形成结的有源基极区域比基极层的其余部分薄; 后者的特征降低了与横向基底触点的连接性相关联的电阻率。 当将集电极和掩埋导电层注入半绝缘衬底中使得只有活性连接区重叠时，寄生电容被最小化。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 8. 发明授权
      US5098853A Self-aligned, planar heterojunction bipolar transistor and method of forming the same 失效
    • Self-aligned, planar heterojunction bipolar transistor and method of forming the same
    • 自对准的平面异相双极晶体管及其形成方法
    • US5098853A
    • 1992-03-24
    • US266378
    • 1988-11-02
    • Marion D. Clark , William E. Stanchina , K. Vaidyanathan
    • Marion D. Clark , William E. Stanchina , K. Vaidyanathan
    • H01L21/28 , H01L21/331 , H01L29/737
    • H01L29/66318 , H01L21/28 , H01L29/7371
    • A heterojunction bipolar transistor (HBT) is formed with self-aligned base-emitter and base-collector junctions by forming a two-level mask over a doped base layer, sequentially forming openings in registration through the two mask layers, and using the opening in one mask layer to define the collector region and the opening in the other mask layer to define the emitter. A buried conductive layer formed by a dopant implant establishes an electrical contact to the collector region, and connects to the surface via another conductive implant that extends through a lateral extension of the collector region. The collector region itself is formed by a dopant implant, while the active base region which forms junctions with the emitter and collector is thinner than the remainder of the base layer; the latter feature reduces the resistivity associated with connection to lateral base contacts. Parasitic capacitances are minimized when the collector and buried conductive layers are implanted into a semi-insulating substrate such that only the active junction regions overlap.
    • 异质结双极晶体管（HBT）通过在掺杂的基底层上形成二级掩模而顺序地形成通过两个掩模层配准的开口，并且使用开口 一个掩模层，以限定集电极区域和另一个掩模层中的开口以限定发射极。 由掺杂剂注入形成的掩埋导电层建立与集电极区的电接触，并通过延伸通过集电极区的横向延伸的另一个导电注入连接到表面。 集电极区域本身由掺杂剂注入形成，而与发射极和集电极形成结的有源基极区域比基极层的其余部分薄; 后者的特征降低了与横向基底触点的连接相关联的电阻率。 当将集电极和掩埋导电层注入半绝缘衬底中使得只有活性连接区重叠时，寄生电容被最小化。
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