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1. 发明授权

US06893780B1 Photomask and method for reducing electrostatic discharge on the same with an ESD protection pattern 失效
标题翻译：用于减少ESD保护图案上的静电放电的光掩模和方法
公开(公告)号：US06893780B1
公开(公告)日：2005-05-17
申请号：US10290574
申请日：2002-11-08
申请人： Gérald Galan , Eric Souleillet
发明人： Gérald Galan , Eric Souleillet
IPC分类号： A47G1/12 , G03F1/14 , G03F9/00
CPC分类号： G03F1/40
摘要： A photomask and method for reducing electrostatic discharge on the photomask with an ESD protection pattern are disclosed. A photomask includes a substrate and a patterned layer formed on at least a portion of the substrate. The patterned layer includes an electrostatic discharge (ESD) patterned formed between an outer perimeter of an active region and an inner perimeter of a frame region. The ESD pattern reduces ESD effects in the patterned layer.
摘要翻译：公开了一种用于减少具有ESD保护图案的光掩模上的静电放电的光掩模和方法。光掩模包括衬底和形成在衬底的至少一部分上的图案层。图案化层包括在有源区域的外周边和框架区域的内周边之间形成图案的静电放电（ESD）。 ESD图案降低了图案层中的ESD效应。

2. 发明授权

US09195930B2 Method for manufacturing a card based on a substrate 有权
标题翻译：基于基板制造卡的方法
公开(公告)号：US09195930B2
公开(公告)日：2015-11-24
申请号：US13219351
申请日：2011-08-26
申请人： Marc Bertin , Gérald Galan
发明人： Marc Bertin , Gérald Galan
IPC分类号： G06K19/06 , G06K19/077
CPC分类号： G06K19/07743 , G06K19/07716 , Y10T29/49124
摘要： A method for manufacturing a card (102) based on a substrate (101), the method comprising a step of defining the perimeter of the card (102) within the substrate (101), the method also comprising a step of chamfering on a portion of the perimeter of the card (102) so that on completion of the perimeter definition and chamfering steps the physical dimensions of the card (102) are compliant with the parameters A, Ai, B, Bj, C2, C3, and Rm defined by that Micro SD card standard designated V3.00, wherein: i=1, 6 . . . 8; j=1, 4, 10, 11, x, y (the pair [x,y] being equal to [6,9] or to [14,15]); and m=1 . . . 6, 17 . . . 19, the physical dimensions of the card (102) also being compliant with the parameter A9 of the standard when x=6 and y=9.
摘要翻译：一种用于基于衬底（101）制造卡（102）的方法，所述方法包括限定所述衬底（101）内的所述卡（102）的周边的步骤，所述方法还包括在部分上倒角的步骤（102）的周边，使得在周界定义和倒角步骤完成时，卡（102）的物理尺寸符合由参数A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm定义的参数该Micro SD卡标准为V3.00，其中：i = 1,6。。。 8; j = 1，4，10，11，x，y（对[x，y]等于[6,9]或[14,15]）; m = 1。。。 6，17。。。如图19所示，当x = 6和y = 9时，卡（102）的物理尺寸也符合标准的参数A9。

3. 发明申请

US20120048948A1 Method for Manufacturing a Card Based on a Substrate 有权
标题翻译：基于基板制造卡片的方法
公开(公告)号：US20120048948A1
公开(公告)日：2012-03-01
申请号：US13219351
申请日：2011-08-26
申请人： Marc BERTIN , Gérald Galan
发明人： Marc BERTIN , Gérald Galan
IPC分类号： G06K19/077 , H05K3/00
CPC分类号： G06K19/07743 , G06K19/07716 , Y10T29/49124
摘要： A method for manufacturing a card (102) based on a substrate (101), the method comprising a step of defining the perimeter of the card (102) within the substrate (101), the method also comprising a step of chamfering on a portion of the perimeter of the card (102) so that on completion of the perimeter definition and chamfering steps the physical dimensions of the card (102) are compliant with the parameters A, Ai, B, Bj, C2, C3, and Rm defined by that Micro SD card standard designated V3.00, wherein: i=1, 6 . . . 8; j=1, 4, 10, 11, x, y (the pair [x,y] being equal to [6,9] or to [14,15]); and m=1 . . . 6, 17 . . . 19, the physical dimensions of the card (102) also being compliant with the parameter A9 of the standard when x=6 and y=9.
摘要翻译：一种用于基于衬底（101）制造卡（102）的方法，所述方法包括限定所述衬底（101）内的所述卡（102）的周边的步骤，所述方法还包括在部分上倒角的步骤（102）的周边，使得在周界定义和倒角步骤完成时，卡（102）的物理尺寸符合由参数A，Ai，B，Bj，C2，C3和Rm定义的参数该Micro SD卡标准为V3.00，其中：i = 1,6。。。 8; j = 1，4，10，11，x，y（对[x，y]等于[6,9]或[14,15]）; m = 1。。。 6，17。。。如图19所示，当x = 6和y = 9时，卡（102）的物理尺寸也符合标准的参数A9。

4. 发明授权

US06899981B1 Photomask and method for detecting violations in a mask pattern file using a manufacturing rule 失效
标题翻译：用于使用制造规则检测掩模图案文件中的违规的光掩模和方法
公开(公告)号：US06899981B1
公开(公告)日：2005-05-31
申请号：US10301195
申请日：2002-11-21
申请人： Gérald Galan , Gérard Auligine
发明人： Gérald Galan , Gérard Auligine
IPC分类号： G03F1/14 , G03F9/00
CPC分类号： G03F1/36 , G03F1/70
摘要： A photomask and method for detecting failures in a mask pattern file using a manufacturing rule are disclosed. The method includes calculating a manufacturing rule based on a design parameter associated with a manufacturing process and measuring a dimension of a non-linear feature in a mask pattern file. A rule violation is identified in the mask pattern file if the measured dimension is less than the calculated manufacturing rule.
摘要翻译：公开了一种使用制造规则检测掩模图案文件中的故障的光掩模和方法。该方法包括基于与制造过程相关联的设计参数来计算制造规则并测量掩模图案文件中的非线性特征的尺寸。如果测量尺寸小于计算的制造规则，则在掩模图案文件中识别规则违规。

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