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1. 发明授权

US4115470A Organophosphorus nickel complexes and use thereof 失效
标题翻译：有机磷镍络合物及其用途
公开(公告)号：US4115470A
公开(公告)日：1978-09-19
申请号：US858760
申请日：1977-12-08
申请人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
发明人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
IPC分类号： C07C2/36 , C07C2/46 , C07F9/02 , C07F15/04 , C07C3/10
CPC分类号： C07F9/02 , C07C2/36 , C07C2/465 , C07F15/045 , C07C2531/24
摘要： The preparation and use of bis(.mu.-diphenylphosphido)tris(triethylphosphine)dinickel and tris(triethylphosphine)(triphenylphosphine)nickel is disclosed.
摘要翻译：公开了双（μ-二苯基膦基）三（三乙基膦）二锡和三（三乙基膦）（三苯基膦）镍的制备和使用。

2. 发明授权

US4123447A Trans-halo(acyl)bis(triethylphosphine)nickel(II) complexes and preparation thereof 失效
标题翻译：反式（酰基）双（三乙基膦）镍（II）配合物及其制备
公开(公告)号：US4123447A
公开(公告)日：1978-10-31
申请号：US739763
申请日：1976-11-08
申请人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
发明人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
IPC分类号： C07C2/36 , C07C5/03 , C07C9/14 , C07F15/04
CPC分类号： C07F15/04 , C07C2/36 , C07C5/03 , C07C9/14 , C07C2531/22
摘要： trans-Halo(acyl)bis(triethylphosphine)nickel (II) complexes and methods of preparing and using them are disclosed.
摘要翻译：公开了反式卤代（酰基）双（三乙基膦）镍（II）络合物及其制备和使用方法。

3. 发明授权

US4144259A Organophosphorus nickel complexes and use thereof 失效
公开(公告)号：US4144259A
公开(公告)日：1979-03-13
申请号：US858768
申请日：1977-12-08
申请人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
发明人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
IPC分类号： C07C2/36 , C07C2/46 , C07F9/02 , C07F15/04 , C07F5/04
CPC分类号： C07F9/02 , C07C2/36 , C07C2/465 , C07F15/045 , C07C2531/24
摘要： The preparation and use of bis(.mu.-diphenylphosphido)tris(triethylphosphine)dinickel and tris(triethylphosphine)(triphenylphosphine)nickel is disclosed.

4. 发明授权

US4118408A Organophosphorus nickel complexes and preparation thereof 失效
标题翻译：有机磷镍络合物及其制备方法
公开(公告)号：US4118408A
公开(公告)日：1978-10-03
申请号：US684350
申请日：1976-05-07
申请人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
发明人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
IPC分类号： C07C2/36 , C07C2/46 , C07F9/02 , C07F15/04
CPC分类号： C07F9/02 , C07C2/36 , C07C2/465 , C07F15/045 , C07C2531/24
摘要： The preparation and use of bis(.mu.-diphenylphosphido)tris(triethylphosphine)dinickel and tris(triethylphosphine)(triphenylphosphine)nickel is disclosed.
摘要翻译：公开了双（μ-二苯基膦基）三（三乙基膦）二锡和三（三乙基膦）（三苯基膦）镍的制备和使用。

5. 发明授权

US4180525A Trans-halo(acyl)bis(triethylphosphine) nickel(II) complexes 失效
标题翻译：反式（酰基）双（三乙基膦）镍（II）络合物
公开(公告)号：US4180525A
公开(公告)日：1979-12-25
申请号：US930615
申请日：1978-08-03
申请人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
发明人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
IPC分类号： C07C2/36 , C07C5/03 , C07C9/14 , C07F9/02 , C07C3/21
CPC分类号： C07F9/02 , C07C2/36 , C07C5/03 , C07C9/14 , C07C2531/22
摘要： A process for oligomerizing monoolefins using a catalyst system comprising at least one organoaluminum halide and at least one trans-halo(acyl)bis(triethylphosphine nickel(II) complex.
摘要翻译：一种使用包含至少一种有机铝卤化物和至少一种反式卤代（酰基）双（三乙基膦镍（II））络合物的催化剂体系使单烯烃低聚的方法。

6. 发明授权

US4120907A Bis(.mu.-diphenylphosphido)tris(triethylphosphine)dinickel oligomerization of 1,3 butadiene 失效
标题翻译： 1,3-丁二烯的（（82-二苯基膦基）三（三乙基膦）二联体低聚物
公开(公告)号：US4120907A
公开(公告)日：1978-10-17
申请号：US858598
申请日：1977-12-08
申请人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
发明人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
IPC分类号： C07C2/36 , C07C2/46 , C07F9/02 , C07F15/04 , C07C13/26 , C07C13/27
CPC分类号： C07F9/02 , C07C2/36 , C07C2/465 , C07F15/045 , C07C2531/24
摘要： The preparation and use of bis(.mu.-diphenylphosphido)tris(triethylphosphine)dinickel and tris(triethylphosphine)(triphenylphosphine)nickel is disclosed.
摘要翻译：公开了双（μ-二苯基膦基）三（三乙基膦）二锡和三（三乙基膦）（三苯基膦）镍的制备和使用。

7. 发明授权

US4111972A Organophosphorus nickel complexes and use thereof 失效
公开(公告)号：US4111972A
公开(公告)日：1978-09-05
申请号：US858600
申请日：1977-12-08
申请人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
发明人： Darryl R. Fahey , John E. Mahan
IPC分类号： C07C2/36 , C07C2/46 , C07F9/02 , C07F15/04
CPC分类号： C07F9/02 , C07C2/36 , C07C2/465 , C07F15/045 , C07C2531/24
摘要： The preparation and use of bis(.mu.-diphenylphosphido)tris(triethylphosphine)dinickel and tris(triethylphosphine)(triphenylphosphine)nickel is disclosed.

8. 发明授权

US4048238A Promoted liquid phase oxidation of alkyl aromatic compounds 失效
标题翻译：促进烷基芳族化合物的液相氧化
公开(公告)号：US4048238A
公开(公告)日：1977-09-13
申请号：US620464
申请日：1975-10-07
申请人： Lloyd E. Gardner , Darryl R. Fahey , John E. Mahan
发明人： Lloyd E. Gardner , Darryl R. Fahey , John E. Mahan
IPC分类号： C07C29/09 , C07C45/36 , C07C67/05 , C07C27/12 , C07C29/00
CPC分类号： C07C45/36 , C07C29/095 , C07C67/05
摘要： A process is provided for oxygenating alkyl-substituted aromatic compounds. In the process alkyl-substituted aromatic compounds are contacted with molecular oxygen in the presence of a suitable monocarboxylic acid, an at least partially soluble Te or Se compound, an inorganic bromine compound, and a compound selected from inorganic nitrates and compounds convertible to inorganic nitrates at conditions of the process. In an embodiment of the invention the process is carried out in two distinct steps with contact of the alkyl-substituted aromatic compounds and oxygen in the presence of the essential components produce an ester comprising both an aromatic alcohol and the carboxylic acid with subsequent hydrolyzing of this ester to produce an aromatic alcohol with regeneration of the carboxylic acid.
摘要翻译：提供了对烷基取代的芳族化合物进行加氧的方法。在此过程中，烷基取代的芳族化合物在合适的一元羧酸，至少部分可溶的Te或Se化合物，无机溴化合物和选自无机硝酸盐和可转化成无机硝酸盐的化合物的化合物存在下与分子氧接触在该过程的条件下。在本发明的一个实施方案中，该方法在两个不同的步骤中进行，其中烷基取代的芳族化合物和氧在必要组分存在下接触产生包含芳族醇和羧酸的酯，随后水解该酯以产生具有羧酸再生的芳族醇。

9. 发明授权

US4782377A Semiconducting metal silicide radiation detectors and source 失效
标题翻译：半导体金属硅化物辐射探测器和源
公开(公告)号：US4782377A
公开(公告)日：1988-11-01
申请号：US913354
申请日：1986-09-30
申请人： John E. Mahan
发明人： John E. Mahan
IPC分类号： G02B6/42 , H01L27/146 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/103 , H01L31/109 , H01L33/00 , H01L33/26 , H01L27/14 , G01T1/24
CPC分类号： H01L33/26 , G02B6/4246 , G02B6/4249 , G02B6/4295 , H01L27/14649 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/103 , H01L31/109 , H01L33/002 , H01L2924/0002
摘要： Semiconducting metal silicide electromagnetic radiation sources and detectors have a thin film of semiconducting metal silicide grown or deposited on a silicon wafer. The metals are chosen from a group consisting of iron, iridium, manganese, chromium, rhenium, barium, calcium, magnesium and osmium. The detectors are intrinsic semiconductors and can be formed either as discrete devices, or monolithically on a silicon chip to provide an integrated detector or detector array. The semiconducting metal silicide devices are efficient detectors at wavelengths which mate with the transmission capabilities of certain optical fibers enhancing the combination of infra-red detectors and optical fiber transmission preveously known. Iron disilicide is useful as an infra-red radiation source and as an extrinsic detector as well.
摘要翻译：半导体金属硅化物电磁辐射源和检测器具有生长或沉积在硅晶片上的半导体金属硅化物薄膜。金属选自铁，铱，锰，铬，铼，钡，钙，镁和锇。检测器是本征半导体，并且可以作为分立器件形成，或者单片地形成在硅芯片上，以提供集成的检测器或检测器阵列。半导体金属硅化物器件是与某些光纤的传输能力相匹配的波长的有效检测器，其增强了红外探测器和普遍已知的光纤传输的组合。二硅化铁可用作红外辐射源和外部检测器。

10. 发明授权

US4940898A Semiconducting metal silicide radiation detectors 失效
标题翻译：半导体金属硅化物辐射探测器
公开(公告)号：US4940898A
公开(公告)日：1990-07-10
申请号：US189310
申请日：1988-05-02
申请人： John E. Mahan
发明人： John E. Mahan
IPC分类号： G02B6/42 , H01L27/146 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/103 , H01L31/109 , H01L33/00 , H01L33/26
CPC分类号： H01L33/26 , G02B6/4246 , G02B6/4249 , G02B6/4295 , H01L27/14649 , H01L31/032 , H01L31/09 , H01L31/103 , H01L31/109 , H01L33/002
摘要： Semiconducting metal silicide electromagnetic radiation detectors have a thin film of semiconducting metal silicide, such as rhenium disilicide, grown or deposited on a silicon wafer. The detectors are intrinsic semiconductor detectors and can be formed either as discrete devices, or monolithically on a silicon chip to provide an integrated detector or detector array. The semiconducting rhenium disilicide detectors are efficient at wavelengths which mate with the transmission capabilities of certain optical fibers, thereby enhancing the combination of infrared detectors and optical fiber transmission previously known. The range of electromagnetic radiation sensed by these rhenium disilicide detectors include the infrared range of wavelengths up to 14 microns.
摘要翻译：半导体金属硅化物电磁辐射探测器具有生长或沉积在硅晶片上的半导体金属硅化物薄膜，例如二硅化铼。检测器是本征半导体检测器，并且可以形成为分立器件，或者单片地形成在硅芯片上，以提供集成的检测器或检测器阵列。半导体铼二硅化物检测器在与某些光纤的传输能力相匹配的波长下是有效的，从而增强红外检测器和先前已知的光纤传输的组合。由这些铼二硅化物检测器检测的电磁辐射的范围包括高达14微米的波长的红外范围。

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