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1. 发明授权

US08618524B2 Phase change memory with various grain sizes 有权
标题翻译：具有各种晶粒尺寸的相变记忆体
公开(公告)号：US08618524B2
公开(公告)日：2013-12-31
申请号：US13029436
申请日：2011-02-17
申请人： Chun-Sheng Liang , Tzyh-Cheang Lee , Fu-Liang Yang
发明人： Chun-Sheng Liang , Tzyh-Cheang Lee , Fu-Liang Yang
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/12 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625 , H01L45/1683
摘要： A memory device includes a phase change element, which further includes a first phase change layer having a first grain size; and a second phase change layer over the first phase change layer. The first and the second phase change layers are depth-wise regions of the phase change element. The second phase change layer has a second average grain size different from the first average grain size.
摘要翻译：存储器件包括相变元件，该相变元件还包括具有第一晶粒尺寸的第一相变层; 以及在所述第一相变层上的第二相变层。第一和第二相变层是相变元件的深度区域。第二相变层具有与第一平均晶粒尺寸不同的第二平均晶粒尺寸。

2. 发明授权

US08173990B2 Memory array with a selector connected to multiple resistive cells 有权
标题翻译：具有选择器的存储器阵列连接到多个电阻单元
公开(公告)号：US08173990B2
公开(公告)日：2012-05-08
申请号：US12691549
申请日：2010-01-21
申请人： Tzyh-Cheang Lee , Chun-Sheng Liang , Jiunn-Ren Hwang , Fu-Liang Yang
发明人： Tzyh-Cheang Lee , Chun-Sheng Liang , Jiunn-Ren Hwang , Fu-Liang Yang
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L27/2436 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2213/78 , H01L27/2445 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An array includes a transistor comprising a first terminal, a second terminal and a third terminal; a first contact plug connected to the first terminal of the transistor; a second contact plug connected to the first terminal of the transistor; a first resistive memory cell having a first end and a second end, wherein the first end is connected to the first contact plug; and a second resistive memory cell having a third end and a fourth end, wherein the third end is connected to the second contact plug.
摘要翻译：阵列包括：晶体管，包括第一端子，第二端子和第三端子; 连接到所述晶体管的第一端子的第一接触插塞; 连接到晶体管的第一端子的第二接触插塞; 第一电阻式存储单元，具有第一端和第二端，其中所述第一端连接到所述第一接触插塞; 以及具有第三端和第四端的第二电阻式存储单元，其中所述第三端连接到所述第二接触插塞。

3. 发明申请

US20090230375A1 Phase Change Memory Device 审中-公开
标题翻译：相变存储器件
公开(公告)号：US20090230375A1
公开(公告)日：2009-09-17
申请号：US12049910
申请日：2008-03-17
申请人： Chun-Sheng Liang , Tzyh-Cheang Lee , Fu-Liang Yang
发明人： Chun-Sheng Liang , Tzyh-Cheang Lee , Fu-Liang Yang
IPC分类号： H01L45/00 , H01L21/4763
CPC分类号： H01L45/144 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/148 , H01L45/1625 , H01L45/165
摘要： A semiconductor device is provided which includes a substrate having a dielectric layer formed thereon, a heating element formed in the dielectric layer, a phase change element formed on the heating element, and a conductive element formed on the phase change element. The phase change element includes a substantially amorphous background and an active region, the active region capable of changing phase between amorphous and crystalline.
摘要翻译：提供一种半导体器件，其包括其上形成有电介质层的衬底，形成在电介质层中的加热元件，形成在加热元件上的相变元件和形成在相变元件上的导电元件。相变元件包括基本无定形的背景和有源区域，该有源区域能够改变无定形和晶态之间的相位。

4. 发明申请

US20100117045A1 Memory Array with a Selector Connected to Multiple Resistive Cells 有权
标题翻译：具有连接到多个电阻单元的选择器的存储器阵列
公开(公告)号：US20100117045A1
公开(公告)日：2010-05-13
申请号：US12691549
申请日：2010-01-21
申请人： Tzyh-Cheang Lee , Chun-Sheng Liang , Jiunn-Ren Hwang , Fu-Liang Yang
发明人： Tzyh-Cheang Lee , Chun-Sheng Liang , Jiunn-Ren Hwang , Fu-Liang Yang
IPC分类号： H01L47/00
CPC分类号： H01L27/2436 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2213/78 , H01L27/2445 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An array includes a transistor comprising a first terminal, a second terminal and a third terminal; a first contact plug connected to the first terminal of the transistor; a second contact plug connected to the first terminal of the transistor; a first resistive memory cell having a first end and a second end, wherein the first end is connected to the first contact plug; and a second resistive memory cell having a third end and a fourth end, wherein the third end is connected to the second contact plug.
摘要翻译：阵列包括：晶体管，包括第一端子，第二端子和第三端子; 连接到所述晶体管的第一端子的第一接触插塞; 连接到晶体管的第一端子的第二接触插塞; 第一电阻式存储单元，具有第一端和第二端，其中所述第一端连接到所述第一接触插塞; 以及具有第三端和第四端的第二电阻式存储单元，其中所述第三端连接到所述第二接触插塞。

5. 发明申请

US20090014836A1 Memory Array with a Selector Connected to Multiple Resistive Cells 失效
标题翻译：具有连接到多个电阻单元的选择器的存储器阵列
公开(公告)号：US20090014836A1
公开(公告)日：2009-01-15
申请号：US11775741
申请日：2007-07-10
申请人： Tzyh-Cheang Lee , Chun-Sheng Liang , Jiunn-Ren Hwang , Fu-Liang Yang
发明人： Tzyh-Cheang Lee , Chun-Sheng Liang , Jiunn-Ren Hwang , Fu-Liang Yang
IPC分类号： G11C11/00 , H01L29/00
CPC分类号： H01L27/2436 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2213/78 , H01L27/2445 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An array includes a transistor comprising a first terminal, a second terminal and a third terminal; a first contact plug connected to the first terminal of the transistor; a second contact plug connected to the first terminal of the transistor; a first resistive memory cell having a first end and a second end, wherein the first end is connected to the first contact plug; and a second resistive memory cell having a third end and a fourth end, wherein the third end is connected to the second contact plug.
摘要翻译：阵列包括：晶体管，包括第一端子，第二端子和第三端子; 连接到所述晶体管的第一端子的第一接触插塞; 连接到晶体管的第一端子的第二接触插塞; 第一电阻式存储单元，具有第一端和第二端，其中所述第一端连接到所述第一接触插塞; 以及具有第三端和第四端的第二电阻式存储单元，其中所述第三端连接到所述第二接触插塞。

6. 发明申请

US20110140066A1 Phase Change Memory with Various Grain Sizes 有权
标题翻译：具有各种晶粒尺寸的相变存储器
公开(公告)号：US20110140066A1
公开(公告)日：2011-06-16
申请号：US13029436
申请日：2011-02-17
申请人： Chun-Sheng Liang , Tzyh-Cheang Lee , Fu-Liang Yang
发明人： Chun-Sheng Liang , Tzyh-Cheang Lee , Fu-Liang Yang
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/12 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625 , H01L45/1683
摘要： A memory device includes a phase change element, which further includes a first phase change layer having a first grain size; and a second phase change layer over the first phase change layer. The first and the second phase change layers are depth-wise regions of the phase change element. The second phase change layer has a second average grain size different from the first average grain size.
摘要翻译：存储器件包括相变元件，该相变元件还包括具有第一晶粒尺寸的第一相变层; 以及在所述第一相变层上的第二相变层。第一和第二相变层是相变元件的深度区域。第二相变层具有与第一平均晶粒尺寸不同的第二平均晶粒尺寸。

7. 发明授权

US07893420B2 Phase change memory with various grain sizes 有权
标题翻译：具有各种晶粒尺寸的相变记忆体
公开(公告)号：US07893420B2
公开(公告)日：2011-02-22
申请号：US11858712
申请日：2007-09-20
申请人： Chun-Sheng Liang , Tzyh-Cheang Lee , Fu-Liang Yang
发明人： Chun-Sheng Liang , Tzyh-Cheang Lee , Fu-Liang Yang
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/12 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/148 , H01L45/1625 , H01L45/1683
摘要： A memory device includes a phase change element, which further includes a first phase change layer having a first grain size; and a second phase change layer over the first phase change layer. The first and the second phase change layers are depth-wise regions of the phase change element. The second phase change layer has a second average grain size different from the first average grain size.
摘要翻译：存储器件包括相变元件，该相变元件还包括具有第一晶粒尺寸的第一相变层; 以及在所述第一相变层上的第二相变层。第一和第二相变层是相变元件的深度区域。第二相变层具有与第一平均晶粒尺寸不同的第二平均晶粒尺寸。

8. 发明授权

US07663134B2 Memory array with a selector connected to multiple resistive cells 失效
标题翻译：具有选择器的存储器阵列连接到多个电阻单元
公开(公告)号：US07663134B2
公开(公告)日：2010-02-16
申请号：US11775741
申请日：2007-07-10
申请人： Tzyh-Cheang Lee , Chun-Sheng Liang , Jiunn-Ren Hwang , Fu-Liang Yang
发明人： Tzyh-Cheang Lee , Chun-Sheng Liang , Jiunn-Ren Hwang , Fu-Liang Yang
IPC分类号： H01L47/00
CPC分类号： H01L27/2436 , G11C13/0004 , G11C13/003 , G11C2213/78 , H01L27/2445 , H01L45/06 , H01L45/1233 , H01L45/144 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
摘要： An array includes a transistor cpmprising a first terminal, a second terminal and a third terminal; a first contact plug connected to the first terminal of the transistor; a second contact plug connected to the first terminal of the transistor; a first resistive memory cell having a first end and a second end, wherein the first end is connected to the first contact plug; and a second resistive memory cell having a third end and a fourth end, wherein the third end is connected to the second contact plug.
摘要翻译：阵列包括：晶体管，包括第一端子，第二端子和第三端子; 连接到所述晶体管的第一端子的第一接触插塞; 连接到晶体管的第一端子的第二接触插塞; 第一电阻式存储单元，具有第一端和第二端，其中所述第一端连接到所述第一接触插塞; 以及具有第三端和第四端的第二电阻式存储单元，其中所述第三端连接到所述第二接触插塞。

9. 发明授权

US07642170B2 Phase change memory cell with roundless micro-trenches 有权
标题翻译：具有圆形微沟槽的相变存储单元
公开(公告)号：US07642170B2
公开(公告)日：2010-01-05
申请号：US11864719
申请日：2007-09-28
申请人： Tzyh-Cheang Lee , Chun-Sheng Liang , Fu-Liang Yang
发明人： Tzyh-Cheang Lee , Chun-Sheng Liang , Fu-Liang Yang
IPC分类号： H01L21/20
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
摘要： A method for constructing a phase change memory device includes forming a first dielectric layer on a substrate; forming a first conductive component in the first dielectric layer; forming a second dielectric layer over the first conductive component in the first dielectric layer; forming a conductive crown in the second dielectric layer, the conductive crown being in contact and alignment with the conductive component; depositing a third dielectric layer in the conductive crown; and forming a trench filled with chalcogenic materials having an amorphous phase and a crystalline phase programmable by controlling a temperature thereof to represent logic states, wherein the trench extends across the conductive crown, such that the trench is free from a rounded end portion caused by lithography during fabrication of the phase change memory device.
摘要翻译：一种构造相变存储器件的方法包括：在衬底上形成第一电介质层; 在所述第一介电层中形成第一导电组分; 在所述第一介电层中的所述第一导电部件上形成第二电介质层; 在所述第二介电层中形成导电冠，所述导电冠与所述导电部件接触并对齐; 在导电冠中沉积第三电介质层; 并且形成填充有具有非晶相和结晶相的硫化物的沟槽，其可通过控制其温度来表示逻辑状态，其中所述沟槽延伸穿过所述导电冠，使得所述沟槽没有由光刻引起的圆形端部在相变存储器件的制造过程中。

10. 发明申请

US20090087945A1 Phase change memory cell with roundless micro-trenches 有权
标题翻译：具有圆形微沟槽的相变存储单元
公开(公告)号：US20090087945A1
公开(公告)日：2009-04-02
申请号：US11864719
申请日：2007-09-28
申请人： Tzyh Cheang Lee , Chun-Sheng Liang , Fu-Liang Yang
发明人： Tzyh Cheang Lee , Chun-Sheng Liang , Fu-Liang Yang
IPC分类号： H01L45/00
CPC分类号： H01L45/1233 , H01L27/2463 , H01L45/06 , H01L45/126 , H01L45/144 , H01L45/1666
摘要： A method for constructing a phase change memory device includes forming a first dielectric layer on a substrate; forming a first conductive component in the first dielectric layer; forming a second dielectric layer over the first conductive component in the first dielectric layer; forming a conductive crown in the second dielectric layer, the conductive crown being in contact and alignment with the conductive component; depositing a third dielectric layer in the conductive crown; and forming a trench filled with chalcogenic materials having an amorphous phase and a crystalline phase programmable by controlling a temperature thereof to represent logic states, wherein the trench extends across the conductive crown, such that the trench is free from a rounded end portion caused by lithography during fabrication of the phase change memory device.
摘要翻译：一种构造相变存储器件的方法包括：在衬底上形成第一电介质层; 在所述第一介电层中形成第一导电组分; 在所述第一介电层中的所述第一导电部件上形成第二电介质层; 在所述第二介电层中形成导电冠，所述导电冠与所述导电部件接触并对齐; 在导电冠中沉积第三电介质层; 并且形成填充有具有非晶相和结晶相的硫化物的沟槽，其可通过控制其温度来表示逻辑状态，其中所述沟槽延伸穿过导电冠，使得沟槽没有由光刻引起的圆形端部在相变存储器件的制造过程中。

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