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    • 6. 发明授权
    • Method for forming tungsten structures in a semiconductor
    • 在半导体中形成钨结构的方法
    • US4925524A
    • 1990-05-15
    • US293550
    • 1989-01-04
    • Christopher C. Beatty
    • Christopher C. Beatty
    • H01L21/3213H01L21/768H01L23/482
    • H01L21/76886H01L21/32136H01L23/4827H01L2924/0002
    • A method and system for forming tungsten structures in a semiconductor device which uses a chromium protective layer to protect underlying semiconductor layers during the etching process and a chromium mask layer so that tungsten structures can be formed with high aspect ratios using a reactive ion etching to etch the tungsten with a carbon tetrafluoride oxygen plasma in a reactive ion etcher. Long overetches can be achieved because of the high selectivity of chromium to the carbon tetrafluoride/oxygen plasma. The anisotropic nature of the reactive ion etcher prevents undercut during long overetches of the tungsten to further decrease losses in linewidth or increases in resistance as a result of overetching.
    • 一种用于在半导体器件中形成钨结构的方法和系统,其使用铬保护层来在蚀刻过程期间保护下面的半导体层和铬掩模层,使得可以使用反应离子蚀刻蚀刻来形成具有高纵横比的钨结构 在反应离子蚀刻剂中具有四氟化碳氧等离子体的钨。 由于铬对四氟化碳/氧等离子体的高选择性,可以实现长时间的老化。 反应离子蚀刻器的各向异性特性防止在钨的长时间过蚀刻过程中的底切,以进一步降低线宽的损失或由于过蚀刻导致的电阻增加。