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    • 3. 发明申请
    • REWORK METHOD OF METAL HARD MASK
    • 金属硬掩模的方法
    • US20100190272A1
    • 2010-07-29
    • US12358914
    • 2009-01-23
    • Yu ZhangBin ZhaoKah-Lun TohShi-Jie Bai
    • Yu ZhangBin ZhaoKah-Lun TohShi-Jie Bai
    • H01L21/302H01L21/44H01L21/02
    • H01L21/76802H01L21/31144
    • A rework method of a metal hard mask layer is provided. First, a material layer is provided. A dielectric layer, a first metal hard mask layer, and a patterned first dielectric hard mask layer have been sequentially formed on the material layer. There is a defect on a region of the first metal hard mask layer, and therefore the region of the first metal hard mask layer is not able to be patterned. After that, the patterned first dielectric hard mask layer and the first metal hard mask layer are removed. A planarization process is then performed on the dielectric layer. Next, a second metal hard mask layer and a second dielectric hard mask layer are sequentially formed on the dielectric layer.
    • 提供了金属硬掩模层的返工方法。 首先,提供材料层。 电介质层,第一金属硬掩模层和图案化的第一电介质硬掩模层已顺序地形成在材料层上。 在第一金属硬掩模层的区域上存在缺陷,因此第一金属硬掩模层的区域不能被图案化。 之后,去除图案化的第一电介质硬掩模层和第一金属硬掩模层。 然后在电介质层上进行平坦化处理。 接下来,在电介质层上依次形成第二金属硬掩模层和第二电介质硬掩模层。