会员体验
专利管家(专利管理)
工作空间(专利管理)
风险监控(情报监控)
数据分析(专利分析)
侵权分析(诉讼无效)
联系我们
交流群
官方交流:
QQ群: 891211   
微信请扫码    >>>
现在联系顾问~
热词
    • 7. 发明授权
    • Multilayer article and method of making by ARC plasma deposition
    • 多层制品和ARC等离子体沉积制备方法
    • US06426125B1
    • 2002-07-30
    • US09271654
    • 1999-03-17
    • Barry Lee-Mean YangCharles Dominic Iacovangelo
    • Barry Lee-Mean YangCharles Dominic Iacovangelo
    • C08F252
    • C03C17/42C03C17/3417C03C17/3435C03C17/3441C03C17/347C23C14/22C23C14/32C23C16/513Y10T428/24942Y10T428/31663
    • According to an exemplary embodiment of the invention, a method of forming a plurality of layers on an article comprises steps of generating a plasma by forming an arc between a cathode and an anode; injecting a first material comprising an organic compound into the plasma to deposit a first layer on the article; injecting a second material comprising an organometallic material into the plasma to form a second layer on the first layer; and injecting a third material comprising a silicon containing organic compound into the plasma to deposit a third layer on the second layer. The invention also relates to an article of manufacture comprising a substrate; an interlayer disposed on the substrate; a second layer disposed on the interlayer, the second layer comprising an inorganic ultraviolet absorbing material; and a third layer disposed on the second layer, the third layer comprising an abrasion resistant material. The interlayer may comprise a polymerized organosilicon material or a polymerized hydrocarbon material, for example. The second layer may comprise a metal oxide or zinc sulfide, for example. The third layer may comprise an oxidized organosilicon material, for example.
    • 根据本发明的示例性实施例,在制品上形成多个层的方法包括以下步骤:通过在阴极和阳极之间形成电弧来产生等离子体; 将包含有机化合物的第一材料注入到所述等离子体中以将第一层沉积在所述制品上; 将包含有机金属材料的第二材料注入所述等离子体中以在所述第一层上形成第二层; 以及将包含含硅有机化合物的第三材料注射到所述等离子体中以在所述第二层上沉积第三层。 本发明还涉及一种包括基底的制品; 设置在基板上的中间层; 设置在所述中间层上的第二层,所述第二层包含无机紫外线吸收材料; 以及设置在所述第二层上的第三层,所述第三层包括耐磨材料。 中间层可以包括例如聚合的有机硅材料或聚合烃材料。 例如,第二层可以包含金属氧化物或硫化锌。 例如,第三层可以包含氧化的有机硅材料。