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    • 6. 发明申请
    • METHOD OF PRODUCING A STRUCTURE HAVING A HOLE
    • 生产具有孔的结构的方法
    • US20080050526A1
    • 2008-02-28
    • US11766908
    • 2007-06-22
    • Aya ImadaToru Den
    • Aya ImadaToru Den
    • B05D5/00
    • B81C1/00111B81B2203/0361C25D1/08C25D11/04C25D11/045C25D11/16C25D11/18C25D11/26
    • The present invention provides a method of producing a structure, which is capable of easily obtaining a structure of the nanometer scale by using an anodic oxidation method. A method of producing a structure with a hole includes: forming first projected structures regularly arranged on a substrate; forming a first anodic oxidating layer on the substrate having the first projected structures, thereby forming first recessed structures at center portions of cells formed by the projected structures on the anodic oxidating layer; removing the first projected structures to form holes; and subjecting the first anodic oxidating layer to anodic oxidation to form holes at positions of the first recessed structures.
    • 本发明提供一种通过使用阳极氧化法容易地得到纳米级结构的结构体的制造方法。 制造具有孔的结构的方法包括:形成规则地布置在基板上的第一突出结构; 在具有第一投影结构的基板上形成第一阳极氧化层,从而在由阳极氧化层上的投影结构形成的单元的中心部分形成第一凹陷结构; 移除第一投影结构以形成孔; 以及对所述第一阳极氧化层进行阳极氧化,以在所述第一凹部结构的位置形成孔。