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    • 2. 发明授权
    • Semiconductor devices and methods with bilayer dielectrics
    • 具有双层电介质的半导体器件和方法
    • US07531399B2
    • 2009-05-12
    • US11532308
    • 2006-09-15
    • Fong-Yu YenCheng-Lung HungPeng-Fu HsuVencent S. ChangYong-Tian HouJin YingHun-Jan Tao
    • Fong-Yu YenCheng-Lung HungPeng-Fu HsuVencent S. ChangYong-Tian HouJin YingHun-Jan Tao
    • H01L21/8238
    • H01L29/513H01L21/28088H01L21/28185H01L21/28194H01L29/4966H01L29/518
    • A semiconductor device is disclosed that includes: a substrate; a first high-k dielectric layer; a second high-k dielectric layer formed of a different high-k material; and a metal gate. In another form, a method of forming a semiconductor device is disclosed that includes: providing a substrate; forming a first high-k dielectric layer above the substrate; forming a second dielectric layer of a different high-k material above the first dielectric layer; and forming a gate structure above the second dielectric layer. In yet another form, a method of forming a semiconductor device is disclosed that includes: providing a substrate; forming an interfacial layer above the substrate; forming a first high-k dielectric layer above the interfacial layer; performing a nitridation technique; performing an anneal; forming a second high-k dielectric layer of a different high-k material above the first dielectric layer; and forming a metal gate structure above the second dielectric layer.
    • 公开了一种半导体器件,包括:衬底; 第一高k电介质层; 由不同的高k材料形成的第二高k电介质层; 和金属门。 在另一种形式中,公开了一种形成半导体器件的方法,包括:提供衬底; 在所述衬底上形成第一高k电介质层; 在所述第一介电层上形成不同高k材料的第二电介质层; 以及在所述第二电介质层上形成栅极结构。 在另一种形式中,公开了一种形成半导体器件的方法,其包括:提供衬底; 在基底上形成界面层; 在界面层上形成第一高k电介质层; 进行氮化技术; 进行退火; 在所述第一介电层上形成不同高k材料的第二高k电介质层; 以及在所述第二电介质层上方形成金属栅极结构。