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    • 2. 发明申请
    • SEMICONDUCTOR DEVICES AND METHODS OF MANUFACTURING THE SAME
    • 半导体器件及其制造方法
    • US20160163799A1
    • 2016-06-09
    • US14956522
    • 2015-12-02
    • So-Yeon KIMYuri MASUOKA
    • So-Yeon KIMYuri MASUOKA
    • H01L29/10H01L27/118
    • H01L21/823821H01L21/845H01L27/0924H01L27/1211
    • A semiconductor device includes a substrate including an active fin and an isolation layer thereon, a first gate structure on the active fin, the first gate structure including a first gate insulation layer pattern and a first metal pattern, and the first metal pattern having a first conductivity type and directly contacting the first gate insulation layer pattern, a first channel region at a portion of the active fin facing a bottom surface of the first gate structure, the first channel region including impurities having the first conductivity type, and first source/drain regions at upper portions of the active fin adjacent to opposite sidewalls of the first gate structure, the first source/drain regions including impurities having a second conductivity type different from the first conductivity type.
    • 半导体器件包括其上包括有源鳍及其隔离层的衬底,有源鳍上的第一栅极结构,第一栅极结构包括第一栅绝缘层图案和第一金属图案,第一金属图案具有第一 导电类型并且直接接触第一栅极绝缘层图案,在有源鳍片的面对第一栅极结构的底表面的部分处的第一沟道区域,包括具有第一导电类型的杂质的第一沟道区域和第一源极/漏极 所述有源散热片的上部邻近所述第一栅极结构的相对侧壁的区域,所述第一源极/漏极区域包括具有不同于所述第一导电类型的第二导电类型的杂质。