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    • 1. 发明授权
    • Method for monitoring silicide failures
    • 监测硅化物故障的方法
    • US06461880B1
    • 2002-10-08
    • US09892752
    • 2001-06-28
    • Jerry Tsiang
    • Jerry Tsiang
    • H01L2166
    • H01L22/14
    • A method for monitoring silicide failures in the semiconductor process provides P-channel gate oxide capacitors on a semiconductor wafer. The breakdown voltages of the P-channel oxide gate capacitors are measured. With higher rapid thermal anneal (RTA) temperatures, an increased number of short failures occur in the P-channel gate oxide capacitors. Based on a correlation of the P-channel gate oxide capacitor failures and the RTA temperatures, the optimum RTA temperature for the silicide process is determined.
    • 用于监测半导体工艺中的硅化物故障的方法在半导体晶片上提供P沟道栅极氧化物电容器。 测量P沟道氧化物栅极电容器的击穿电压。 随着较高的快速热退火(RTA)温度,P沟道栅极氧化物电容器中出现短暂故障的增加。 基于P沟道栅极氧化物电容器故障和RTA温度的相关性,确定硅化物工艺的最佳RTA温度。