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1. 发明授权

US07638388B2 Method of forming a pattern and method of manufacturing a capacitor using the same 有权
标题翻译：形成图案的方法和使用其形成电容器的方法
公开(公告)号：US07638388B2
公开(公告)日：2009-12-29
申请号：US11945922
申请日：2007-11-27
申请人： Kyoung-Min Kim , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim , Seok Han
发明人： Kyoung-Min Kim , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim , Seok Han
IPC分类号： H01L21/8244
CPC分类号： H01G4/33 , H01G4/40 , H01L27/10817 , H01L27/10852 , H01L28/91
摘要： In a method of forming a pattern and a method of manufacturing a capacitor using the same, a conductive layer is formed on a mold layer having an opening. A first buffer layer pattern including a polymer having a repeating unit of anthracene-methyl methacrylate and a repeating unit of alkoxyl-vinyl benzene is formed on the conductive layer in the opening. The first buffer layer pattern is baked to cross-link the polymers and form a second buffer layer pattern that is insoluble in a developing solution. The conductive layer on a top portion of the mold layer is selectively removed by using the second buffer layer pattern as an etching mask. Accordingly, a conductive pattern for a semiconductor device is formed. The method of forming a pattern may simplify manufacturing processes for a capacitor and a semiconductor device, and may improve their efficiencies.
摘要翻译：在形成图案的方法和使用其的电容器的制造方法中，在具有开口的模具层上形成导电层。在开口中的导电层上形成包含具有蒽 - 甲基丙烯酸甲酯的重复单元的聚合物和烷氧基 - 乙烯基苯的重复单元的第一缓冲层图案。烘烤第一缓冲层图案以交联聚合物并形成不溶于显影溶液的第二缓冲层图案。通过使用第二缓冲层图案作为蚀刻掩模，选择性地去除模层顶部的导电层。因此，形成用于半导体器件的导电图案。形成图案的方法可以简化电容器和半导体器件的制造工艺，并且可以提高它们的效率。

2. 发明申请

US20070148590A1 Siloxane compound, photoresist composition including the siloxane compound and method of forming a pattern using the photoresist composition 失效
标题翻译：硅氧烷化合物，包含硅氧烷化合物的光致抗蚀剂组合物和使用光致抗蚀剂组合物形成图案的方法
公开(公告)号：US20070148590A1
公开(公告)日：2007-06-28
申请号：US11640172
申请日：2006-12-18
申请人： Hyo-Jin Yun , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim , Do-Young Kim
发明人： Hyo-Jin Yun , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim , Do-Young Kim
IPC分类号： G03C1/00
CPC分类号： G03F7/0757 , C07F7/21 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/0755 , Y10S430/115 , Y10S430/122 , Y10S430/126 , Y10S430/146 , Y10S430/167
摘要： Disclosed are a siloxane compound, a photoresist composition using the same, and a method of forming a pattern, wherein the siloxane compound is having a general formula: wherein R1 is a tertiary butyl group or a 1-(tert-butoxy)ethyl group, and R2 and R3 is each independently a lower alkyl group having 1 to 4 carbon atoms.
摘要翻译：公开了硅氧烷化合物，使用其的光致抗蚀剂组合物和形成图案的方法，其中硅氧烷化合物具有以下通式：其中R1是叔丁基或1-（叔丁氧基）乙基，并且R 2和R 3各自独立地为具有1至4个碳原子的低级烷基。

3. 发明申请

US20060160020A1 Photosensitive polymer, photoresist composition having the photosensitive polymer and method of forming a photoresist pattern using the photoresist composition 审中-公开
标题翻译：光敏聚合物，具有光敏聚合物的光致抗蚀剂组合物和使用光致抗蚀剂组合物形成光刻胶图案的方法
公开(公告)号：US20060160020A1
公开(公告)日：2006-07-20
申请号：US11334018
申请日：2006-01-17
申请人： Jina Ryu , Boo-Deuk Kim , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Kyoung-Mi Kim , Sangwoong Yoon
发明人： Jina Ryu , Boo-Deuk Kim , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Kyoung-Mi Kim , Sangwoong Yoon
IPC分类号： G03C1/76
CPC分类号： G03F7/0392
摘要： A method can be provided of forming a photoresist pattern on a substrate. The method employs a photoresist composition comprising a photosensitive polymer, the photosensitive polymer has a molecular weight in a range of from about 1,000 up to about 100,000 and comprises repeating units having a structural formula: wherein R represents an acid-labile hydrocarbon group having from 1 up to 20 carbon atoms.
摘要翻译：可以提供在基板上形成光致抗蚀剂图案的方法。该方法使用包含光敏聚合物的光致抗蚀剂组合物，光敏聚合物的分子量在约1,000至约100,000范围内，并且包含具有以下结构式的重复单元：其中R表示酸不稳定烃基，其具有1 最多20个碳原子。

4. 发明授权

US07053030B2 Silicone hyper-branched polymer surfactant, method of preparing the same and method of rinsing using a rinsing solution comprising the same 失效
标题翻译：硅氧烷超支化聚合物表面活性剂，其制备方法和使用包含其的漂洗溶液进行漂洗的方法
公开(公告)号：US07053030B2
公开(公告)日：2006-05-30
申请号：US10780865
申请日：2004-02-19
申请人： Kyoung-Mi Kim , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Sang-Woong Yoon , Boo-Deuk Kim , Shi-Yong Lee
发明人： Kyoung-Mi Kim , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Sang-Woong Yoon , Boo-Deuk Kim , Shi-Yong Lee
IPC分类号： G03F7/42
CPC分类号： C08G77/50 , C08G77/06 , C08G77/12 , C08G77/20 , C08L83/04 , C08L83/06 , C11D1/008 , C11D3/373
摘要： A silicone hyper-branched polymer surfactant is included in a rinsing solution which may be used to remove photoresist residues. The silicone hyper-branched polymer surfactant is prepared by polymerizing a monomer represented by the following chemical formula (1), where R1 denotes a vinyl group and R2 denotes hydrogen, and includes both a hydrophobic group and a hydrophilic group
摘要翻译：硅氧烷超支化聚合物表面活性剂包括在可用于除去光致抗蚀剂残留物的冲洗溶液中。硅氧烷超支化聚合物表面活性剂通过聚合由下列化学式（1）表示的单体制备，其中R 1表示乙烯基，R 2表示氢，并且包括疏水基团和亲水基团

5. 发明授权

US07026497B2 Adhesive compound and method for forming photoresist pattern using the same 失效
标题翻译：粘合剂和使用其形成光刻胶图案的方法
公开(公告)号：US07026497B2
公开(公告)日：2006-04-11
申请号：US11033154
申请日：2005-01-12
申请人： Jin-A Ryu , Boo-Deuk Kim , Kyoung-Mi Kim , Young-Ho Kim
发明人： Jin-A Ryu , Boo-Deuk Kim , Kyoung-Mi Kim , Young-Ho Kim
IPC分类号： C07F7/02
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/0751
摘要： An adhesive compound for use during the formation of a photoresist film represented by the following chemical formula, wherein R represents a photoacid generator is disclosed.
摘要翻译：用于形成由下列化学式表示的光致抗蚀剂膜的粘合剂化合物，其中R表示光致酸发生剂。

6. 发明申请

US20050158651A1 Adhesive compound and method for forming photoresist pattern using the same 失效
标题翻译：粘合剂和使用其形成光刻胶图案的方法
公开(公告)号：US20050158651A1
公开(公告)日：2005-07-21
申请号：US11033154
申请日：2005-01-12
申请人： Jin-A Ryu , Boo-Deuk Kim , Kyoung-Mi Kim , Young-Ho Kim
发明人： Jin-A Ryu , Boo-Deuk Kim , Kyoung-Mi Kim , Young-Ho Kim
IPC分类号： G03C1/492 , G03F7/075
CPC分类号： G03F7/0752 , G03F7/0751
摘要： An adhesive compound for use during the formation of a photoresist film represented by the following chemical formula, wherein R represents a photoacid generator is disclosed.
摘要翻译：用于形成由下列化学式表示的光致抗蚀剂膜的粘合剂化合物，其中R表示光致酸发生剂。

7. 发明申请

US20110189608A1 PHOTORESIST COMPOSITION FOR FABRICATING PROBE ARRAY, METHOD OF FABRICATING PROBE ARRAY USING THE PHOTORESIST COMPOSITION, COMPOSITION FOR PHOTOSENSITIVE TYPE DEVELOPED BOTTOM ANTI-REFLECTIVE COATING, FABRICATING METHOD OF PATTERNS USING THE SAME AND FABRICATING METHOD OF SEMICONDUCTOR DEVICE USING THE SAME 有权
标题翻译：用于制造探针阵列的光电组合物，使用光电组合物制造探针阵列的方法，用于感光型底层反射涂层的组合物，使用其的图案的制作方法和使用其的半导体器件的制造方法
公开(公告)号：US20110189608A1
公开(公告)日：2011-08-04
申请号：US13015869
申请日：2011-01-28
申请人： Hyo-Jin Yun , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim , Jin-A Ryu , Myung-Sun Kim , Se-Kyung Baek , Soo-Kyung Kim , Ji-Yun Ham
发明人： Hyo-Jin Yun , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim , Jin-A Ryu , Myung-Sun Kim , Se-Kyung Baek , Soo-Kyung Kim , Ji-Yun Ham
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/20
CPC分类号： G03F7/004 , C07C303/32 , C07C309/06 , C07C309/12 , G03F7/0045 , G03F7/0397 , G03F7/20 , Y10S430/122 , Y10S430/123
摘要： A photoresist composition for fabricating a probe array is provided. The photoresist composition includes a photoacid generator having an onium salt and an i-line reactive sensitizer.
摘要翻译：提供了用于制造探针阵列的光致抗蚀剂组合物。光致抗蚀剂组合物包括具有鎓盐和i线反应性敏化剂的光酸产生剂。

8. 发明授权

US07964332B2 Methods of forming a pattern of a semiconductor device 失效
标题翻译：形成半导体器件的图案的方法
公开(公告)号：US07964332B2
公开(公告)日：2011-06-21
申请号：US12339863
申请日：2008-12-19
申请人： Hyo-Jin Yun , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim , Ji-Man Park , Jin-A Ryu , Jae-Hee Choi
发明人： Hyo-Jin Yun , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim , Ji-Man Park , Jin-A Ryu , Jae-Hee Choi
IPC分类号： G03F7/00 , G03F7/004 , G03F7/11 , G03F7/26
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/038 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/128
摘要： In polymers for an anti-reflective coating, compositions for an anti-reflective coating and methods of forming a pattern of a semiconductor device using the same, the compositions for an anti-reflective coating include a polymer that includes a first repeating unit having a basic side group, a second repeating unit having a light-absorbing group, and a third repeating unit having a cross-linkable group; a photoacid generator; a cross-linking agent; and a solvent. The polymer for the anti-reflective coating, which may have a basic side group chemically bound to a backbone of the polymer, may properly adjust diffusion of an acid in an anti-reflective coating layer to improve the profile of a pattern.
摘要翻译：在用于抗反射涂层的聚合物中，用于抗反射涂层的组合物和使用其形成半导体器件的图案的方法，用于抗反射涂层的组合物包括聚合物，其包括具有碱性具有光吸收基团的第二重复单元和具有可交联基团的第三重复单元; 光致酸发生器; 交联剂; 和溶剂。用于抗反射涂层的聚合物可以具有与聚合物的骨架化学结合的碱性侧基，可以适当地调节抗反射涂层中的酸的扩散以改善图案的轮廓。

9. 发明申请

US20090162796A1 METHODS OF FORMING A PATTERN OF A SEMICONDUCTOR DEVICE 失效
标题翻译：形成半导体器件图案的方法
公开(公告)号：US20090162796A1
公开(公告)日：2009-06-25
申请号：US12339863
申请日：2008-12-19
申请人： Hyo-Jin YUN , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim , Ji-Man Park , Jin-A Ryu , Jae-Hee Choi
发明人： Hyo-Jin YUN , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim , Ji-Man Park , Jin-A Ryu , Jae-Hee Choi
IPC分类号： G03F7/20
CPC分类号： G03F7/091 , G03F7/038 , Y10S430/106 , Y10S430/114 , Y10S430/128
摘要： In polymers for an anti-reflective coating, compositions for an anti-reflective coating and methods of forming a pattern of a semiconductor device using the same, the compositions for an anti-reflective coating include a polymer that includes a first repeating unit having a basic side group, a second repeating unit having a light-absorbing group, and a third repeating unit having a cross-linkable group; a photoacid generator; a cross-linking agent; and a solvent. The polymer for the anti-reflective coating, which may have a basic side group chemically bound to a backbone of the polymer, may properly adjust diffusion of an acid in an anti-reflective coating layer to improve the profile of a pattern.
摘要翻译：在用于抗反射涂层的聚合物中，用于抗反射涂层的组合物和使用其形成半导体器件的图案的方法，用于抗反射涂层的组合物包括聚合物，其包括具有碱性具有光吸收基团的第二重复单元和具有可交联基团的第三重复单元; 光致酸发生器; 交联剂; 和溶剂。用于抗反射涂层的聚合物可以具有与聚合物的骨架化学结合的碱性侧基，可以适当地调节抗反射涂层中的酸的扩散以改善图案的轮廓。

10. 发明授权

US07491484B2 Photoresist compositions and methods of forming a pattern using the same 失效
标题翻译：光刻胶组合物和使用其形成图案的方法
公开(公告)号：US07491484B2
公开(公告)日：2009-02-17
申请号：US11869933
申请日：2007-10-10
申请人： Hyo-Jin Yun , Young-Gil Kwon , Do-Young Kim , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim
发明人： Hyo-Jin Yun , Young-Gil Kwon , Do-Young Kim , Jae-Ho Kim , Young-Ho Kim , Boo-Deuk Kim
IPC分类号： G03F7/004 , G03F7/30
CPC分类号： G03F7/0045 , G03F7/0046 , G03F7/0392 , Y10S430/111 , Y10S430/122 , Y10S430/123
摘要： In a photoresist composition and a method of forming a pattern using the same, the photoresist composition includes about 0.1 to about 0.5 percent by weight of a photoacid generator including a positively charged sulfonium ion and a negatively charged sulfonate ion having a hydrophilic carboxylic group, about 4 to about 10 percent by weight of a resin, and a solvent.
摘要翻译：在光致抗蚀剂组合物和使用其形成图案的方法中，光致抗蚀剂组合物包含约0.1至约0.5重量％的包含带正电荷的锍离子的光酸产生剂和具有亲水性羧基的带负电荷的磺酸根离子，约为 4至约10重量％的树脂和溶剂。

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