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    • 86. 发明申请
    • Method for Constant Power Density Scaling
    • 恒功率密度定标方法
    • US20110054658A1
    • 2011-03-03
    • US12828591
    • 2010-07-01
    • Clement Hsingjen Wann
    • Clement Hsingjen Wann
    • G06F19/00
    • G06F17/5068
    • A method for constant power density scaling in MOSFETs is provided. A method for manufacturing an integrated circuit includes computing fixed scaling factors for a first fabrication process based on a second fabrication process, computing settable scaling factors for the integrated circuit to be fabricated using the first fabrication process, determining parameters of the integrated circuit based on the settable scaling factors, and manufacturing the integrated circuit using the determined parameters. The first fabrication process creates devices having a smaller device dimension than the second fabrication process and the settable scaling factors are set based on the fixed scaling factors.
    • 提供了一种用于MOSFET中恒定功率密度缩放的方法。 一种用于制造集成电路的方法包括:基于第二制造工艺计算用于第一制造工艺的固定缩放因子,使用第一制造工艺计算待制造的集成电路的可设定缩放因子,基于 可设置的缩放因子,并使用确定的参数制造集成电路。 第一制造工艺产生具有比第二制造工艺更小的装置尺寸的装置,并且可固定缩放因子基于固定缩放因子设定。