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    • 51. 发明申请
    • METHODS FOR DEPOSITION OF TUNGSTEN IN THE FABRICATION OF AN INTEGRATED CIRCUIT
    • 在集成电路制造中沉积钨铁的方法
    • US20130224948A1
    • 2013-08-29
    • US13406566
    • 2012-02-28
    • Ralf RichterJana Rössler
    • Ralf RichterJana Rössler
    • H01L21/768
    • H01L21/7684H01L21/76877
    • A method for fabricating an integrated circuit includes providing a semiconductor wafer comprising a hole etched therein, depositing a first layer comprising tungsten onto the semiconductor wafer and into the hole therein, thereby filling the hole with the first layer, and etching the first layer from the semiconductor wafer, wherein etching the first layer results in the formation of a divot above the first layer within the hole. The method may further include depositing a second layer comprising tungsten onto the semiconductor wafer and into the divot formed above the first layer within the hole and polishing the second layer from the semiconductor wafer, wherein polishing the second layer does not remove the second layer deposited into the divot.
    • 一种用于制造集成电路的方法包括:提供包括蚀刻在其中的孔的半导体晶片,将包含钨的第一层沉积到半导体晶片上并进入其中的孔中,由此用第一层填充该孔,并从第 半导体晶片,其中蚀刻第一层导致在孔内的第一层上方形成凹陷。 该方法还可以包括将包含钨的第二层沉积到半导体晶片上并进入在孔内的第一层上方形成的凹槽中,并从半导体晶片抛光第二层,其中抛光第二层不会去除沉积在第二层中的第二层 神话