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    • 39. 发明授权
    • Pressure sensor, acceleration sensor, and method for manufacturing pressure sensor
    • 压力传感器,加速度传感器和制造压力传感器的方法
    • US09322726B2
    • 2016-04-26
    • US14565755
    • 2014-12-10
    • Kabushiki Kaisha Toshiba
    • Hideaki FukuzawaYoshihiko FujiYoshihiro HigashiMichiko Hara
    • G01L1/12G01L1/22G01P15/105G01L9/16
    • G01L1/2287G01L1/12G01L1/125G01L5/16G01L9/16G01P15/105
    • According to one embodiment, a pressure sensor includes a base and a sensor unit provided on the base. The sensor unit includes a transducing thin film having a first surface, a first strain sensing element provided on the first surface, and a second strain sensing element provided on the first surface. The first strain sensing element includes a first magnetic layer, a first film having a first oxygen concentration, a second magnetic layer provided between the first magnetic layer and the first film, and a first intermediate layer provided between the first and the second magnetic layer. The second strain sensing element includes a third magnetic layer, a second film having a second oxygen concentration different from the first concentration, a fourth magnetic layer provided between the third magnetic layer and the second film, and a second intermediate layer provided between the third and the fourth magnetic layer.
    • 根据一个实施例,压力传感器包括设置在基座上的底座和传感器单元。 传感器单元包括具有第一表面的转换薄膜,设置在第一表面上的第一应变感测元件和设置在第一表面上的第二应变感测元件。 第一应变传感元件包括第一磁性层,具有第一氧浓度的第一膜,设置在第一磁性层和第一膜之间的第二磁性层以及设置在第一和第二磁性层之间的第一中间层。 第二应变传感元件包括第三磁性层,具有不同于第一浓度的第二氧浓度的第二膜,设置在第三磁性层和第二膜之间的第四磁性层,以及设置在第三和第二膜之间的第二中间层 第四磁性层。