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    • 102. 发明申请
      US20050077595A1 An improved method, structure and process flow to reduce line-line capacitance with low-K material 有权
    • An improved method, structure and process flow to reduce line-line capacitance with low-K material
    • 改进的方法，结构和工艺流程，以减少低K材料的线路电容
    • US20050077595A1
    • 2005-04-14
    • US10625952
    • 2003-07-23
    • Ying Huang , Er-Xuan Ping
    • Ying Huang , Er-Xuan Ping
    • H01L21/768 , H01L23/522 , H01L23/532 , H01L29/00
    • H01L21/76844 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76837 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
    • An improved method, structure and process flow for reducing line-line capacitance using low dielectric constant (K) materials is provided. Embodiments in accordance with the present invention form structures for semiconductor devices having a single level of interconnection as well as semiconductor devices having multiple levels of interconnection. In embodiments of the present invention, an initial dielectric structure is formed having a first low-K material overlaid with a standard-K material. In subsequent processing, conductive interconnects are formed and the standard-K material replaced with a second low-K material. In some embodiments of the present invention, the first and second low-K materials are the same material, in some embodiments the first and second low-K materials are different materials. Embodiments of the present invention having multiple levels of conductive interconnects are formed by employing methods and materials analogous to those used to form the first level of conductive interconnect and dielectric material disposed there between. Embodiments of the present invention employ low-K materials formed by spin-on processes as well as low-K materials formed by CVD processes.
    • 提供了使用低介电常数（K）材料降低线路电容的改进方法，结构和工艺流程。 根据本发明的实施例形成具有单级互连的半导体器件的结构以及具有多个互连级别的半导体器件。 在本发明的实施例中，形成具有覆盖有标准K材料的第一低K材料的初始电介质结构。 在随后的处理中，形成导电互连，并用第二低K材料代替标准K材料。 在本发明的一些实施方案中，第一和第二低K材料是相同的材料，在一些实施方案中，第一和第二低K材料是不同的材料。 具有多层导电互连的本发明的实施例通过采用类似于用于形成第一级导电布线和介于其之间的介电材料的方法和材料而形成。 本发明的实施例采用通过旋涂工艺形成的低K材料以及通过CVD工艺形成的低K材料。
    • 基本信息 添加关注 加入工作空间 PDF全文 PDF下载 全文下载 相似专利 双屏查看 权利要求书 说明书全文 Global Dossier Espacenet 法律信息 同族专利 专利引用
    • 103. 发明授权
      US06600207B2 Structure to reduce line-line capacitance with low K material 有权
    • Structure to reduce line-line capacitance with low K material
    • 结构以低K材料降低线路电容
    • US06600207B2
    • 2003-07-29
    • US10039456
    • 2001-12-31
    • Ying Huang , Er-Xuan Ping
    • Ying Huang , Er-Xuan Ping
    • H01L2900
    • H01L21/76844 , H01L21/76832 , H01L21/76834 , H01L21/76837 , H01L21/76852 , H01L21/76885 , H01L23/5222 , H01L23/5329 , H01L2924/0002 , H01L2924/00
    • A structure to reduce line—line capacitance using low dielectric constant (K) materials is provided. Embodiments in accordance with the present invention are semiconductor devices having a single level of interconnection as well as semiconductor devices having multiple levels of interconnection. In embodiments of the present invention, an initial dielectric structure has a first low-K material overlaid with a standard-K material. In subsequent processing, conductive interconnects are formed and the standard-K material replaced with a second low-K material. In some embodiments of the present invention, the first and second low-K materials are the same material, in some embodiments the first and second low-K materials are different materials. Embodiments of the present invention having multiple levels of conductive interconnects are formed by essentially repeating the method employed to form the first level of conductive interconnect. Embodiments of the present invention employ low-K materials formed by spin-on processes as well as low-K materials formed by CVD processes.
    • 提供了一种使用低介电常数（K）材料降低线路电容的结构。 根据本发明的实施例是具有单级互连的半导体器件以及具有多级互连的半导体器件。 在本发明的实施例中，初始电介质结构具有覆盖有标准K材料的第一低K材料。 在随后的处理中，形成导电互连，并用第二低K材料代替标准K材料。 在本发明的一些实施方案中，第一和第二低K材料是相同的材料，在一些实施方案中，第一和第二低K材料是不同的材料。 通过基本上重复用于形成第一级导电互连的方法来形成具有多级导电互连的本发明的实施例。 本发明的实施例采用通过旋涂工艺形成的低K材料以及通过CVD工艺形成的低K材料。
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    • 110. 发明申请
      US20130091939A1 SENSORS FOR INTEGRATED MONITORING AND MITIGATION OF EROSION 审中-公开
    • SENSORS FOR INTEGRATED MONITORING AND MITIGATION OF EROSION
    • 用于综合监测和减少侵蚀的传感器
    • US20130091939A1
    • 2013-04-18
    • US13693139
    • 2012-12-04
    • Genda Chen , David Pommerenke , Zhi Zhou , Ying Huang , Andro Radchenko
    • Genda Chen , David Pommerenke , Zhi Zhou , Ying Huang , Andro Radchenko
    • G01N33/24
    • G01N33/24 , G01R33/022
    • Methods and systems for measuring erosion. Systems of various embodiments include a sensor adapted to be placed where earthen material is expected to move and to sense a condition related to that movement (for instance, the position of the sensor). The sensor includes a receiver for receiving a wireless signal (be it acoustic, magneto-inductive, etc.) from another sensor which conveys an identifier for the second sensor. The first sensor also includes a signal generator that generates a second (possibly wireless) signal conveying that identifier and its own identifier. Systems of some embodiments include a second receiver placed outside of the region. If desired, the sensor can determine the signal strengths of the signals that they receive from the other sensor and can convey an indication of the received signal strengths. Furthermore, some sensors include accelerometers, roll sensors, tilt sensors, yaw sensors, magnetometers, etc.
    • 测量侵蚀的方法和系统 各种实施例的系统包括适于被放置在希望移动的地方材料并且感测与该移动有关的状况（例如，传感器的位置）的传感器。 传感器包括用于从另一传感器接收无线信号（无论是声学，磁感应等）的接收器，其传送用于第二传感器的标识符。 第一传感器还包括信号发生器，其生成传达该标识符及其自己的标识符的第二（可能是无线）信号。 一些实施例的系统包括放置在该区域外部的第二接收器。 如果需要，传感器可以确定它们从另一个传感器接收的信号的信号强度，并且可以传达接收到的信号强度的指示。 此外，一些传感器包括加速度计，滚动传感器，倾斜传感器，偏航传感器，磁力计等。
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