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1. 发明专利

TWI663689B 基板表面上的可流動介電質沉積用處理有权
简体标题：基板表面上的可流动介电质沉积用处理
公开(公告)号：TWI663689B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW103136878
申请日：2014-10-24
申请人：蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：賴利派崔克 , REILLY, PATRICK , 德尼真休斯哈洛德 , TE NIJENHUIS, HARALD , 戴格內麗莎蘇 , DRAEGER, NERISSA SUE , 凡史貴凡迪巴頓J , VAN SCHRAVENDIJK, BART J. , 恩迪居尼可拉斯穆加 , NDIEGE, NICHOLAS MUGA
IPC分类号： H01L21/762 , H01L21/764 , H01L21/31 , H01L21/67

2. 发明专利

TWI644397B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI644397B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106131070
申请日：2015-12-01
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：吉水康人 , YOSHIMIZU,YASUHITO , 側瀬聡文 , GAWASE,AKIFUMI , 渡邉桂 , WATANABE,KEI , 荒井伸也 , ARAI,SHINYA
IPC分类号： H01L21/764 , H01L27/105

3. 发明专利

TWI635610B 使用空穴來分佈導電圖案化殘留物以製造半導體元件的方法以及使用該方法製造的元件有权
简体标题：使用空穴来分布导电图案化残留物以制造半导体组件的方法以及使用该方法制造的组件
公开(公告)号：TWI635610B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW104100055
申请日：2015-01-05
申请人：南韓商三星電子股份有限公司 , SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.
发明人：朴鐘撤 , PARK, JONGCHUL , 裵丙才 , BAE, BYOUNGJAE , 金仁皓 , KIM, INHO , 權信 , KWON, SHIN , 盧恩仙 , NOH, EUNSUN , 朴仁善 , PARK, INSUN , 李相旻 , LEE, SANGMIN
IPC分类号： H01L29/06 , H01L21/764

4. 发明专利

TW201816938A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201816938A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106131070
申请日：2015-12-01
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：吉水康人 , YOSHIMIZU,YASUHITO , 側瀬聡文 , GAWASE,AKIFUMI , 渡邉桂 , WATANABE,KEI , 荒井伸也 , ARAI,SHINYA
IPC分类号： H01L21/764 , H01L27/105
摘要：根據一實施例，一種半導體裝置包含一基板、一堆疊本體、一第二氣隙、一第一絕緣膜、一半導體膜及一堆疊膜。該堆疊本體提供於該基板上方且包含經由一第一氣隙堆疊之複數個電極膜。該第二氣隙在該堆疊本體之一堆疊方向上延伸。該第二氣隙在與該堆疊方向相交之一第一方向上分離該堆疊本體。該第一絕緣膜提供於該堆疊本體上方且覆蓋該第二氣隙之一上端。該堆疊膜提供於該電極膜之一側表面與對置於該電極膜之該側表面之該半導體膜之一側表面之間。該堆疊膜與該電極膜之該側表面及該半導體膜之該側表面接觸。
简体摘要：根据一实施例，一种半导体设备包含一基板、一堆栈本体、一第二气隙、一第一绝缘膜、一半导体膜及一堆栈膜。该堆栈本体提供于该基板上方且包含经由一第一气隙堆栈之复数个电极膜。该第二气隙在该堆栈本体之一堆栈方向上延伸。该第二气隙在与该堆栈方向相交之一第一方向上分离该堆栈本体。该第一绝缘膜提供于该堆栈本体上方且覆盖该第二气隙之一上端。该堆栈膜提供于该电极膜之一侧表面与对置于该电极膜之该侧表面之该半导体膜之一侧表面之间。该堆栈膜与该电极膜之该侧表面及该半导体膜之该侧表面接触。

5. 发明专利

TWI619229B 記憶體裝置及其製造方法有权
简体标题：内存设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI619229B
公开(公告)日：2018-03-21
申请号：TW105111668
申请日：2016-04-14
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：吳鐵將 , WU, TIEH CHIANG , 王文傑 , WANG, WEN CHIEH , 楊勝威 , YANG, SHENG WEI
IPC分类号： H01L27/108 , H01L21/8239 , H01L21/764
CPC分类号： H01L21/76895 , H01L21/76805 , H01L21/7682 , H01L27/11582 , H01L28/00

6. 发明专利

TWI612617B 半導體裝置的製造方法、基板處理裝置、程式及記錄媒體有权
简体标题：半导体设备的制造方法、基板处理设备、进程及记录媒体
公开(公告)号：TWI612617B
公开(公告)日：2018-01-21
申请号：TW105124473
申请日：2016-08-02
申请人：日立國際電氣股份有限公司 , HITACHI KOKUSAI ELECTRIC INC.
发明人：大橋直史 , OHASHI, NAOFUMI , 豊田一行 , TOYODA, KAZUYUKI , 島本聡 , SHIMAMOTO, SATOSHI , 菊池俊之 , KIKUCHI, TOSHIYUKI
IPC分类号： H01L21/764 , H01L21/768
CPC分类号： H01L22/26 , H01L21/31116 , H01L21/32136 , H01L21/7684 , H01L22/12 , H01L22/20

7. 发明专利

TWI609424B 半導體結構及其製造方法有权
简体标题：半导体结构及其制造方法
公开(公告)号：TWI609424B
公开(公告)日：2017-12-21
申请号：TW103145702
申请日：2014-12-26
申请人：台灣積體電路製造股份有限公司 , TAIWAN SEMICONDUCTOR MANUFACTURING CO., LTD.
发明人：蘇盈豪 , SU, YING HAO , 蘇煜中 , SU, YU CHUNG , 劉宇倫 , LIU, YU LUN , 張岐康 , CHANG, CHI KANG , 劉家助 , LIU, CHIA CHU , 陳桂順 , CHEN, KUEI SHUN
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/762 , H01L21/764 , H01L21/324 , H01L29/06
CPC分类号： H01L27/0886 , H01L21/02118 , H01L21/02282 , H01L21/02299 , H01L21/02318 , H01L21/0276 , H01L21/76837 , H01L21/823431 , H01L21/823437 , H01L29/66795

8. 发明专利

TWI598994B 奈米線結構之形成方法有权
简体标题：奈米线结构之形成方法
公开(公告)号：TWI598994B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW105100753
申请日：2016-01-12
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：泰伯利坎達巴拉 N , TAPILY, KANDABARA N. , 中村源志 , NAKAMURA, GENJI
IPC分类号： H01L21/764 , H01L21/336 , B82Y40/00
CPC分类号： H01L29/66772 , H01L29/0673 , H01L29/42392 , H01L29/66742 , H01L29/78618 , H01L29/78654 , H01L29/78696

9. 发明专利

TW201721741A 用於無遮罩氣隙及替代層間介電質（ＩＬＤ）層製程的極薄帽介電層审中-公开
简体标题：用于无遮罩气隙及替代层间介电质（ＩＬＤ）层制程的极薄帽介电层
公开(公告)号：TW201721741A
公开(公告)日：2017-06-16
申请号：TW105124630
申请日：2016-08-03
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：畢勒佛傑福瑞 , BIELEFELD, JEFFERY D. , 錢霍克曼尼許 , CHANDHOK, MANISH , 伊克波亞莎 , IQBAL, ASAD , 布魯克斯約翰 , BROOKS, JOHN D.
IPC分类号： H01L21/31 , H01L21/764
CPC分类号： H01L21/764 , H01L21/7682 , H01L21/76826 , H01L21/76828 , H01L21/76834 , H01L21/76885
摘要：帽層，沉積在基板上的第一介電層上的複數導電特徵上。第二介電層，沉積在帽層的第一部分上。蝕刻停止層，沉積在帽層的第二部分上。
简体摘要：帽层，沉积在基板上的第一介电层上的复数导电特征上。第二介电层，沉积在帽层的第一部分上。蚀刻停止层，沉积在帽层的第二部分上。

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