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1. 发明专利

TWI692079B 記憶裝置及其製造方法有权
简体标题：记忆设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI692079B
公开(公告)日：2020-04-21
申请号：TW108113597
申请日：2018-02-26
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：吉水康人 , YOSHIMIZU, YASUHITO
IPC分类号： H01L27/11 , H01L21/8244 , G11C11/34

2. 发明专利

TW201842239A 基板處理裝置及基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TW201842239A
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW107107560
申请日：2018-03-07
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：吉水康人 , YOSHIMIZU, YASUHITO , 明星裕也 , AKEBOSHI, YUYA , 伊藤冬馬 , ITO, FUYUMA , 北川白馬 , KITAGAWA, HAKUBA
IPC分类号： C25F3/02 , H01L21/3213
摘要：本發明之實施形態提供可提高金屬膜之蝕刻速度之基板處理裝置及基板處理方法。實施形態之基板處理裝置具備：含貴金屬構件，其具有包含貴金屬之凹凸形狀部分或多孔質形狀部分；及藥液供給構件，其供給藥液；且一面使凹凸形狀部分之凸部或多孔質形狀部分接觸於特定金屬表面，一面向金屬表面供給藥液而將金屬蝕刻除去。
简体摘要：本发明之实施形态提供可提高金属膜之蚀刻速度之基板处理设备及基板处理方法。实施形态之基板处理设备具备：含贵金属构件，其具有包含贵金属之凹凸形状部分或多孔质形状部分；及药液供给构件，其供给药液；且一面使凹凸形状部分之凸部或多孔质形状部分接触于特定金属表面，一面向金属表面供给药液而将金属蚀刻除去。

3. 发明专利

TWI695654B 電漿處理裝置、半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法有权
简体标题：等离子处理设备、半导体制造设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TWI695654B
公开(公告)日：2020-06-01
申请号：TW107102647
申请日：2018-01-25
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：吉水康人 , YOSHIMIZU, YASUHITO , 安井祐之 , YASUI, HIROYUKI
IPC分类号： H05H1/42 , H01L21/3065

4. 发明专利

TWI644397B 半導體裝置有权
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TWI644397B
公开(公告)日：2018-12-11
申请号：TW106131070
申请日：2015-12-01
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：吉水康人 , YOSHIMIZU,YASUHITO , 側瀬聡文 , GAWASE,AKIFUMI , 渡邉桂 , WATANABE,KEI , 荒井伸也 , ARAI,SHINYA
IPC分类号： H01L21/764 , H01L27/105

5. 发明专利

TW201816938A 半導體裝置审中-公开
简体标题：半导体设备
公开(公告)号：TW201816938A
公开(公告)日：2018-05-01
申请号：TW106131070
申请日：2015-12-01
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：吉水康人 , YOSHIMIZU,YASUHITO , 側瀬聡文 , GAWASE,AKIFUMI , 渡邉桂 , WATANABE,KEI , 荒井伸也 , ARAI,SHINYA
IPC分类号： H01L21/764 , H01L27/105
摘要：根據一實施例，一種半導體裝置包含一基板、一堆疊本體、一第二氣隙、一第一絕緣膜、一半導體膜及一堆疊膜。該堆疊本體提供於該基板上方且包含經由一第一氣隙堆疊之複數個電極膜。該第二氣隙在該堆疊本體之一堆疊方向上延伸。該第二氣隙在與該堆疊方向相交之一第一方向上分離該堆疊本體。該第一絕緣膜提供於該堆疊本體上方且覆蓋該第二氣隙之一上端。該堆疊膜提供於該電極膜之一側表面與對置於該電極膜之該側表面之該半導體膜之一側表面之間。該堆疊膜與該電極膜之該側表面及該半導體膜之該側表面接觸。
简体摘要：根据一实施例，一种半导体设备包含一基板、一堆栈本体、一第二气隙、一第一绝缘膜、一半导体膜及一堆栈膜。该堆栈本体提供于该基板上方且包含经由一第一气隙堆栈之复数个电极膜。该第二气隙在该堆栈本体之一堆栈方向上延伸。该第二气隙在与该堆栈方向相交之一第一方向上分离该堆栈本体。该第一绝缘膜提供于该堆栈本体上方且覆盖该第二气隙之一上端。该堆栈膜提供于该电极膜之一侧表面与对置于该电极膜之该侧表面之该半导体膜之一侧表面之间。该堆栈膜与该电极膜之该侧表面及该半导体膜之该侧表面接触。

6. 发明专利

TWI671436B 基板處理裝置及基板處理方法有权
简体标题：基板处理设备及基板处理方法
公开(公告)号：TWI671436B
公开(公告)日：2019-09-11
申请号：TW107107560
申请日：2018-03-07
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：吉水康人 , YOSHIMIZU, YASUHITO , 明星裕也 , AKEBOSHI, YUYA , 伊藤冬馬 , ITO, FUYUMA , 北川白馬 , KITAGAWA, HAKUBA
IPC分类号： C25F3/02 , H01L21/3213

7. 发明专利

TWI663664B 金屬配線之形成方法有权
简体标题：金属配线之形成方法
公开(公告)号：TWI663664B
公开(公告)日：2019-06-21
申请号：TW107103572
申请日：2018-02-01
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：日恵野敦 , HIENO, ATSUSHI , 中西務 , NAKANISHI, TSUTOMU , 田中裕介 , TANAKA, YUSUKE , 吉水康人 , YOSHIMIZU, YASUHITO , 八甫谷明彦 , HAPPOYA, AKIHIKO
IPC分类号： H01L21/60 , H01L21/304

8. 发明专利

TW201911975A 電漿處理裝置、半導體製造裝置及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：等离子处理设备、半导体制造设备及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201911975A
公开(公告)日：2019-03-16
申请号：TW107102647
申请日：2018-01-25
申请人：日商東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：吉水康人 , YOSHIMIZU, YASUHITO , 安井祐之 , YASUI, HIROYUKI
IPC分类号： H05H1/42 , H01L21/3065
摘要：本發明之實施形態提供一種可緩和於大氣壓下之環境中對被處理物之限制之電漿處理裝置、半導體製造裝置及半導體裝置。實施形態之電漿處理裝置具備：放電部，於大氣壓下生成電漿；及非金屬管，可供於上述放電部中生成之電漿行進；且自上述管向大氣壓下之環境釋放電漿。
简体摘要：本发明之实施形态提供一种可缓和于大气压下之环境中对被处理物之限制之等离子处理设备、半导体制造设备及半导体设备。实施形态之等离子处理设备具备：放电部，于大气压下生成等离子；及非金属管，可供于上述放电部中生成之等离子行进；且自上述管向大气压下之环境释放等离子。

9. 发明专利

TWI635598B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI635598B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：TW105142014
申请日：2016-12-19
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：高橋篤史 , TAKAHASHI, ATSUSHI , 吉水康人 , YOSHIMIZU, YASUHITO
IPC分类号： H01L27/115 , H01L21/60

10. 发明专利

TWI604563B 半導體裝置及其製造方法有权
简体标题：半导体设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI604563B
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW104140213
申请日：2015-12-01
申请人：東芝記憶體股份有限公司 , TOSHIBA MEMORY CORPORATION
发明人：吉水康人 , YOSHIMIZU, YASUHITO , 側瀬聡文 , GAWASE, AKIFUMI , 渡邉桂 , WATANABE, KEI , 荒井伸也 , ARAI, SHINYA
IPC分类号： H01L21/764 , H01L27/105
CPC分类号： H01L27/11582 , H01L21/30604 , H01L21/764 , H01L21/76897 , H01L23/53295

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