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1. 发明专利

TW201738957A 電漿處理裝置审中-公开
简体标题：等离子处理设备
公开(公告)号：TW201738957A
公开(公告)日：2017-11-01
申请号：TW106111955
申请日：2017-04-11
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：松本和也 , MATSUMOTO, KAZUYA , 保坂勇貴 , HOSAKA, YUKI , 大秦充敬 , OHATA, MITSUNORI , 山本高志 , YAMAMOTO, TAKASHI
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/00 , H05H1/00
CPC分类号： H01L21/3065 , H01L21/683 , H05H1/46
摘要：本發明旨在使構成電漿處理裝置之支持構造體的零件易於維修。電漿處理裝置包含有提供腔室之腔室本體、在腔室本體內支持被加工物之支持構造體、及構造成在腔室本體內使支持構造體繞著與鉛直方向直交之方向延伸的第1軸線旋轉之第1驅動裝置。支持構造體具有具保持被加工物之靜電吸盤並設成可繞著直交於第1軸線之第2軸線旋轉的保持部、設於保持部之下側的容器、及構造成使保持部繞第2軸線旋轉之第2驅動裝置。容器具有筒狀容器本體、及用以關閉容器本體之下側開口的底蓋。底蓋可從容器本體卸除。
简体摘要：本发明旨在使构成等离子处理设备之支持构造体的零件易于维修。等离子处理设备包含有提供腔室之腔室本体、在腔室本体内支持被加工物之支持构造体、及构造成在腔室本体内使支持构造体绕着与铅直方向直交之方向延伸的第1轴线旋转之第1驱动设备。支持构造体具有具保持被加工物之静电吸盘并设成可绕着直交于第1轴线之第2轴线旋转的保持部、设于保持部之下侧的容器、及构造成使保持部绕第2轴线旋转之第2驱动设备。容器具有筒状容器本体、及用以关闭容器本体之下侧开口的底盖。底盖可从容器本体卸除。

2. 发明专利

TWI443705B 防止三重接面崩潰的裝置及防止離子植入機中三重接面不穩定的裝置與方法有权
简体标题：防止三重接面崩溃的设备及防止离子植入机中三重接面不稳定的设备与方法
公开(公告)号：TWI443705B
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW097123375
申请日：2008-06-23
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：張昇吾 , CHANG, SHENG-WU , 辛克萊法蘭克 , SINCLAIR, FRANK
IPC分类号： H01J37/248 , H01J37/04 , H01J37/00
CPC分类号： H01B17/64

3. 发明专利

TW202022922A 從腔室清除ＳｎＯ膜的方法审中-公开
简体标题：从腔室清除ＳｎＯ膜的方法
公开(公告)号：TW202022922A
公开(公告)日：2020-06-16
申请号：TW108128263
申请日：2019-08-08
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：欣荷阿希爾 , SINGHAL, AKHIL , 奧斯汀達斯廷查克里 , AUSTIN, DUSTIN ZACHARY , 河正石 , HA, JEONGSEOK , 劉培基 , LIU, PEI-CHI
IPC分类号： H01L21/02 , H01L21/67 , H01J37/00
摘要：提供一種從處理腔室清除SnO2殘留物的方法以作為一實施例。該方法實施例包含將烴氣及氫氣以1%至60%之比率導入至一電漿處理系統中。利用由一電漿源所產生之電漿以從處理腔室之表面蝕刻該SnO2殘留物。該SnH4氣體與該烴氣進行反應而生成可揮發的有機錫化合物。該方法更提供將該有機錫化合物自該處理腔室中排空。以1%至60%之比率將該烴氣與該氫氣一起導入之該步驟使得SnH4氣體分解成Sn粉末的速率降低。
简体摘要：提供一种从处理腔室清除SnO2残留物的方法以作为一实施例。该方法实施例包含将烃气及氢气以1%至60%之比率导入至一等离子处理系统中。利用由一等离子源所产生之等离子以从处理腔室之表面蚀刻该SnO2残留物。该SnH4气体与该烃气进行反应而生成可挥发的有机锡化合物。该方法更提供将该有机锡化合物自该处理腔室中排空。以1%至60%之比率将该烃气与该氢气一起导入之该步骤使得SnH4气体分解成Sn粉末的速率降低。

4. 实用新型

TWM568490U 離子植入系統和靜電過濾器的導電束光學器件有权
简体标题：离子植入系统和静电过滤器的导电束光学器件
公开(公告)号：TWM568490U
公开(公告)日：2018-10-11
申请号：TW107203662
申请日：2018-03-21
申请人：美商瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：赫爾曼森艾立克 , HERMANSON, ERIC , 萊恩菲力浦 , LAYNE, PHILIP , 皮克斯利詹姆斯 , PIXLEY, JAMES
IPC分类号： H01J37/00 , H01L21/265

5. 发明专利

TWI433193B 具有準直磁鐵和中性過濾磁鐵的離子植入機與離子植入法有权
简体标题：具有准直磁铁和中性过滤磁铁的离子植入机与离子植入法
公开(公告)号：TWI433193B
公开(公告)日：2014-04-01
申请号：TW096148963
申请日：2007-12-20
申请人：瓦里安半導體設備公司 , VARIAN SEMICONDUCTOR EQUIPMENT ASSOCIATES, INC.
发明人：本夫尼斯特維克多M. , BENVENISTE, VICTOR M. , 坎貝爾克里斯多夫W. , CAMPBELL, CHRISTOPHER W. , 辛克萊法蘭克 , SINCLAIR, FRANK
IPC分类号： H01J37/147 , H01J37/00
CPC分类号： H01J37/3171 , H01J37/05 , H01J2237/0475 , H01J2237/04922

6. 发明专利

TWI409846B 荷電粒子光束裝置有权
简体标题：荷电粒子光束设备
公开(公告)号：TWI409846B
公开(公告)日：2013-09-21
申请号：TW096130001
申请日：2007-08-14
申请人：精工電子納米科技有限公司 , SII NANOTECHNOLOGY INC.
发明人：小川貴志 , OGAWA, TAKASHI
IPC分类号： H01J37/00 , H01J37/12
CPC分类号： H01J37/28 , H01J37/026 , H01J37/153 , H01J37/3023 , H01J37/3056 , H01J2237/004 , H01J2237/047 , H01J2237/1202 , H01J2237/1534 , H01J2237/31749

7. 发明专利

TW202004943A 與氫自由基一起使用的設備及使用該設備的方法审中-公开
简体标题：与氢自由基一起使用的设备及使用该设备的方法
公开(公告)号：TW202004943A
公开(公告)日：2020-01-16
申请号：TW108108225
申请日：2019-03-12
申请人：荷蘭商ASM 智慧財產控股公司 , ASM IP HOLDING B.V.
发明人：林興 , LIN, XING , 魏創 , WEI, CHUANG , 王文濤 , WANG, WENTAO , 高培培 , GAO, PEIPEI , 王非 , WANG, FEI , 喬希斯瓦蘭布貝西巴卜 , JOTHEESWARAN, BUBESH BABU
IPC分类号： H01L21/67 , B08B17/06 , B08B5/00 , C23C16/40 , H01J37/00
摘要：本發明揭示一種適合用於在單一製程室內由基板移除碳基汙染物及氧基汙染物兩者的系統及方法。
简体摘要：本发明揭示一种适合用于在单一制程室内由基板移除碳基污染物及氧基污染物两者的系统及方法。

8. 发明专利

TWI647731B 蝕刻基板的設備及方法有权
简体标题：蚀刻基板的设备及方法
公开(公告)号：TWI647731B
公开(公告)日：2019-01-11
申请号：TW103132489
申请日：2014-09-19
申请人：美商蘭姆研究公司 , LAM RESEARCH CORPORATION
发明人：漢沙羅金德 , DHINDSA, RAJINDER , 南象基 , NAM, SANG KI , 瑪瑞卡塔諾艾力西 , MARAKHTANOV, ALEXEI , 哈得森艾瑞克A , HUDSON, ERIC A.
IPC分类号： H01J37/00 , H01L21/3065

9. 发明专利

TW201841188A 試料溝槽埋入方法审中-公开
简体标题：试料沟槽埋入方法
公开(公告)号：TW201841188A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107107256
申请日：2018-03-05
申请人：日商日立高新技術科學股份有限公司 , HITACHI HIGH-TECH SCIENCE CORPORATION
发明人：酉川翔太 , TORIKAWA, SHOTA
IPC分类号： H01J37/20 , H01J37/00
摘要： [課題]提供一種試料溝槽埋入方法，即使是在深度方向上具有深的高深寬比的溝槽的試料片，也能夠均勻地埋入到溝槽內部而不會產生空洞。　　[解決手段]一種試料溝槽埋入方法，至少具備以下工序：切出工序，其係從具有從其中一面往深度方向延伸的溝槽的試料，切出包含該溝槽在內的小區域的試料片；以及堆積工序，其係從前述試料片之沿前述深度方向擴開的側面，朝向前述溝槽內，使電子束透過，並且，從前述溝槽的前述其中一面側的開口，往前述溝槽內噴射化合物氣體，經此，藉由以前述電子束的照射所產生出的二次電子，對前述化合物氣體進行分解，使前述化合物氣體的構成物堆積到前述溝槽內。
简体摘要： [课题]提供一种试料沟槽埋入方法，即使是在深度方向上具有深的高深宽比的沟槽的试料片，也能够均匀地埋入到沟槽内部而不会产生空洞。　　[解决手段]一种试料沟槽埋入方法，至少具备以下工序：切出工序，其系从具有从其中一面往深度方向延伸的沟槽的试料，切出包含该沟槽在内的小区域的试料片；以及堆积工序，其系从前述试料片之沿前述深度方向扩开的侧面，朝向前述沟槽内，使电子束透过，并且，从前述沟槽的前述其中一面侧的开口，往前述沟槽内喷射化合物气体，经此，借由以前述电子束的照射所产生出的二次电子，对前述化合物气体进行分解，使前述化合物气体的构成物堆积到前述沟槽内。

10. 发明专利

TWI390577B 電漿處理設備及電漿處理方法有权
简体标题：等离子处理设备及等离子处理方法
公开(公告)号：TWI390577B
公开(公告)日：2013-03-21
申请号：TW097113028
申请日：2008-04-10
申请人：奇美電子股份有限公司 , CHI MEI OPTOELECTRONICS CORPORATION , 財團法人成大研究發展基金會 , NCKU RESEARCH & DEVELOPMENT FOUNDATION
发明人：陳志勇 , CHEN, CHIH YUNG , 王振乾 , WANG, CHENG CHIEN , 陳奕翰 , CHEN, I HAN
IPC分类号： H01J37/00

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