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1. 发明专利

TW201947593A 用於記憶體單元陣列之存取線管理审中-公开
简体标题：用于内存单元数组之存取线管理
公开(公告)号：TW201947593A
公开(公告)日：2019-12-16
申请号：TW108113009
申请日：2019-04-15
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：維莫卡帝丹尼 , VIMERCATI, DANIELE
IPC分类号： G11C11/4091 , G11C11/24
摘要：本發明描述用於一記憶體單元陣列之存取線管理之方法、系統及裝置。一些記憶體裝置可包括與記憶體單元耦接之一板，該等記憶體單元與複數個數位線及/或複數個字線相關聯。因為該板與複數個數位線及/或字線耦接，所以該記憶體裝置之各種組件之間的非預期交叉耦接可能顯著。為了減輕各種組件之間的非預期交叉耦接之影響，該記憶體裝置可在一存取操作之一或多個部分期間使未選定字線浮動。因此，每一未選定字線之一電壓可與該板之電壓相關，此係因為可能會發生板電壓改變。
简体摘要：本发明描述用于一内存单元数组之存取线管理之方法、系统及设备。一些内存设备可包括与内存单元耦接之一板，该等内存单元与复数个数码线及/或复数个字线相关联。因为该板与复数个数码线及/或字线耦接，所以该内存设备之各种组件之间的非预期交叉耦接可能显着。为了减轻各种组件之间的非预期交叉耦接之影响，该内存设备可在一存取操作之一或多个部分期间使未选定字线浮动。因此，每一未选定字线之一电压可与该板之电压相关，此系因为可能会发生板电压改变。

2. 发明专利

TWI650751B 包括鐵電記憶體且用於操作鐵電記憶體之裝置及方法有权
简体标题：包括铁电内存且用于操作铁电内存之设备及方法
公开(公告)号：TWI650751B
公开(公告)日：2019-02-11
申请号：TW106128400
申请日：2017-08-22
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：德奈史考特 J , DERNER, SCOTT J. , 川村克里斯多福 J , KAWAMURA, CHRISTOPHER J.
IPC分类号： G11C11/22 , G11C11/24

3. 发明专利

TW201812760A 鐵電記憶體單元审中-公开
简体标题：铁电内存单元
公开(公告)号：TW201812760A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106128403
申请日：2017-08-22
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：德奈史考特 J , DERNER, SCOTT J. , 川村克里斯多福 J , KAWAMURA, CHRISTOPHER J.
IPC分类号： G11C11/22 , G11C11/24 , H01L21/8239
CPC分类号： G11C11/221 , G11C11/2253 , G11C11/2257 , G11C11/2259 , G11C11/2273 , G11C11/2275 , G11C11/2293 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L27/11514 , H01L28/55 , H01L28/90
摘要：本發明揭示包含鐵電記憶體單元之裝置及方法。一例示性鐵電記憶體單元包含兩個電晶體及兩個電容器。另一例示性鐵電記憶體單元包含三個電晶體及兩個電容器。另一例示性鐵電記憶體單元包含四個電晶體及兩個電容器。
简体摘要：本发明揭示包含铁电内存单元之设备及方法。一例示性铁电内存单元包含两个晶体管及两个电容器。另一例示性铁电内存单元包含三个晶体管及两个电容器。另一例示性铁电内存单元包含四个晶体管及两个电容器。

4. 发明专利

TWI506622B 半導體裝置及驅動半導體裝置之方法有权
简体标题：半导体设备及驱动半导体设备之方法
公开(公告)号：TWI506622B
公开(公告)日：2015-11-01
申请号：TW100103116
申请日：2011-01-27
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：河江大輔 , KAWAE, DAISUKE , 魚地秀貴 , UOCHI, HIDEKI
IPC分类号： G11C11/24 , H01L27/108
CPC分类号： G11C11/405 , G11C16/02 , H01L27/105 , H01L27/1052 , H01L27/11521 , H01L27/1156 , H01L27/1203 , H01L27/1225

5. 发明专利

TWI696175B 包括絕緣材料及記憶體單元的垂直交替層的記憶體陣列及形成記憶體陣列的方法，記憶體陣列包含個別包含電晶體及電容器的記憶體單元有权
简体标题：包括绝缘材料及内存单元的垂直交替层的内存数组及形成内存数组的方法，内存数组包含个别包含晶体管及电容器的内存单元
公开(公告)号：TWI696175B
公开(公告)日：2020-06-11
申请号：TW107122392
申请日：2018-06-28
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：拉瑪斯瓦米杜拉西沙尼爾摩 , RAMASWAMY, DURAI VISHAK NIRMAL
IPC分类号： G11C11/24 , G11C11/34 , H01L21/8239

6. 发明专利

TWI582766B 非揮發性閂鎖電路及邏輯電路及使用其之半導體裝置有权
简体标题：非挥发性闩锁电路及逻辑电路及使用其之半导体设备
公开(公告)号：TWI582766B
公开(公告)日：2017-05-11
申请号：TW104138503
申请日：2010-12-03
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：加藤清 , KATO, KIYOSHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： G11C11/24 , H03K19/173
CPC分类号： H03K3/037 , G11C11/24 , G11C14/0054 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/045 , H01L29/7869 , H03K19/173

7. 发明专利

TWI573136B 儲存裝置及信號處理電路有权
简体标题：存储设备及信号处理电路
公开(公告)号：TWI573136B
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW101117381
申请日：2012-05-16
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：石津貴彥 , ISHIZU, TAKAHIKO
IPC分类号： G11C11/24 , G11C5/14
CPC分类号： G11C5/10 , G11C11/412 , G11C11/419

8. 发明专利

TWI562142B 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路有权
简体标题：存储组件、存储设备、及信号处理电路
公开(公告)号：TWI562142B
公开(公告)日：2016-12-11
申请号：TW104143590
申请日：2011-12-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：王丸拓郎 , OHMARU, TAKURO , 遠藤正己 , ENDO, MASAMI
IPC分类号： G11C11/24 , G06F12/16
CPC分类号： H01L27/1052 , G06F1/3275 , G11C11/24 , G11C14/0009 , G11C19/184 , H01L23/5226 , H01L27/0629 , H01L27/108 , H01L27/10805 , H01L27/10897 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/7869 , Y02D10/13 , Y02D10/14

9. 发明专利

TWI525614B 儲存元件、儲存裝置、及信號處理電路有权
简体标题：存储组件、存储设备、及信号处理电路
公开(公告)号：TWI525614B
公开(公告)日：2016-03-11
申请号：TW100147130
申请日：2011-12-19
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：王丸拓郎 , OHMARU, TAKURO , 遠藤正己 , ENDO, MASAMI
IPC分类号： G11C11/24 , G06F12/16
CPC分类号： H01L27/1052 , G06F1/3275 , G11C11/24 , G11C14/0009 , G11C19/184 , H01L23/5226 , H01L27/0629 , H01L27/108 , H01L27/10805 , H01L27/10897 , H01L28/20 , H01L28/40 , H01L29/24 , H01L29/26 , H01L29/7869 , Y02D10/13 , Y02D10/14

10. 发明专利

TW201608563A 非揮發性閂鎖電路及邏輯電路及使用其之半導體裝置审中-公开
简体标题：非挥发性闩锁电路及逻辑电路及使用其之半导体设备
公开(公告)号：TW201608563A
公开(公告)日：2016-03-01
申请号：TW104138503
申请日：2010-12-03
申请人：半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：加藤清 , KATO, KIYOSHI , 小山潤 , KOYAMA, JUN
IPC分类号： G11C11/24 , H03K19/173
CPC分类号： H03K3/037 , G11C11/24 , G11C14/0054 , H01L27/0688 , H01L27/105 , H01L27/1207 , H01L27/1225 , H01L27/1255 , H01L29/045 , H01L29/7869 , H03K19/173
摘要：為了提供新穎的非揮發性閂鎖電路及使用該非揮發性閂鎖電路的半導體裝置，非揮發性閂鎖電路包括一閂鎖部，具有第一元件的輸出電連接至第二元件的輸入，且該第二元件的輸出電連接至該第一元件的輸入的迴路結構；以及一資料保存部，組態以保存該閂鎖部的資料。在該資料保存部中，使用氧化物半導體作為半導體材料形成通道形成區之電晶體被用作開關元件。此外，包括電連接至該電晶體之源極電極或汲極電極的電容器。
简体摘要：为了提供新颖的非挥发性闩锁电路及使用该非挥发性闩锁电路的半导体设备，非挥发性闩锁电路包括一闩锁部，具有第一组件的输出电连接至第二组件的输入，且该第二组件的输出电连接至该第一组件的输入的回路结构；以及一数据保存部，组态以保存该闩锁部的数据。在该数据保存部中，使用氧化物半导体作为半导体材料形成信道形成区之晶体管被用作开关组件。此外，包括电连接至该晶体管之源极电极或汲极电极的电容器。

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