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1. 发明专利

TW201812756A 用於記憶體之冗餘陣列行解碼器审中-公开
简体标题：用于内存之冗余数组行译码器
公开(公告)号：TW201812756A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106129182
申请日：2017-08-28
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：維莫卡帝丹尼維莫卡帝 , VIMERCATI, DANIELE , 郭新威 , GUO, XINWEI
IPC分类号： G11C8/10 , G11C11/4063
CPC分类号： G11C11/221 , G11C11/2259 , G11C11/2273 , G11C29/781 , G11C29/804 , G11C29/806 , G11C29/816
摘要：本發明描述用於一記憶體陣列中之冗餘的方法、系統及裝置。一記憶體陣列可包含相對於該陣列之其他記憶體單元的一些冗餘記憶體單元。若發現另一記憶體單元在某種程度上存在缺陷，則可使用此等冗餘記憶體單元；例如，在製造該陣列之後且在部署之前，可識別影響特定記憶體單元之該陣列之部分中之缺陷。可將記憶體單元指定為該陣列之諸多其他記憶體單元之冗餘單元，使得該陣列中之冗餘單元之總數目在該陣列之總單元數目中之分率相對較小。切換組件之一組態可允許依支援諸多其他單元之冗餘的一方式操作冗餘單元且可在存取冗餘單元時限制對鄰近單元之干擾。
简体摘要：本发明描述用于一内存数组中之冗余的方法、系统及设备。一内存数组可包含相对于该数组之其他内存单元的一些冗余内存单元。若发现另一内存单元在某种程度上存在缺陷，则可使用此等冗余内存单元；例如，在制造该数组之后且在部署之前，可识别影响特定内存单元之该数组之部分中之缺陷。可将内存单元指定为该数组之诸多其他内存单元之冗余单元，使得该数组中之冗余单元之总数目在该数组之总单元数目中之分率相对较小。切换组件之一组态可允许依支持诸多其他单元之冗余的一方式操作冗余单元且可在存取冗余单元时限制对邻近单元之干扰。

2. 发明专利

TW201812760A 鐵電記憶體單元审中-公开
简体标题：铁电内存单元
公开(公告)号：TW201812760A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106128403
申请日：2017-08-22
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：德奈史考特 J , DERNER, SCOTT J. , 川村克里斯多福 J , KAWAMURA, CHRISTOPHER J.
IPC分类号： G11C11/22 , G11C11/24 , H01L21/8239
CPC分类号： G11C11/221 , G11C11/2253 , G11C11/2257 , G11C11/2259 , G11C11/2273 , G11C11/2275 , G11C11/2293 , H01L27/11502 , H01L27/11507 , H01L27/11514 , H01L28/55 , H01L28/90
摘要：本發明揭示包含鐵電記憶體單元之裝置及方法。一例示性鐵電記憶體單元包含兩個電晶體及兩個電容器。另一例示性鐵電記憶體單元包含三個電晶體及兩個電容器。另一例示性鐵電記憶體單元包含四個電晶體及兩個電容器。
简体摘要：本发明揭示包含铁电内存单元之设备及方法。一例示性铁电内存单元包含两个晶体管及两个电容器。另一例示性铁电内存单元包含三个晶体管及两个电容器。另一例示性铁电内存单元包含四个晶体管及两个电容器。

3. 发明专利

TW201812749A 混合式記憶體裝置审中-公开
简体标题：混合式内存设备
公开(公告)号：TW201812749A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106129581
申请日：2017-08-30
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：萊恩凱文 J , RYAN, KEVIN J. , 普拉爾克拉克 D , PRALL, KIRK D. , 拉瑪斯瓦米杜拉維斯哈克尼爾摩 , RAMASWAMY, DURAI VISHAK NIRMAL , 奎因羅伯特 , QUINN, ROBERT
IPC分类号： G11C5/06 , G11C11/24 , G11C11/22
CPC分类号： G06F3/0611 , G06F3/0625 , G06F3/0626 , G06F3/0647 , G06F3/0653 , G06F3/0659 , G06F3/068 , G11C11/221 , G11C11/2259 , G11C11/2273 , G11C11/404 , G11C11/4096 , G11C14/0027 , H01L23/528 , H01L27/10805 , H01L27/1085 , H01L27/11507 , H01L28/55
摘要：本發明描述用於一混合式記憶體裝置之方法、系統及裝置。該混合式記憶體裝置可包含一單一基板或晶粒上之揮發性及非揮發性記憶體胞。該等非揮發性記憶體胞可具有鐵電電容器，且該等揮發性記憶體胞之各自邏輯儲存組件可具有順電 (paraelectric)或線性介電電容器。在一些實例中，該等揮發性記憶體胞可用作該等非揮發性記憶體胞之一快取區。或者，該等非揮發性記憶體胞可用作該等揮發性記憶體胞之一備份。藉由將兩種類型之胞放置於一單一晶粒上，而非放置於分離晶粒上，各種效能度量可改良，包含與電力消耗及操作速度有關之彼等度量。
简体摘要：本发明描述用于一混合式内存设备之方法、系统及设备。该混合式内存设备可包含一单一基板或晶粒上之挥发性及非挥发性内存胞。该等非挥发性内存胞可具有铁电电容器，且该等挥发性内存胞之各自逻辑存储组件可具有顺电 (paraelectric)或线性介电电容器。在一些实例中，该等挥发性内存胞可用作该等非挥发性内存胞之一缓存区。或者，该等非挥发性内存胞可用作该等挥发性内存胞之一备份。借由将两种类型之胞放置于一单一晶粒上，而非放置于分离晶粒上，各种性能度量可改良，包含与电力消耗及操作速度有关之彼等度量。

4. 发明专利

TW201802808A 鐵電記憶體中之多層級儲存审中-公开
简体标题：铁电内存中之多层级存储
公开(公告)号：TW201802808A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106121418
申请日：2017-06-27
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：卡瓦穆拉克里斯多幅約翰 , KAWAMURA, CHRISTOPHER JOHN
IPC分类号： G11C11/22 , G11C7/06
CPC分类号： G11C11/2273 , G11C11/221 , G11C11/2259 , G11C11/2275 , G11C11/5657
摘要：本發明描述用於操作一或若干鐵電記憶體單元之方法、系統及器件。在一些實例中，用於鐵電記憶體之多層級存取、感測及其他操作可基於感測多個電荷，包含與該記憶體單元之一介電質相關聯之一第一電荷及與該記憶體單元之一極化相關聯之一第二電荷。在一些情況中，多層級存取、感測及其他操作可基於：將與該記憶體單元之一介電質相關聯之一第一電荷轉移至一感測放大器；隔離該感測放大器；啟動該感測放大器；將與該記憶體單元之一極化相關聯之一第二電荷轉移至該感測放大器；及第二次啟動該感測放大器。
简体摘要：本发明描述用于操作一或若干铁电内存单元之方法、系统及器件。在一些实例中，用于铁电内存之多层级存取、传感及其他操作可基于传感多个电荷，包含与该内存单元之一介电质相关联之一第一电荷及与该内存单元之一极化相关联之一第二电荷。在一些情况中，多层级存取、传感及其他操作可基于：将与该内存单元之一介电质相关联之一第一电荷转移至一传感放大器；隔离该传感放大器；启动该传感放大器；将与该内存单元之一极化相关联之一第二电荷转移至该传感放大器；及第二次启动该传感放大器。

5. 发明专利

TW201812759A 包括鐵電記憶體且用於操作鐵電記憶體之裝置及方法审中-公开
简体标题：包括铁电内存且用于操作铁电内存之设备及方法
公开(公告)号：TW201812759A
公开(公告)日：2018-04-01
申请号：TW106128400
申请日：2017-08-22
申请人：美商美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：德奈史考特 J , DERNER, SCOTT J. , 川村克里斯多福 J , KAWAMURA, CHRISTOPHER J.
IPC分类号： G11C11/22 , G11C11/24
CPC分类号： G11C11/2257 , G11C11/221 , G11C11/2259 , G11C11/2273 , G11C11/2275 , G11C11/2293 , H01L27/11509 , H01L27/11514
摘要：本發明揭示包括鐵電記憶體及用於操作鐵電記憶體之裝置及方法。一種實例性裝置包括一電容器，其具有一第一極板、一第二極板及一鐵電介電材料。該裝置進一步包括一第一數位線及經組態以將該第一極板耦合至該第一數位線之一第一選擇組件，且亦包括一第二數位線及經組態以將該第二極板耦合至該第二數位線之一第二選擇組件。
简体摘要：本发明揭示包括铁电内存及用于操作铁电内存之设备及方法。一种实例性设备包括一电容器，其具有一第一极板、一第二极板及一铁电介电材料。该设备进一步包括一第一数码线及经组态以将该第一极板耦合至该第一数码线之一第一选择组件，且亦包括一第二数码线及经组态以将该第二极板耦合至该第二数码线之一第二选择组件。

6. 发明专利

TW201802806A 自鐵電記憶體單元之電荷提取审中-公开
简体标题：自铁电内存单元之电荷提取
公开(公告)号：TW201802806A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：TW106111026
申请日：2017-03-31
申请人：美光科技公司 , MICRON TECHNOLOGY, INC.
发明人：維莫卡帝丹尼 , VIMERCATI, DANIELE
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C11/2273 , G11C11/221 , G11C11/2259
摘要：本發明描述用於操作一或若干鐵電記憶體單元之方法、系統及裝置。一記憶體單元之一鐵電電容器可通過一數位線與一感測電容器電子連通。該數位線在記憶體單元感測期間虛擬接地，從而限制或避免跨該數位線之壓降且允許提取鐵電電容器之全部或大體上全部儲存之電荷且將該等電荷轉移至該感測電容器。可藉由啟動與該數位線電子連通之一切換組件(例如，一p型場效電晶體)而達成使得該數位線虛擬接地。可通過該切換組件轉移該鐵電電容器之電荷。一感測放大器可比較該感測電容器之電壓與一參考電壓以判定該記憶體單元儲存之邏輯狀態。
简体摘要：本发明描述用于操作一或若干铁电内存单元之方法、系统及设备。一内存单元之一铁电电容器可通过一数码线与一传感电容器电子连通。该数码线在内存单元传感期间虚拟接地，从而限制或避免跨该数码线之压降且允许提取铁电电容器之全部或大体上全部存储之电荷且将该等电荷转移至该传感电容器。可借由启动与该数码线电子连通之一切换组件(例如，一p型场效应管)而达成使得该数码线虚拟接地。可通过该切换组件转移该铁电电容器之电荷。一传感放大器可比较该传感电容器之电压与一参考电压以判定该内存单元存储之逻辑状态。

7. 发明专利

TW201711030A 具有非揮發性保存性的鐵電式記憶胞审中-公开
简体标题：具有非挥发性保存性的铁电式记忆胞
公开(公告)号：TW201711030A
公开(公告)日：2017-03-16
申请号：TW105112452
申请日：2016-04-21
申请人：英特爾股份有限公司 , INTEL CORPORATION
发明人：莫瑞斯丹尼爾 , MORRIS, DANIEL H. , 尤嘉艾維可 , AVCI, UYGAR E. , 楊艾恩 , YOUNG, IAN A.
IPC分类号： G11C11/22
CPC分类号： G11C14/0072 , G11C11/221 , G11C11/2259 , G11C11/2273 , G11C11/2275 , G11C14/0027 , H01L27/11502
摘要：說明一種設備，其包含：藉由寫入字線(WWL)而可控制的第一接入電晶體；藉由讀取字線(RWL)而可控制的第二接入電晶體；及鐵電胞，其耦接至該第一及第二接入電晶體，其中該鐵電胞係經由該WWL而為可編程的且經由該RWL而為可讀取的。說明一種方法，其包含：驅動WWL，其耦接至第一接入電晶體的閘極端，用以導致該第一接入電晶體導通；及驅動WBL，其耦接至該第一接入電晶體之源極/汲極端，該驅動的WBL用以當該第一接入電晶體導通時，充電或放電耦接至該第一接入電晶體的儲存節點，其中該鐵電胞係耦接至該儲存節點且依據該充電的或放電的儲存節點而為可編程的。
简体摘要：说明一种设备，其包含：借由写入字线(WWL)而可控制的第一接入晶体管；借由读取字线(RWL)而可控制的第二接入晶体管；及铁电胞，其耦接至该第一及第二接入晶体管，其中该铁电胞系经由该WWL而为可编程的且经由该RWL而为可读取的。说明一种方法，其包含：驱动WWL，其耦接至第一接入晶体管的闸极端，用以导致该第一接入晶体管导通；及驱动WBL，其耦接至该第一接入晶体管之源极/汲极端，该驱动的WBL用以当该第一接入晶体管导通时，充电或放电耦接至该第一接入晶体管的存储节点，其中该铁电胞系耦接至该存储节点且依据该充电的或放电的存储节点而为可编程的。

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