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    • 5. 发明专利
    • 表面改質裝置
    • 表面改质设备
    • TW201910401A
    • 2019-03-16
    • TW107125963
    • 2018-07-27
    • 日商春日電機股份有限公司KASUGA DENKI, INC.
    • 小木曾智森下貴生櫻井行平吉田純也杉村智
    • C08J7/00H01T19/00
    • 本發明涉及一種表面改質裝置,其利用電暈恒壓放電在處理基體之表面進行改質處理。自放電電極直接放出氣體,在減少置換氣體之供給量的同時使氣壓分佈均等,使等離子體穩定生成。電極室C內之放電電極E由多個電極構件8、9組成。此外,此多個電極構件8、9夾持支撐構件4相對配置,同時在此多個電極構件8、9之相對部分處形成縫隙,將該縫隙作為氣體通道15,於放電電極之前端開放。繼而,藉由排泄孔供給於上述氣體通道15處自歧管管道3供給之置換氣體。
    • 本发明涉及一种表面改质设备,其利用电晕恒压放电在处理基体之表面进行改质处理。自放电电极直接放出气体,在减少置换气体之供给量的同时使气压分布均等,使等离子体稳定生成。电极室C内之放电电极E由多个电极构件8、9组成。此外,此多个电极构件8、9夹持支撑构件4相对配置,同时在此多个电极构件8、9之相对部分处形成缝隙,将该缝隙作为气体信道15,于放电电极之前端开放。继而,借由排泄孔供给于上述气体信道15处自歧管管道3供给之置换气体。
    • 6. 发明专利
    • 偏光膜的製造方法及製造裝置
    • 偏光膜的制造方法及制造设备
    • TW201907189A
    • 2019-02-16
    • TW107122088
    • 2018-06-27
    • 日商住友化學股份有限公司SUMITOMO CHEMICAL COMPANY, LIMITED
    • 武藤清MUTO, KIYOSHI住田幸司SUMIDA, KOJI趙天熙JO, CHEON HEE崔允碩CHOI, YOONSEOK
    • G02B5/30G02F1/1335C08J5/18C08J7/00B32B27/30
    • 本發明之課題在於提供一種即使暴露於高溫環境下亦不易收縮,且具有優異光學特性之偏光膜的製造方法及製造裝置。 本發明之解決手段為一種偏光膜的製造方法,其係包含:以雙色性色素對聚乙烯醇系樹脂膜進行染色處理之染色工序,將前述染色工序後的前述聚乙烯醇系樹脂膜依序浸漬在n個(n為2以上的整數)交聯浴以進行交聯處理之交聯工序,以及對於浸漬於配置在從上游側朝下游側之第x號(x為n以下的整數)之第x交聯浴後拉出之前述聚乙烯醇系樹脂膜,照射超過2μm且為4μm以下之波長的紅外線之放射能量的比率為全放射能量的25%以上之電磁波之電磁波照射工序;各交聯浴是由硼化合物的濃度為0.5質量%以上之溶液所構成,配置在從上游側朝下游側之第n號之第n交聯浴是由前述硼化合物的濃度為2.4質量%以下之溶液所構成。
    • 本发明之课题在于提供一种即使暴露于高温环境下亦不易收缩,且具有优异光学特性之偏光膜的制造方法及制造设备。 本发明之解决手段为一种偏光膜的制造方法,其系包含:以双色性色素对聚乙烯醇系树脂膜进行染色处理之染色工序,将前述染色工序后的前述聚乙烯醇系树脂膜依序浸渍在n个(n为2以上的整数)交联浴以进行交联处理之交联工序,以及对于浸渍于配置在从上游侧朝下游侧之第x号(x为n以下的整数)之第x交联浴后拉出之前述聚乙烯醇系树脂膜,照射超过2μm且为4μm以下之波长的红外线之放射能量的比率为全放射能量的25%以上之电磁波之电磁波照射工序;各交联浴是由硼化合物的浓度为0.5质量%以上之溶液所构成,配置在从上游侧朝下游侧之第n号之第n交联浴是由前述硼化合物的浓度为2.4质量%以下之溶液所构成。