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1. 发明专利

TWI696597B 燒結體、濺鍍靶材及燒結體的製造方法有权
简体标题：烧结体、溅镀靶材及烧结体的制造方法
公开(公告)号：TWI696597B
公开(公告)日：2020-06-21
申请号：TW108121570
申请日：2019-06-20
申请人：日商JX金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：秀島正章 , HIDESHIMA, MASAAKI , 角田浩二 , KAKUTA, KOJI
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/34

2. 发明专利

TW201920048A 濺鍍靶材、氧化物半導體薄膜、薄膜電晶體及電子機器审中-公开
简体标题：溅镀靶材、氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管及电子机器
公开(公告)号：TW201920048A
公开(公告)日：2019-06-01
申请号：TW107126745
申请日：2018-08-01
申请人：日本商出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
发明人：大山正嗣 , OYAMA, MASASHI , 糸瀨麻美 , ITOSE, MAMI
IPC分类号： C04B35/01 , C04B35/453 , C23C14/34 , H01L29/786 , H01J37/34
摘要：本發明係一種濺鍍靶材，其具備氧化物燒結體，該氧化物燒結體含有銦元素(In)、錫元素(Sn)、鋅元素(Zn)、X元素及氧，各元素之原子比滿足下述式(1)，且進而包含Zn2SnO4所表示之尖晶石結構化合物。 0.001≦X/(In＋Sn＋Zn＋X)≦0.05 ・・・(1) (式(1)中，In、Zn、Sn及X分別表示氧化物燒結體中之銦元素、鋅元素、錫元素及X元素之含量；X元素係自Ge、Si、Y、Zr、Al、Mg、Yb、及Ga中選擇至少一種以上)
简体摘要：本发明系一种溅镀靶材，其具备氧化物烧结体，该氧化物烧结体含有铟元素(In)、锡元素(Sn)、锌元素(Zn)、X元素及氧，各元素之原子比满足下述式(1)，且进而包含Zn2SnO4所表示之尖晶石结构化合物。 0.001≦X/(In＋Sn＋Zn＋X)≦0.05 ・・・(1) (式(1)中，In、Zn、Sn及X分别表示氧化物烧结体中之铟元素、锌元素、锡元素及X元素之含量；X元素系自Ge、Si、Y、Zr、Al、Mg、Yb、及Ga中选择至少一种以上)

3. 发明专利

TWI653209B 靶材、靶材的製造方法及平板狀靶有权
简体标题：靶材、靶材的制造方法及平板状靶
公开(公告)号：TWI653209B
公开(公告)日：2019-03-11
申请号：TW104120922
申请日：2015-06-29
申请人：日商三井金屬鑛業股份有限公司 , MITSUI MINING & SMELTING CO., LTD.
发明人：世良佳弘 , SERA, YOSHIHIRO , 石田新太郎 , ISHIDA, SHINTARO , 矢野智泰 , YANO, TOMOYASU
IPC分类号： C04B35/457 , C04B35/453 , C23C14/34 , B28B11/00 , B28D1/02 , C04B37/02 , B32B18/00 , B32B15/04

4. 发明专利

TWI648241B 氧化物燒結體及其製造方法、濺鍍靶、以及半導體裝置有权
简体标题：氧化物烧结体及其制造方法、溅镀靶、以及半导体设备
公开(公告)号：TWI648241B
公开(公告)日：2019-01-21
申请号：TW104123750
申请日：2015-07-22
申请人：日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：宮永美紀 , MIYANAGA, MIKI , 綿谷研一 , WATATANI, KENICHI , 曾我部浩一 , SOGABE, KOICHI , 粟田英章 , AWATA, HIDEAKI
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/64 , C23C14/34

5. 发明专利

TW201831426A 氧化物燒結體及其製造方法、濺鍍靶、及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：氧化物烧结体及其制造方法、溅镀靶、及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201831426A
公开(公告)日：2018-09-01
申请号：TW106137555
申请日：2017-10-31
申请人：日商住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：宮永美紀 , MIYANAGA, MIKI , 綿谷研一 , WATATANI, KENICHI , 粟田英章 , AWATA, HIDEAKI
IPC分类号： C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/34 , C04B35/626
摘要：本發明提供一種氧化物燒結體及其製造方法、及包含使用該氧化物燒結體所形成之氧化物半導體膜14的半導體裝置10之製造方法，該氧化物燒結體含有In、W及Zn，含有包含方鐵錳礦型結晶相之第1結晶相、與於X射線繞射中之2θ超過34.74 deg且未達34.97 deg之位置具有第1繞射峰之第2結晶相，視密度超過6.4 g/cm3且為7.5 g/cm3以下，W相對於In、W及Zn之合計之含有率超過0.01原子%且為5.0原子%以下，Zn之含有率為1.2原子%以上且未達50原子%，Zn相對於W之原子比超過1.0且未達20000。
简体摘要：本发明提供一种氧化物烧结体及其制造方法、及包含使用该氧化物烧结体所形成之氧化物半导体膜14的半导体设备10之制造方法，该氧化物烧结体含有In、W及Zn，含有包含方铁锰矿型结晶相之第1结晶相、与于X射线绕射中之2θ超过34.74 deg且未达34.97 deg之位置具有第1绕射峰之第2结晶相，视密度超过6.4 g/cm3且为7.5 g/cm3以下，W相对于In、W及Zn之合计之含有率超过0.01原子%且为5.0原子%以下，Zn之含有率为1.2原子%以上且未达50原子%，Zn相对于W之原子比超过1.0且未达20000。

6. 发明专利

TWI632123B 濺鍍靶、氧化物半導體薄膜及具備該氧化物半導體薄膜之薄膜電晶體有权
简体标题：溅镀靶、氧化物半导体薄膜及具备该氧化物半导体薄膜之薄膜晶体管
公开(公告)号：TWI632123B
公开(公告)日：2018-08-11
申请号：TW103101709
申请日：2014-01-16
申请人：出光興產股份有限公司 , IDEMITSU KOSAN CO., LTD.
发明人：但馬望 , TAJIMA, NOZOMI , 江端一晃 , EBATA, KAZUAKI
IPC分类号： C04B35/00 , C04B35/453 , C23C14/34 , C23C14/08 , H01L21/336 , H01L21/363 , H01L29/786 , G02F1/1368

7. 发明专利

TW201741245A 氧化物介電質及其製造方法、以及固態電子裝置及其製造方法审中-公开
简体标题：氧化物介电质及其制造方法、以及固态电子设备及其制造方法
公开(公告)号：TW201741245A
公开(公告)日：2017-12-01
申请号：TW105139027
申请日：2016-11-28
申请人：國立大學法人北陸先端科學技術大學院大學 , JAPAN ADVANCED INSTITUTE OF SCIENCE AND TECHNOLOGY , 阿達曼特股份有限公司 , ADAMANT CO., LTD.
发明人：下田達也 , SHIMODA, TATSUYA , 井上聰 , INOUE, SATOSHI , 有賀智紀 , ARIGA, TOMOKI , 竹內慎治 , TAKEUCHI, SHINJI , 瀨川茂俊 , SEGAWA, SHIGETOSHI
IPC分类号： C01G29/00 , C01G33/00 , C04B35/453 , C04B35/495 , H01B3/12 , H01G4/12
CPC分类号： C01G33/00 , C04B35/453 , H01B3/12 , H01G4/12 , H01G4/30
摘要：本發明之1種由氧化物介電質所構成之氧化物層30係具有燒綠石型結晶構造之結晶相，含有由鉍(Bi)與鈮(Nb)與鈦(Ti)所構成之氧化物(可含無法避免的雜質)，當該鉍(Bi)之原子數為1之時，該鈮(Nb)之原子數為0.5以上~未達1.7，且當該鉍(Bi)之原子數為1之時，該鈦(Ti)之原子數為超過0~未達1.3。
简体摘要：本发明之1种由氧化物介电质所构成之氧化物层30系具有烧绿石型结晶构造之结晶相，含有由铋(Bi)与铌(Nb)与钛(Ti)所构成之氧化物(可含无法避免的杂质)，当该铋(Bi)之原子数为1之时，该铌(Nb)之原子数为0.5以上~未达1.7，且当该铋(Bi)之原子数为1之时，该钛(Ti)之原子数为超过0~未达1.3。

8. 发明专利

TW201731799A Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系氧化物燒結體及其製造方法审中-公开
简体标题：Ｓｎ－Ｚｎ－Ｏ系氧化物烧结体及其制造方法
公开(公告)号：TW201731799A
公开(公告)日：2017-09-16
申请号：TW105141143
申请日：2016-12-13
申请人：住友金屬鑛山股份有限公司 , SUMITOMO METAL MINING CO., LTD.
发明人：安東勳雄 , ANDO, ISAO , 小澤誠 , OZAWA, MAKOTO , 五十嵐茂 , IGARASHI, SHIGERU
IPC分类号： C04B35/453 , C04B35/457
摘要：本發明課題係提供一種具有機械強度與高密度且低電阻之特性，作為濺鍍靶材利用之高Sn濃度的Sn-Zn-O系氧化物燒結體及其製造方法。該Sn-Zn-O系氧化物燒結體其特徵為：以原子數比Sn/(Zn+Sn)為0.75以上0.9以下的比例含有Sn，以相對於Sn、Zn與添加元素(X)的總量之原子數比X/(Sn+Zn+X)為0.001以上0.1以下的比例含有選自Nb、Ta、W、Mo的至少1種添加元素(X)，且相對密度為95%以上、比電阻為1Ω‧cm以下；其係在燒製爐內的氧濃度為70體積%以上的氣體環境下，以700℃至燒結溫度為止的昇溫速度為0.4℃/min以上0.8℃/min以下、燒結溫度為1300℃以上1460℃以下、10小時以上30小時以內的條件進行燒製而製造。
简体摘要：本发明课题系提供一种具有机械强度与高密度且低电阻之特性，作为溅镀靶材利用之高Sn浓度的Sn-Zn-O系氧化物烧结体及其制造方法。该Sn-Zn-O系氧化物烧结体其特征为：以原子数比Sn/(Zn+Sn)为0.75以上0.9以下的比例含有Sn，以相对于Sn、Zn与添加元素(X)的总量之原子数比X/(Sn+Zn+X)为0.001以上0.1以下的比例含有选自Nb、Ta、W、Mo的至少1种添加元素(X)，且相对密度为95%以上、比电阻为1Ω‧cm以下；其系在烧制炉内的氧浓度为70体积%以上的气体环境下，以700℃至烧结温度为止的升温速度为0.4℃/min以上0.8℃/min以下、烧结温度为1300℃以上1460℃以下、10小时以上30小时以内的条件进行烧制而制造。

9. 发明专利

TWI579254B 燒結體及非晶質膜有权
简体标题：烧结体及非晶质膜
公开(公告)号：TWI579254B
公开(公告)日：2017-04-21
申请号：TW102148677
申请日：2013-12-27
申请人： JX日鑛日石金屬股份有限公司 , JX NIPPON MINING & METALS CORPORATION
发明人：奈良淳史 , NARA, ATSUSHI
IPC分类号： C04B35/453 , C23C14/08 , C23C14/34
CPC分类号： C04B35/453 , C04B35/62685 , C04B2235/3201 , C04B2235/3217 , C04B2235/3224 , C04B2235/3225 , C04B2235/3227 , C04B2235/3239 , C04B2235/3244 , C04B2235/3256 , C04B2235/3284 , C04B2235/3286 , C04B2235/3287 , C04B2235/3294 , C04B2235/3296 , C04B2235/3298 , C04B2235/34 , C04B2235/3409 , C04B2235/3418 , C04B2235/77 , C23C14/086 , C23C14/3414

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