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1. 发明专利

TWI675004B 半導體膜、電晶體、半導體裝置、顯示裝置以及電子裝置有权
简体标题：半导体膜、晶体管、半导体设备、显示设备以及电子设备
公开(公告)号：TWI675004B
公开(公告)日：2019-10-21
申请号：TW104105678
申请日：2015-02-17
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：下村明久 , SHIMOMURA, AKIHISA , 山根靖正 , YAMANE, YASUMASA , 佐藤裕平 , SATO, YUHEI , 石山貴久 , ISHIYAMA, TAKAHISA , 岡崎健一 , OKAZAKI, KENICHI , 川鍋千穂 , KAWANABE, CHIHO , 太田将志 , OOTA, MASASHI , 石原典隆 , ISHIHARA, NORITAKA
IPC分类号： C01G15/00 , H01L27/12 , H01L29/24

2. 发明专利

TW201840481A 金屬氧化物微粒子的製造方法、金屬氧化物微粒子之分散液的製造方法及紅外線遮蔽膜的製造方法审中-公开
简体标题：金属氧化物微粒子的制造方法、金属氧化物微粒子之分散液的制造方法及红外线屏蔽膜的制造方法
公开(公告)号：TW201840481A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107103555
申请日：2018-02-01
申请人：日商三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：日向野怜子 , HIGANO, SATOKO , 山和彦 , YAMASAKI, KAZUHIKO
IPC分类号： C01G9/02 , C01G15/00 , C01G19/02 , C01G30/00 , G02B5/20
摘要：此金屬氧化物微粒子的製造方法具有：混合CnH2nO2(n=5～14)的脂肪酸與由選自由Zn、In、Sn及Sb所成之群組的2種以上之金屬元素的金屬、金屬氧化物或金屬氫氧化物所構成的金屬源，得到混合物之步驟；以前述脂肪酸之熔融溫度以上且未達分解溫度之溫度，加熱前述混合物，得到作為金屬氧化物微粒子的前驅物之金屬皂之步驟；與，藉由以前述前驅物之熔融溫度以上且未達分解溫度之溫度，加熱前述前驅物，而得到平均粒徑為80nm以下的金屬氧化物微粒子之步驟。
简体摘要：此金属氧化物微粒子的制造方法具有：混合CnH2nO2(n=5～14)的脂肪酸与由选自由Zn、In、Sn及Sb所成之群组的2种以上之金属元素的金属、金属氧化物或金属氢氧化物所构成的金属源，得到混合物之步骤；以前述脂肪酸之熔融温度以上且未达分解温度之温度，加热前述混合物，得到作为金属氧化物微粒子的前驱物之金属皂之步骤；与，借由以前述前驱物之熔融温度以上且未达分解温度之温度，加热前述前驱物，而得到平均粒径为80nm以下的金属氧化物微粒子之步骤。

3. 发明专利

TWI640475B 氧化物半導體膜及半導體裝置有权
简体标题：氧化物半导体膜及半导体设备
公开(公告)号：TWI640475B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW105110306
申请日：2012-04-09
申请人：日商半導體能源研究所股份有限公司 , SEMICONDUCTOR ENERGY LABORATORY CO., LTD.
发明人：高橋正弘 , TAKAHASHI, MASAHIRO , 秋元健吾 , AKIMOTO, KENGO , 山崎舜平 , YAMAZAKI, SHUNPEI
IPC分类号： C01G15/00 , C01G9/02 , H01L21/316 , H01L29/786

4. 发明专利

TWI639729B 至少含有銦及鎵之氧化物的蝕刻液及蝕刻方法有权
简体标题：至少含有铟及镓之氧化物的蚀刻液及蚀刻方法
公开(公告)号：TWI639729B
公开(公告)日：2018-11-01
申请号：TW102144062
申请日：2013-12-02
申请人：日商三菱瓦斯化學股份有限公司 , MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.
发明人：竹內秀範 , TAKEUCHI, HIDENORI , 夕部邦夫 , YUBE, KUNIO , 岡部哲 , OKABE, SATOSHI , 臼井麻里 , USUI, MARI
IPC分类号： C23F1/30 , C23F1/44 , C01G15/00 , C23F1/02

5. 发明专利

TW201808810A 氧化物燒結體及其製造方法、濺鍍靶、以及半導體裝置之製造方法审中-公开
简体标题：氧化物烧结体及其制造方法、溅镀靶、以及半导体设备之制造方法
公开(公告)号：TW201808810A
公开(公告)日：2018-03-16
申请号：TW106115420
申请日：2017-05-10
申请人：住友電氣工業股份有限公司 , SUMITOMO ELECTRIC INDUSTRIES, LTD.
发明人：綿谷研一 , WATATANI, KENICHI , 宮永美紀 , MIYANAGA, MIKI , 粟田英章 , AWATA, HIDEAKI
IPC分类号： C01G15/00 , C04B35/00 , C04B35/64 , C23C14/34 , H01L29/786
CPC分类号： C04B35/01 , C23C14/34 , H01L29/786
摘要：本發明提供一種氧化物燒結體，其包含In2O3結晶相、Zn4In2O7結晶相及ZnWO4結晶相；以及一種氧化物燒結體之製造方法，其包括藉由對包含In、W及Zn之成形體進行燒結而形成氧化物燒結體之步驟，且該步驟包括將上述成形體放置於選自500℃以上且1000℃以下之範圍之固定之第1溫度下30分鐘以上。
简体摘要：本发明提供一种氧化物烧结体，其包含In2O3结晶相、Zn4In2O7结晶相及ZnWO4结晶相；以及一种氧化物烧结体之制造方法，其包括借由对包含In、W及Zn之成形体进行烧结而形成氧化物烧结体之步骤，且该步骤包括将上述成形体放置于选自500℃以上且1000℃以下之范围之固定之第1温度下30分钟以上。

6. 发明专利

TWI568675B ＩＴＯ粉末及其製造方法有权
简体标题：ＩＴＯ粉末及其制造方法
公开(公告)号：TWI568675B
公开(公告)日：2017-02-01
申请号：TW102129796
申请日：2013-08-20
申请人：三菱綜合材料股份有限公司 , MITSUBISHI MATERIALS CORPORATION
发明人：米澤岳洋 , YONEZAWA, TAKEHIRO , 山崎和彥 , YAMASAKI, KAZUHIKO , 竹之下愛 , TAKENOSHITA, AI
IPC分类号： C01G15/00 , C04B35/453 , C04B35/622

7. 发明专利

TWI543940B 氧化物薄膜製造用組合物及使用該組合物之氧化物薄膜製造方法有权
简体标题：氧化物薄膜制造用组合物及使用该组合物之氧化物薄膜制造方法
公开(公告)号：TWI543940B
公开(公告)日：2016-08-01
申请号：TW100138140
申请日：2011-10-20
申请人：東曹精細化學股份有限公司 , TOSOH FINECHEM CORPORATION
发明人：稻葉孝一郎 , INABA, KOICHIRO , 豐田浩司 , TOYOTA, KOUJI , 羽賀健一 , HAGA, KENICHI , 德留功一 , TOKUDOME, KOICHI , 吉野賢二 , YOSHINO, KENJI , 竹元裕仁 , TAKEMOTO, YUJIN
IPC分类号： C01G9/02 , C01G15/00 , H01L29/786 , H01B1/08 , B05D1/02
CPC分类号： H01L21/02628 , C07F3/06 , C07F5/00 , H01L21/02554 , H01L21/02565

8. 发明专利

TWI534087B 硒化銅奈米粒子的製備有权
简体标题：硒化铜奈米粒子的制备
公开(公告)号：TWI534087B
公开(公告)日：2016-05-21
申请号：TW103124658
申请日：2014-07-17
申请人：納諾柯技術有限公司 , NANOCO TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：哈里斯詹姆士 , HARRIS, JAMES , 葛瑞斯帝那塔利 , GRESTY, NATHALIE , 皮凱特耐吉 , PICKETT, NIGEL
IPC分类号： C01G15/00 , B82Y30/00 , B32B3/00 , B82Y40/00 , C03C17/22 , H01L31/0352 , H01L31/18
CPC分类号： H01L31/032 , H01L21/02568 , H01L21/02601 , H01L21/02628 , H01L31/0322 , H01L31/1864 , H01L51/0091

9. 发明专利

TW201609551A 氧化銦奈米柱及其製造方法审中-公开
简体标题：氧化铟奈米柱及其制造方法
公开(公告)号：TW201609551A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：TW103131775
申请日：2014-09-15
申请人：許國明 , HSU, KUO MING
发明人：許國明 , HSU, KUO MING
IPC分类号： C01G15/00 , B82Y30/00 , B82B3/00 , B82Y40/00
CPC分类号： C01G15/00 , C01P2004/16 , C30B23/007 , C30B29/16 , C30B29/60
摘要：一種氧化銦奈米柱的製造方法，其包括以下步驟：提供高溫爐，其中高溫爐分為第一區以及第二區；將至少一銦金屬源放置於第一區，且將基板放置於第二區；將第一區的溫度調變至第一溫度，且將第二區的溫度調變至第二溫度，其中第一溫度高於第二溫度；以及當第一區的溫度達到第一溫度，且第二區的溫度達到第二溫度時，於高溫爐中通入氬氣以及氧氣，其中氬氣與氧氣比落在30：1至70：1的範圍內，以令多個氧化銦奈米柱形成於基板上。另提供一種氧化銦奈米柱。
简体摘要：一种氧化铟奈米柱的制造方法，其包括以下步骤：提供高温炉，其中高温炉分为第一区以及第二区；将至少一铟金属源放置于第一区，且将基板放置于第二区；将第一区的温度调制至第一温度，且将第二区的温度调制至第二温度，其中第一温度高于第二温度；以及当第一区的温度达到第一温度，且第二区的温度达到第二温度时，于高温炉中通入氩气以及氧气，其中氩气与氧气比落在30：1至70：1的范围内，以令多个氧化铟奈米柱形成于基板上。另提供一种氧化铟奈米柱。

10. 发明专利

TW201605734A 氧化鎵提煉方法审中-公开
简体标题：氧化镓提炼方法
公开(公告)号：TW201605734A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW103128058
申请日：2014-08-15
申请人：鑫應材股份有限公司
发明人：廖明智
IPC分类号： C01G15/00 , B09B3/00
摘要：一種氧化鎵提煉方法，是將一含鎵的溶液進行酸鹼調整，以產生出一氫氧化鎵的混合液，之後，再對氫氧化鎵的混合液進行過濾處理後，以過濾出固體氫氧化鎵與濾液，並再回收固體氫氧化鎵並將濾液回流收集，最後則是對所過濾之固體氫氧化鎵進行加熱，以形成氧化鎵。
简体摘要：一种氧化镓提炼方法，是将一含镓的溶液进行酸碱调整，以产生出一氢氧化镓的混合液，之后，再对氢氧化镓的混合液进行过滤处理后，以过滤出固体氢氧化镓与滤液，并再回收固体氢氧化镓并将滤液回流收集，最后则是对所过滤之固体氢氧化镓进行加热，以形成氧化镓。

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