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1. 发明专利

TW202030145A 用於凸印一奈米結構之方法及裝置审中-公开
简体标题：用于凸印一奈米结构之方法及设备
公开(公告)号：TW202030145A
公开(公告)日：2020-08-16
申请号：TW109114811
申请日：2015-03-24
申请人：奧地利商EV集團E塔那有限公司 , EV GROUP E. THALLNER GMBH
发明人：克蘭帝爾杰洛德 , KREINDL, GERALD
IPC分类号： B82Y10/00 , B82B3/00 , G03F7/20 , B41F19/02 , B29C59/02 , H01L21/027
摘要：本發明係關於一種用於自一奈米結構印模(5)凸印一奈米結構(13)至已經施塗至一基板(7)之一可固化材料(8)之一印模表面(14)中的方法，其具有以下步驟，尤其以下順序： - 相對於該印模表面(14)之該奈米結構(13)的對準， - 藉由以下步驟之該印模表面(14)的凸印： A) 藉由該奈米結構印模(5)之變形而對該奈米結構印模(5)預加應力，及/或藉由該基板(7)之變形而對該基板(7)預加應力， B) 使該印模表面(14)之一部分區域(15)與該奈米結構印模(5)接觸，及 C) 至少部分地，尤其主要地藉由對該奈米結構印模(5)之該預加應力及/或對該基板(7)之該預加應力而自動接觸該剩餘表面(16)。
简体摘要：本发明系关于一种用于自一奈米结构印模(5)凸印一奈米结构(13)至已经施涂至一基板(7)之一可固化材料(8)之一印模表面(14)中的方法，其具有以下步骤，尤其以下顺序： - 相对于该印模表面(14)之该奈米结构(13)的对准， - 借由以下步骤之该印模表面(14)的凸印： A) 借由该奈米结构印模(5)之变形而对该奈米结构印模(5)预加应力，及/或借由该基板(7)之变形而对该基板(7)预加应力， B) 使该印模表面(14)之一部分区域(15)与该奈米结构印模(5)接触，及 C) 至少部分地，尤其主要地借由对该奈米结构印模(5)之该预加应力及/或对该基板(7)之该预加应力而自动接触该剩余表面(16)。

2. 发明专利

TW202014383A 由預製奈米顆粒之化學切割形成二維薄片之方法及使用該薄片所製成之凡得瓦爾異質結構裝置审中-公开
简体标题：由预制奈米颗粒之化学切割形成二维薄片之方法及使用该薄片所制成之凡得瓦尔异质结构设备
公开(公告)号：TW202014383A
公开(公告)日：2020-04-16
申请号：TW108144703
申请日：2017-06-27
申请人：英商納諾柯技術有限公司 , NANOCO TECHNOLOGIES LIMITED
发明人：皮凱特耐吉 , PICKETT, NIGEL , 丹尼爾斯史蒂芬 , DANIELS, STEVEN , 瑪莎拉歐貝塔 , MASALA, OMBRETTA
IPC分类号： C01G39/06 , B82B3/00
摘要：本發明係關於一種合成二維(2D)奈米薄片的方法，其包含切割預製奈米顆粒。該方法允許高度控制該等2D奈米薄片之形狀、尺寸及組成，且可用以大量生產具有均一性質的材料。凡得瓦爾異質結構裝置藉由以下來製備：製造奈米顆粒、化學切割該等奈米顆粒以形成奈米薄片、使該等奈米薄片分散於溶劑中以形成油墨，且使該油墨沈積以形成薄膜。
简体摘要：本发明系关于一种合成二维(2D)奈米薄片的方法，其包含切割预制奈米颗粒。该方法允许高度控制该等2D奈米薄片之形状、尺寸及组成，且可用以大量生产具有均一性质的材料。凡得瓦尔异质结构设备借由以下来制备：制造奈米颗粒、化学切割该等奈米颗粒以形成奈米薄片、使该等奈米薄片分散于溶剂中以形成油墨，且使该油墨沉积以形成薄膜。

3. 发明专利

TWI688543B 利用奈米碳管膜轉移二維奈米材料的方法有权
简体标题：利用奈米碳管膜转移二维奈米材料的方法
公开(公告)号：TWI688543B
公开(公告)日：2020-03-21
申请号：TW107104859
申请日：2018-02-12
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：叢琳 , CONG, LIN , 趙偉 , ZHAO, WEI , 張金 , ZHANG, JIN , 蔡裕謙 , TSAI, YU-CHIEN , 姜開利 , JIANG, KAI-LI , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： B82B3/00 , B82Y30/00 , B82Y40/00

4. 发明专利

TWI687469B 具有經修飾金屬氧化物之奈米分散液之穩定底漆調配物及塗層有权
简体标题：具有经修饰金属氧化物之奈米分散液之稳定底漆调配物及涂层
公开(公告)号：TWI687469B
公开(公告)日：2020-03-11
申请号：TW103142913
申请日：2014-12-09
申请人：美商摩曼帝夫特性材料公司 , MOMENTIVE PERFORMANCE MATERIALS INC.
发明人：穆魯吉尚卡迪柯研 , MURUGESAN, KARTHIKEYAN , 拉瑪克瑞許南印度馬西 , RAMAKRISHNAN, INDUMATHI , 海斯羅伯特F , HAYES, ROBERT F. , 威勒凱斯J , WELLER, KEITH J.
IPC分类号： C08K3/22 , C08K9/06 , B82B3/00 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , C08L33/12 , C09D133/12 , C09D7/40 , B32B27/20 , B32B27/30 , B32B27/36

6. 发明专利

TWI666166B 用於排列膠體粒子的裝置有权
简体标题：用于排列胶体粒子的设备
公开(公告)号：TWI666166B
公开(公告)日：2019-07-21
申请号：TW107116083
申请日：2018-05-11
申请人：中原大學 , CHUNG YUAN CHRISTIAN UNIVERSITY
发明人：李有璋 , LEE, YEEU-CHANG , 高鈺珉 , KAO, YU-MIN
IPC分类号： B82B1/00 , B82B3/00

7. 发明专利

TWI649266B 分層過渡金屬二硫族化物奈米粒子之溶液相合成有权
简体标题：分层过渡金属二硫族化物奈米粒子之溶液相合成
公开(公告)号：TWI649266B
公开(公告)日：2019-02-01
申请号：TW106131156
申请日：2017-09-12
申请人：英商納諾柯2D技術有限公司 , NANOCO 2D MATERIALS LIMITED
发明人：皮凱特耐吉 , PICKETT, NIGEL , 瑪莎拉歐貝塔 , MASALA, OMBRETTA
IPC分类号： C01G39/06 , B82B3/00

8. 发明专利

TWI641556B 用於奈米粒子之合成的連續流動反應器有权
简体标题：用于奈米粒子之合成的连续流动反应器
公开(公告)号：TWI641556B
公开(公告)日：2018-11-21
申请号：TW104108205
申请日：2015-03-13
申请人：秀伊電子材料公司 , SHOEI ELECTRONIC MATERIALS, INC.
发明人：史酷特大衛M , SCHUT, DAVID M. , 哈本派翠克M , HABEN, PATRICK M. , 諾維特湯瑪斯E , NOVET, THOMAS E. , 彼得森丹尼爾A , PETERSON, DANIEL A. , 威廉斯喬治M , WILLIAMS, GEORGE M.
IPC分类号： C01G21/21 , B82B3/00 , B82Y40/00 , B22F9/28 , B22F1/02 , B01J8/24 , B01J19/08 , B01J19/24

9. 发明专利

TW201840463A 用於進階圖案化之軟著陸奈米層审中-公开
简体标题：用于进阶图案化之软着陆奈米层
公开(公告)号：TW201840463A
公开(公告)日：2018-11-16
申请号：TW107127482
申请日：2014-11-06
申请人：美商諾發系統有限公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
发明人：帕斯果法蘭克 L , PASQUALE,FRANK L. , 史旺明內森珊卡 , SWAMINATHAN,SHANKAR , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE,ADRIEN , 莎瑪納德 , SHAMMA,NADER , 狄克西吉里什 , DIXIT,GIRISH
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/316 , H01L21/027
摘要：提供方法，用於在核心層上沉積奈米層疊保護層，而允許在該核心層上沉積高品質保形膜，以用於先進多重圖案化方案。在若干實施例中，該等方法包含以低的高頻射頻（HFRF）電漿功率使用基於電漿的原子層沉積技術沉積薄的矽氧化物或鈦氧化物膜，接著以高HFRF電漿功率，沉積保形鈦氧化物膜或間隔部。
简体摘要：提供方法，用于在内核层上沉积奈米层叠保护层，而允许在该内核层上沉积高品质保形膜，以用于雪铁龙多重图案化方案。在若干实施例中，该等方法包含以低的高频射频（HFRF）等离子功率使用基于等离子的原子层沉积技术沉积薄的硅氧化物或钛氧化物膜，接着以高HFRF等离子功率，沉积保形钛氧化物膜或间隔部。

10. 发明专利

TWI640469B 用於進階圖案化之軟著陸奈米層有权
简体标题：用于进阶图案化之软着陆奈米层
公开(公告)号：TWI640469B
公开(公告)日：2018-11-11
申请号：TW103138602
申请日：2014-11-06
申请人：諾發系統有限公司 , NOVELLUS SYSTEMS, INC.
发明人：帕斯果法蘭克L , PASQUALE, FRANK L. , 史旺明內森珊卡 , SWAMINATHAN, SHANKAR , 拉芙依艾里恩 , LAVOIE, ADRIEN , 莎瑪納德 , SHAMMA, NADER , 狄克西吉里什 , DIXIT, GIRISH
IPC分类号： B82B3/00 , H01L21/316 , H01L21/027

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