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热词
    • 1. 发明专利
    • 用於凸印一奈米結構之方法及裝置
    • 用于凸印一奈米结构之方法及设备
    • TW202030145A
    • 2020-08-16
    • TW109114811
    • 2015-03-24
    • 奧地利商EV集團E塔那有限公司EV GROUP E. THALLNER GMBH
    • 克蘭帝爾 杰洛德KREINDL, GERALD
    • B82Y10/00B82B3/00G03F7/20B41F19/02B29C59/02H01L21/027
    • 本發明係關於一種用於自一奈米結構印模(5)凸印一奈米結構(13)至已經施塗至一基板(7)之一可固化材料(8)之一印模表面(14)中的方法,其具有以下步驟,尤其以下順序: -  相對於該印模表面(14)之該奈米結構(13)的對準, -  藉由以下步驟之該印模表面(14)的凸印: A) 藉由該奈米結構印模(5)之變形而對該奈米結構印模(5)預加應力,及/或藉由該基板(7)之變形而對該基板(7)預加應力, B) 使該印模表面(14)之一部分區域(15)與該奈米結構印模(5)接觸,及 C) 至少部分地,尤其主要地藉由對該奈米結構印模(5)之該預加應力及/或對該基板(7)之該預加應力而自動接觸該剩餘表面(16)。
    • 本发明系关于一种用于自一奈米结构印模(5)凸印一奈米结构(13)至已经施涂至一基板(7)之一可固化材料(8)之一印模表面(14)中的方法,其具有以下步骤,尤其以下顺序: -  相对于该印模表面(14)之该奈米结构(13)的对准, -  借由以下步骤之该印模表面(14)的凸印: A) 借由该奈米结构印模(5)之变形而对该奈米结构印模(5)预加应力,及/或借由该基板(7)之变形而对该基板(7)预加应力, B) 使该印模表面(14)之一部分区域(15)与该奈米结构印模(5)接触,及 C) 至少部分地,尤其主要地借由对该奈米结构印模(5)之该预加应力及/或对该基板(7)之该预加应力而自动接触该剩余表面(16)。
    • 3. 发明专利
    • 用於凸印一奈米結構之方法及裝置
    • 用于凸印一奈米结构之方法及设备
    • TW201544447A
    • 2015-12-01
    • TW104109441
    • 2015-03-24
    • EV集團E塔那有限公司EV GROUP E. THALLNER GMBH
    • 克蘭帝爾 杰洛德KREINDL, GERALD
    • B82B3/00B29C59/02H01L21/027
    • B41F19/02G03F7/0002G03F7/70733G03F7/70783
    • 本發明係關於一種用於自一奈米結構印模(5)凸印一奈米結構(13)至已經施塗至一基板(7)之一可固化材料(8)之一印模表面(14)中的方法,其具有以下步驟,尤其以下順序:相對於該印模表面(14)之該奈米結構(13)的對準,藉由以下步驟之該印模表面(14)的凸印:A)藉由該奈米結構印模(5)之變形而對該奈米結構印模(5)預加應力,及/或藉由該基板(7)之變形而對該基板(7)預加應力,B)使該印模表面(14)之一部分區域(15)與該奈米結構印模(5)接觸,及C)至少部分地,尤其主要地藉由對該奈米結構印模(5)之該預加應力及/或對該基板(7)之該預加應力而自動接觸該剩餘表面(16)。
    • 本发明系关于一种用于自一奈米结构印模(5)凸印一奈米结构(13)至已经施涂至一基板(7)之一可固化材料(8)之一印模表面(14)中的方法,其具有以下步骤,尤其以下顺序:相对于该印模表面(14)之该奈米结构(13)的对准,借由以下步骤之该印模表面(14)的凸印:A)借由该奈米结构印模(5)之变形而对该奈米结构印模(5)预加应力,及/或借由该基板(7)之变形而对该基板(7)预加应力,B)使该印模表面(14)之一部分区域(15)与该奈米结构印模(5)接触,及C)至少部分地,尤其主要地借由对该奈米结构印模(5)之该预加应力及/或对该基板(7)之该预加应力而自动接触该剩余表面(16)。