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1. 发明专利

TWI679032B 殺菌裝置有权
简体标题：杀菌设备
公开(公告)号：TWI679032B
公开(公告)日：2019-12-11
申请号：TW105128629
申请日：2016-09-05
申请人：日商日機裝股份有限公司 , NIKKISO CO., LTD.
发明人：木內裕紀 , KIUCHI, HIROKI , 越智鐵美 , OCHI, TETSUMI
IPC分类号： A61L2/10 , C02F1/32 , A23L2/50 , B01J19/08 , A23L3/28 , B65B55/16

2. 发明专利

TWI642797B 碳纖維膜的製備裝置有权
简体标题：碳纤维膜的制备设备
公开(公告)号：TWI642797B
公开(公告)日：2018-12-01
申请号：TW105118538
申请日：2016-06-14
申请人：鴻海精密工業股份有限公司 , HON HAI PRECISION INDUSTRY CO., LTD.
发明人：王江濤 , WANG, JIANG-TAO , 趙偉 , ZHAO, WEI , 柳鵬 , LIU, PENG , 魏洋 , WEI, YANG , 姜開利 , JIANG, KAI-LI , 范守善 , FAN, SHOU-SHAN
IPC分类号： C23C14/06 , C23C14/50 , C23C16/26 , B01J19/08 , B82Y30/00 , B82Y40/00 , H01B1/04

3. 发明专利

TW201827336A 降低二氧化氯水溶液含氯副產物濃度的方法與系統审中-公开
简体标题：降低二氧化氯水溶液含氯副产物浓度的方法与系统
公开(公告)号：TW201827336A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106103039
申请日：2017-01-25
申请人：劉德輝 , LIU, TE HUI , 黃世景 , HUANG, SHIH CHING , 曾豐源 , TSENG, FENG YUAN , 曾駿閎 , TSENG, JIUN HONG , 劉德榮 , LIU, TE JUNG , 廖福仁 , LIAO, FU JEN
发明人：曾瑞波 , TSENG, JUI PO , 曾豐源 , TSENG, FENG YUAN , 曾駿閎 , TSENG, JIUN HONG , 林炳昌 , LIN, PING CHANG
IPC分类号： C01B11/02 , B01J19/08 , F25B40/04 , F25B45/00
摘要：本發明提供一種降低、降解二氧化氯水溶液含氯副產物濃度的方法與系統，該方法包括步驟A：將一以一鹽水經鹽電解法所產生之二氧化氯水溶液，以一能發射遠紅外線之材質及一能發射微量核輻射的之礦石中至少之一者，進行至少一次共振處理，使該二氧化氯水溶液吸收遠紅外線能量與微量核輻射中之至少一者，藉以產生一經處理之二氧化氯水溶液，其含氯副產物濃度是低於5%。該系統包括一二氧化氯供應槽以及至少一共振裝置。
简体摘要：本发明提供一种降低、降解二氧化氯水溶液含氯副产物浓度的方法与系统，该方法包括步骤A：将一以一盐水经盐电解法所产生之二氧化氯水溶液，以一能发射远红外线之材质及一能发射微量核辐射的之矿石中至少之一者，进行至少一次共振处理，使该二氧化氯水溶液吸收远红外线能量与微量核辐射中之至少一者，借以产生一经处理之二氧化氯水溶液，其含氯副产物浓度是低于5%。该系统包括一二氧化氯供应槽以及至少一共振设备。

4. 发明专利

TW201827127A 遠紅外線活水裝置审中-公开
简体标题：远红外线活水设备
公开(公告)号：TW201827127A
公开(公告)日：2018-08-01
申请号：TW106101676
申请日：2017-01-18
申请人：友睦科技股份有限公司 , H & H-T CO., LTD. , 胡泉凌 , HU, CHUAN-LING
发明人：胡泉凌 , HU, CHUAN-LING
IPC分类号： B01J19/08 , C02F1/30 , C12G3/00
摘要：本發明是一種遠紅外線細化裝置，用來細化水或酒品中的分子團，包含一透明載體，內部設有一波長大致為6.27µm的水或酒品；一遠紅外線產生裝置，包含：至少一遠紅外線產生部，具有由石墨烯材料構成一相鄰於上述透明載體表面的遠紅外線發射面；一電源供應器，提供電能以增加上述遠紅外線產生部的溫度，使上述遠紅外線產生部釋放出波長大致為6.3µm的遠紅外線，本發明透過遠紅外線配合水或酒的波長相近，可大幅提升水或酒品分子團的細化效果。
简体摘要：本发明是一种远红外线细化设备，用来细化水或酒品中的分子团，包含一透明载体，内部设有一波长大致为6.27µm的水或酒品；一远红外线产生设备，包含：至少一远红外线产生部，具有由石墨烯材料构成一相邻于上述透明载体表面的远红外线发射面；一电源供应器，提供电能以增加上述远红外线产生部的温度，使上述远红外线产生部释放出波长大致为6.3µm的远红外线，本发明透过远红外线配合水或酒的波长相近，可大幅提升水或酒品分子团的细化效果。

5. 发明专利

TW201819041A 電暈放電表面處理裝置审中-公开
简体标题：电晕放电表面处理设备
公开(公告)号：TW201819041A
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：TW105138309
申请日：2016-11-22
申请人：施吉生技應材股份有限公司 , SG BIOMEDICAL CO., LTD
发明人：周漢章 , CHOU, HAN CHANG
IPC分类号： B01J19/08
摘要：一種電暈放電表面處理裝置，其可包含放電電極及接地電極。放電電極可包含氣腔、氣體注入口、氣體排放口及放電表面，氣體注入口可透過氣腔與氣體排放口連結，氣體排放口可與放電表面連結，氣體注入口可用於注入製程氣體，使製程氣體流入氣腔，並可透過氣體排放口由放電表面排出。接地電極可與放電電極的放電表面相對設置，並可與放電電極之間形成電位差，使製程氣體與環境中的工作氣體反應並離子化產生電暈放電現象以對設置於放電電極與接地電極之間的待處理物進行表面改質處理。
简体摘要：一种电晕放电表面处理设备，其可包含放电电极及接地电极。放电电极可包含气腔、气体注入口、气体排放口及放电表面，气体注入口可透过气腔与气体排放口链接，气体排放口可与放电表面链接，气体注入口可用于注入制程气体，使制程气体流入气腔，并可透过气体排放口由放电表面排出。接地电极可与放电电极的放电表面相对设置，并可与放电电极之间形成电位差，使制程气体与环境中的工作气体反应并离子化产生电晕放电现象以对设置于放电电极与接地电极之间的待处理物进行表面改质处理。

6. 发明专利

TW201743662A 基板處理方法审中-公开
简体标题：基板处理方法
公开(公告)号：TW201743662A
公开(公告)日：2017-12-16
申请号：TW106116823
申请日：2017-05-22
申请人：東京威力科創股份有限公司 , TOKYO ELECTRON LIMITED
发明人：加藤隆彥 , KATO, TAKAHIKO , 陳韋廷 , CHEN, WEITING
IPC分类号： H05H1/46 , B01J19/08 , H01L21/3065
CPC分类号： H01L21/67069 , C23C16/45525 , H01J37/32091 , H01J37/3244 , H01J37/32642 , H01J37/32724 , H01J37/32834 , H01J2237/334 , H01L21/02274 , H01L21/31116 , H01L21/67017 , H01L21/6833
摘要：本發明之課題係縮短置換氣體之時間。藉本發明之基板處理方法而解決上述課題，該基板處理方法係基板處理裝置之基板處理方法，該基板處理裝置包含有在處理容器內將氣體供至基板而進行既定之處理之處理空間及與該處理空間連通並具有比該處理空間之壓力小既定比例的壓力之排氣空間，該基板處理方法包含有第1製程及第2製程，該第1製程將第1氣體供至該基板；該第2製程於該第1製程後，將異於該第1氣體之第2氣體供至該基板；當令從該基板之端部至該處理空間與該排氣空間之交界的距離為L、與該第2氣體之氣流垂直的空間截面積為S(x)、該第2氣體之供給流量為Q、該處理空間之壓力為P、該第1氣體對該第2氣體之擴散係數為D時，將在該第2製程中從該基板的端部至該處理空間與該排氣空間之交界的距離L、與該第2氣體之氣流垂直的空間截面積S(x)及該第2氣體之供給流量Q中至少任一者調整成以下述算式(3)算出之佩克萊數Pe大於1。 [數3]
简体摘要：本发明之课题系缩短置换气体之时间。藉本发明之基板处理方法而解决上述课题，该基板处理方法系基板处理设备之基板处理方法，该基板处理设备包含有在处理容器内将气体供至基板而进行既定之处理之处理空间及与该处理空间连通并具有比该处理空间之压力小既定比例的压力之排气空间，该基板处理方法包含有第1制程及第2制程，该第1制程将第1气体供至该基板；该第2制程于该第1制程后，将异于该第1气体之第2气体供至该基板；当令从该基板之端部至该处理空间与该排气空间之交界的距离为L、与该第2气体之气流垂直的空间截面积为S(x)、该第2气体之供给流量为Q、该处理空间之压力为P、该第1气体对该第2气体之扩散系数为D时，将在该第2制程中从该基板的端部至该处理空间与该排气空间之交界的距离L、与该第2气体之气流垂直的空间截面积S(x)及该第2气体之供给流量Q中至少任一者调整成以下述算式(3)算出之佩克莱数Pe大于1。 [数3]

7. 发明专利

TWI605871B 多晶矽製造裝置有权
简体标题：多晶硅制造设备
公开(公告)号：TWI605871B
公开(公告)日：2017-11-21
申请号：TW105127471
申请日：2016-08-26
申请人：韓華化學股份有限公司 , HANWHA CHEMICAL CORPORATION
发明人：朴成殷 , PARK, SUNG EUN , 李熙東 , LEE, HEE DONG , 金知雄 , KIM, JIWOONG
IPC分类号： B01J19/08 , C23C16/24
CPC分类号： B01J19/08 , C23C16/24

8. 发明专利

TWI598924B 臭氧供給裝置、臭氧供給方法及帶電粒子束描繪裝置有权
简体标题：臭氧供给设备、臭氧供给方法及带电粒子束描绘设备
公开(公告)号：TWI598924B
公开(公告)日：2017-09-11
申请号：TW104126388
申请日：2015-08-13
申请人：紐富來科技股份有限公司 , NUFLARE TECHNOLOGY, INC.
发明人：種田康之 , TANEDA, YASUYUKI , 山中吉郎 , YAMANAKA, YOSHIRO
IPC分类号： H01J37/04 , B01J19/08 , H01J37/30 , H01J37/317 , H01J37/147
CPC分类号： H01J37/3002 , B01J19/087 , B01J2219/0801 , B01J2219/085 , B01J2219/0869 , B01J2219/0875 , C01B13/10 , H01J37/045 , H01J37/147 , H01J37/3174 , H01J2237/006 , H01J2237/043 , H01J2237/15

9. 实用新型

TWM541176U 無機粉體製作裝置以及無機粉體製作與分級裝置有权
简体标题：无机粉体制作设备以及无机粉体制作与分级设备
公开(公告)号：TWM541176U
公开(公告)日：2017-05-01
申请号：TW105219426
申请日：2016-12-21
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：盧俊安 , LU, CHUN-AN , 蔡苑鈴 , TSAI, YUAN-LING , 陳炯雄 , CHEN, CHIUNG-HSIUNG , 吳易真 , WU, YI-CHEN , 林士欽 , LIN, SHIH-CHIN
IPC分类号： H05H1/42 , B01J19/08 , B01J19/14
CPC分类号： B01J19/088 , B01J19/129 , B01J2219/0809 , B01J2219/0875 , B01J2219/0898

10. 发明专利

TW201708598A 具有旋轉反應器管之電漿增強型原子層沈積系統审中-公开
简体标题：具有旋转反应器管之等离子增强型原子层沉积系统
公开(公告)号：TW201708598A
公开(公告)日：2017-03-01
申请号：TW105127323
申请日：2016-08-25
申请人：精微超科技公司 , ULTRATECH, INC.
发明人：賽菲羅普羅亞瑟 , ZAFIROPOULO, ARTHUR W. , 漢瑞魯克安德魯 , HAWRYLUK, ANDREW M.
IPC分类号： C23C16/44 , C23C16/442 , C23C16/455 , C23C16/505 , B01J19/08 , B01J19/28 , B01J8/10 , H05H1/46 , H05H7/14
CPC分类号： H01J37/32733 , C23C16/4417 , C23C16/45538 , C23C16/45555 , H01J37/32247 , H01J37/32458 , H01J37/32467 , H01J37/3266 , H01J37/32678 , H01J37/32825 , H01J37/32853 , H01J2237/20214
摘要：本發明揭示用於使用PE-ALD及旋轉反應器管塗佈粒子之系統及方法。該反應器管為一反應器管總成之部分，該反應器管總成可旋轉及軸向移動使得其相對於一電漿產生裝置可操作地安置。該電漿產生裝置具有自一前驅氣體產生一電漿之一作用中狀態及傳送該前驅氣體而不形成一電漿之一非作用中狀態。該反應器管駐留在一腔室中，該腔室具有用於接取該反應器管之一開放位置及支撐一真空之一關閉位置。該電漿產生裝置之一輸出端緊鄰該反應器管之一輸入區段或在該反應器管之一輸入區段內駐留。此組態避免對於該電漿產生裝置之鄰近該反應器管之一外表面駐留的一作用中部分之需求。
简体摘要：本发明揭示用于使用PE-ALD及旋转反应器管涂布粒子之系统及方法。该反应器管为一反应器管总成之部分，该反应器管总成可旋转及轴向移动使得其相对于一等离子产生设备可操作地安置。该等离子产生设备具有自一前驱气体产生一等离子之一作用中状态及发送该前驱气体而不形成一等离子之一非作用中状态。该反应器管驻留在一腔室中，该腔室具有用于接取该反应器管之一开放位置及支撑一真空之一关闭位置。该等离子产生设备之一输出端紧邻该反应器管之一输入区段或在该反应器管之一输入区段内驻留。此组态避免对于该等离子产生设备之邻近该反应器管之一外表面驻留的一作用中部分之需求。

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