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3. 发明专利

TW201531023A 負電阻產生器、包含負電阻之負載以及放大器之負載审中-公开
简体标题：负电阻产生器、包含负电阻之负载以及放大器之负载
公开(公告)号：TW201531023A
公开(公告)日：2015-08-01
申请号：TW103103018
申请日：2014-01-27
申请人：瑞昱半導體股份有限公司 , REALTEK SEMICONDUCTOR CORPORATION
发明人：蘇烜毅 , SU, HSUAN YI
IPC分类号： H03H11/10
CPC分类号： H03K5/003 , H03H11/52
摘要：本發明揭露了負電阻產生器、包含負電阻之負載以及放大器之負載，能夠減少電晶體之工作區由飽合區進入線性區之情形，從而改善線性度。所述負電阻產生器包含：一第一訊號端，用來耦接一第一訊號，其中該第一訊號包含一第一交流成份與一第一直流成份；一第二訊號端，用來耦接一第二訊號，其中該第二訊號包含一第二交流成份與一第二直流成份；一第一電晶體，包含一第一高電位電極、一第一低電位電極與一第一閘極，其中該第一高電位電極耦接該第一訊號端；一第二電晶體，包含一第二高電位電極、一第二低電位電極與一第二閘極，其中該第二高電位電極耦接該第二訊號端；一電源電路，其一端耦接該第一低電位電極與該第二低電位電極，另一端耦接一接地端；一第一直流位準決定電路，耦接於該第一訊號端與該第二閘極之間，用來依據一第一直流電壓與該第一交流成份提供一第二閘極電壓予該第二閘極，其中該第二閘極電壓小於該第一訊號之電壓；以及一第二直流位準決定電路，耦接於該第二訊號端與該第一閘極之間，用來依據一第二直流電壓與該第二交流成份提供一第一閘極電壓予該第一閘極，其中該第一閘極電壓小於該第二訊號之電壓。
简体摘要：本发明揭露了负电阻产生器、包含负电阻之负载以及放大器之负载，能够减少晶体管之工作区由饱合区进入线性区之情形，从而改善线性度。所述负电阻产生器包含：一第一信号端，用来耦接一第一信号，其中该第一信号包含一第一交流成份与一第一直流成份；一第二信号端，用来耦接一第二信号，其中该第二信号包含一第二交流成份与一第二直流成份；一第一晶体管，包含一第一高电位电极、一第一低电位电极与一第一闸极，其中该第一高电位电极耦接该第一信号端；一第二晶体管，包含一第二高电位电极、一第二低电位电极与一第二闸极，其中该第二高电位电极耦接该第二信号端；一电源电路，其一端耦接该第一低电位电极与该第二低电位电极，另一端耦接一接地端；一第一直流位准决定电路，耦接于该第一信号端与该第二闸极之间，用来依据一第一直流电压与该第一交流成份提供一第二闸极电压予该第二闸极，其中该第二闸极电压小于该第一信号之电压；以及一第二直流位准决定电路，耦接于该第二信号端与该第一闸极之间，用来依据一第二直流电压与该第二交流成份提供一第一闸极电压予该第一闸极，其中该第一闸极电压小于该第二信号之电压。

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