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1. 发明专利

TW201409506A 可變電容器审中-公开
简体标题：可变电容器
公开(公告)号：TW201409506A
公开(公告)日：2014-03-01
申请号：TW102128836
申请日：2013-08-12
申请人：卡文迪什動力有限公司 , CAVENDISH KINETICS, INC
发明人：范坎彭羅貝蒂彼得魯斯 , VAN KAMPEN, ROBERTUS PETRUS , 奈普理查德 , KNIPE, RICHARD L.
IPC分类号： H01G5/16
CPC分类号： H01G5/16 , H01G5/18 , H01G5/38 , H01L27/01 , H01L27/0207 , H01L27/0805 , H01L28/60 , H01L2924/0002 , H01L2924/19041 , H01L2924/19104 , H01L2924/0001
摘要：本公開實施例提供了一種可變電容器，其改變數位式可變電容單元的RF電容而不影響MEMS單元的機械性能。每個單元具有與RF電容無關的相同的控制電容。這使得每個單元可以採用相同的、RF工作所要求的隔離電阻，並且因此使每個單元具有相同的寄生電容。這使得CMOS控制電路可以優化並且使單元的動態性能可以匹配。
简体摘要：本公开实施例提供了一种可变电容器，其改变量位式可变电容单元的RF电容而不影响MEMS单元的机械性能。每个单元具有与RF电容无关的相同的控制电容。这使得每个单元可以采用相同的、RF工作所要求的隔离电阻，并且因此使每个单元具有相同的寄生电容。这使得CMOS控制电路可以优化并且使单元的动态性能可以匹配。

2. 发明专利

TWI471791B 可變容量電容器及位置指示器有权
简体标题：可变容量电容器及位置指示器
公开(公告)号：TWI471791B
公开(公告)日：2015-02-01
申请号：TW100107742
申请日：2011-03-08
申请人：和冠股份有限公司 , WACOM CO., LTD.
发明人：福島康幸 , FUKUSHIMA, YASUYUKI , 藤塚廣幸 , FUJITSUKA, HIROYUKI
IPC分类号： G06F3/044 , H01G5/16
CPC分类号： H01G5/16 , G06F3/03545

3. 发明专利

TW201427269A 壓控振盪電路結構审中-公开
简体标题：压控振荡电路结构
公开(公告)号：TW201427269A
公开(公告)日：2014-07-01
申请号：TW101151125
申请日：2012-12-28
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：李思翰 , LI, SIH HAN , 林志昇 , LIN, CHIH SHENG , 賴信吉 , LAI, HSIN CHI , 蘇耿立 , SU, KENG LI
IPC分类号： H03B5/24 , H01G5/16
CPC分类号： H03B5/1243 , H03B5/1212 , H03B5/1228 , H03B2200/0014
摘要：本揭露提出一種壓控振盪電路結構。根據一實施例，一壓控振盪器包括一設置於一基板上之振盪器單元和一變容器單元。變容器單元與振盪器單元耦接以形成一壓控振盪迴路。變容器單元包括：可變電容和至少一控制端。可變電容設置於此基板中之且包括至少兩個矽穿孔結構。至少一控制端用以使變容器單元受到偏壓以改變可變電容之電容值。
简体摘要：本揭露提出一种压控振荡电路结构。根据一实施例，一压控振荡器包括一设置于一基板上之振荡器单元和一变容器单元。变容器单元与振荡器单元耦接以形成一压控振荡回路。变容器单元包括：可变电容和至少一控制端。可变电容设置于此基板中之且包括至少两个硅穿孔结构。至少一控制端用以使变容器单元受到偏压以改变可变电容之电容值。

4. 发明专利

TW201329602A 機電系統可變電容器件审中-公开
简体标题：机电系统可变电容器件
公开(公告)号：TW201329602A
公开(公告)日：2013-07-16
申请号：TW101137340
申请日：2012-10-09
申请人：高通微機電系統科技公司 , QUALCOMM MEMS TECHNOLOGIES, INC.
发明人：菲爾霍佛丹尼爾 , FELNHOFER, DANIEL , 張文鉞 , ZHANG, WENYUE , 藍杰雄 , LAN, JE-HSUING
IPC分类号： G02F1/21 , G09G3/34 , H01G5/16
CPC分类号： G01J1/26 , G02B26/001 , H01G5/18 , Y10T29/43
摘要：本揭示內容提供用於機電系統可變電容器件之系統、方法及裝置。在一態樣中，機電系統可變電容器件包含其上具有一底部偏壓電極之一基板。該底部偏壓電極上方之一第一射頻電極界定一第一氣隙。一非平坦化第一介電層介於該底部偏壓電極與該第一射頻電極之間。該第一射頻電極上方之一金屬層界定一第二氣隙。該金屬層包含一頂部偏壓電極及一第二射頻電極。
简体摘要：本揭示内容提供用于机电系统可变电容器件之系统、方法及设备。在一态样中，机电系统可变电容器件包含其上具有一底部偏压电极之一基板。该底部偏压电极上方之一第一射频电极界定一第一气隙。一非平坦化第一介电层介于该底部偏压电极与该第一射频电极之间。该第一射频电极上方之一金属层界定一第二气隙。该金属层包含一顶部偏压电极及一第二射频电极。

5. 发明专利

TW201736813A 壓力感測器审中-公开
简体标题：压力传感器
公开(公告)号：TW201736813A
公开(公告)日：2017-10-16
申请号：TW105110466
申请日：2016-04-01
申请人：恆顥科技股份有限公司 , HENGHAO TECHNOLOGY CO., LTD
发明人：林林 , LIN, LIN , 陳煜東 , CHEN, YU-TUNG , 陳俊榮 , CHEN, CHUN-JUNG , 劉錦璋 , LIU, CHIN-CHANG
IPC分类号： G01L1/14 , H01G5/16 , H01G5/013
摘要：一種壓力感測器包括第一電極、第二電極以及介電結構。第二電極與第一電極上下相對。介電結構設置於第一電極與第二電極之間。當壓力感測器受一外部壓力時，第一電極與第二電極間的距離變小而壓縮介電結構，且改變介電結構的等效介電係數。
简体摘要：一种压力传感器包括第一电极、第二电极以及介电结构。第二电极与第一电极上下相对。介电结构设置于第一电极与第二电极之间。当压力传感器受一外部压力时，第一电极与第二电极间的距离变小而压缩介电结构，且改变介电结构的等效介电系数。

6. 发明专利

TWI501274B 微機電系統裝置及其製造方法有权
简体标题：微机电系统设备及其制造方法
公开(公告)号：TWI501274B
公开(公告)日：2015-09-21
申请号：TW102129285
申请日：2013-08-15
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：山崎宏明 , YAMAZAKI, HIROAKI , 久保悠 , KUBO, HARUKA
IPC分类号： H01G5/16 , B81B7/02 , B81C1/00
CPC分类号： B81B3/0086 , B81B2201/016 , H01G5/18 , H01H59/0009

7. 发明专利

TWI466374B 電子元件、可變電容、微開關、微開關的驅動方法、以及ＭＥＭＳ型電子元件有权
简体标题：电子组件、可变电容、微开关、微开关的驱动方法、以及ＭＥＭＳ型电子组件
公开(公告)号：TWI466374B
公开(公告)日：2014-12-21
申请号：TW096135915
申请日：2007-09-27
申请人：尼康股份有限公司 , NIKON CORPORATION
发明人：小西浩 , KONISHI, HIROSHI , 鈴木純兒 , SUZUKI, JUNJI
IPC分类号： H01P1/10 , B81B7/02 , H01G5/16
CPC分类号： G02B26/08 , B81B3/0086 , B81B2201/016 , H01G5/16 , H01G5/18 , H01L23/5223 , H01L27/0808 , H01L2924/0002 , H01L2924/3011 , H01L2924/00

8. 发明专利

TWI452818B 靜電致動器及其驅動方法有权
简体标题：静电致动器及其驱动方法
公开(公告)号：TWI452818B
公开(公告)日：2014-09-11
申请号：TW100102835
申请日：2011-01-26
申请人：富士通股份有限公司 , FUJITSU LIMITED
发明人：島內岳明 , SHIMANOUCHI, TAKEAKI , 今井雅彥 , IMAI, MASAHIKO , 勝木隆史 , KATSUKI, TAKASHI , 豊田治 , TOYODA, OSAMU , 上田知史 , UEDA, SATOSHI
IPC分类号： H02N13/00 , H01G5/16 , B81B3/00
CPC分类号： B81C1/00698 , B81B2201/0221 , H01G5/18

9. 发明专利

TW201606826A 電子裝置审中-公开
简体标题：电子设备
公开(公告)号：TW201606826A
公开(公告)日：2016-02-16
申请号：TW104108143
申请日：2015-03-13
申请人：東芝股份有限公司 , KABUSHIKI KAISHA TOSHIBA
发明人：池橋民雄 , IKEHASHI, TAMIO
IPC分类号： H01G5/16 , H02M3/07
CPC分类号： H01G5/40 , H01G5/16
摘要：根據一實施例，電子裝置包括：至少一可變電容器(10a)，其包括第一電極與第二電極，並且根據施加在第一電極與第二電極之間的電壓而進入第一狀態和第二狀態的其中之一，第一電極與第二電極在第二狀態比在第一狀態更靠近彼此；以及電荷泵電路(20)，係設置在第一積體電路晶片(100)中，及產生用以建立第二狀態之電壓。外部電容器(70)係可連接到第一積體電路晶片，及可接收由電荷泵電路所產生的電壓。
简体摘要：根据一实施例，电子设备包括：至少一可变电容器(10a)，其包括第一电极与第二电极，并且根据施加在第一电极与第二电极之间的电压而进入第一状态和第二状态的其中之一，第一电极与第二电极在第二状态比在第一状态更靠近彼此；以及电荷泵电路(20)，系设置在第一集成电路芯片(100)中，及产生用以创建第二状态之电压。外部电容器(70)系可连接到第一集成电路芯片，及可接收由电荷泵电路所产生的电压。

10. 发明专利

TW201428794A 可調式電容裝置审中-公开
简体标题：可调式电容设备
公开(公告)号：TW201428794A
公开(公告)日：2014-07-16
申请号：TW102100017
申请日：2013-01-02
申请人：財團法人工業技術研究院 , INDUSTRIAL TECHNOLOGY RESEARCH INSTITUTE
发明人：黃俊誠 , HUANG, JYUN CHENG , 柯志祥 , KO, CHIH HSIANG , 黃俊哲 , HUANG, TSUN CHE , 王欽宏 , WANG, CHIN HUNG
IPC分类号： H01G5/16
CPC分类号： H01G5/38 , B81B3/0056 , B81B2201/0221 , H01G5/18 , H03J3/20 , H03J2200/39
摘要：一種可調式電容裝置，包含一基板、至少一活動件、一第一電容板、一第二電容板、一第三電容板及至少一電極板組。活動件設置於基板，且活動件可相對遠離或相對靠近基板。第一電容板設於活動件且面向基板。第二電容板設於基板且面向第一電容板。第三電容板設於基板且面向第一電容板。電極板組設於基板且面向活動件。電極板組用以受電壓驅動而產生靜電力，以吸引活動件相對靠近基板而調整第一電容板分別與第二電容板及第三電容板間的電容量。
简体摘要：一种可调式电容设备，包含一基板、至少一活动件、一第一电容板、一第二电容板、一第三电容板及至少一电极板组。活动件设置于基板，且活动件可相对远离或相对靠近基板。第一电容板设于活动件且面向基板。第二电容板设于基板且面向第一电容板。第三电容板设于基板且面向第一电容板。电极板组设于基板且面向活动件。电极板组用以受电压驱动而产生静电力，以吸引活动件相对靠近基板而调整第一电容板分别与第二电容板及第三电容板间的电容量。

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